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[发明专利]GaN基异质结构增强型绝缘栅场效应晶体管及制备方法-CN201010617606.1有效
发明人：刘扬;许广宁;沈震 -专利权人：中山大学
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN基异质结构增强型绝缘栅场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括衬底及设于衬底的外延层，外延层由下往上依次包括应力缓冲层、GaN层及异质层，在异质层表面上形成有绝缘介质层，且在绝缘介质层上定义有栅极区域，栅极区域注有负离子，栅极区域上形成有栅极金属，在异质层表面上通过刻蚀绝缘介质层形成源极区域及漏极区域此方法简单易行，可有效调整阈值电压，且对半导体材料无晶格损伤，更适合于制备高性能GaN基异质结构增强型场效应晶体管。
gan 基异质结构增强绝缘场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种渐变极化掺杂的增强型GaN纵向场效应晶体管-CN202110825574.2在审
发明人：罗小蓉;贾艳江;张成;邓思宇;魏杰;廖德尊;孙涛;郗路凡 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种渐变极化掺杂的增强型GaN纵向场效应晶体管。本发明主要特征在于：通过引入Al组分渐变的极化掺杂层产生极化电场，形成高浓度三维空穴气(3DHG)，突破难以实现高浓度P型GaN的瓶颈，高浓度3DHG能有效阻断栅极侧壁沟道，实现器件增强型。
一种渐变极化掺杂增强 gan 纵向场效应晶体管

[实用新型]基于单芯电缆测井仪的供电电路-CN200820091216.3有效
发明人：唐海涛;李金凤;常晖;高立敏;李洪斌 -专利权人：大庆油田有限责任公司
申请日： 2008-10-28 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： E21B47/00 文献下载
摘要：其特征在于：所述两个比较电路由电阻、稳压管以及两个高增益双运算放大器组成，所述两个MOS功率驱动电路由三极管、场效应晶体管及外围器件等组成，所述基于单芯电缆测井仪的供电电路的两个输出端(OUT1，OUT2)分别由P沟道增强型场效应晶体管Q2和P沟道增强型场效应晶体管Q6的源极引出。
基于电缆测井供电电路

[发明专利]具有充电的多通道脉冲电流发生器-CN201980063583.3在审
发明人： J·S·格拉泽;斯蒂芬·L·克林诺 -专利权人：宜普电源转换公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H03K3/57 文献下载
摘要：脉冲发生器包括脉冲控制晶体管以及对于每个负载的负载电容器和充电控制晶体管。脉冲控制晶体管允许或阻断通过负载的电流脉冲，并且具有连接至共享的负极端子的漏极端子、连接至接地的源极端子、以及用于接收负载驱动器控制信号的栅极端子。负载电容器由通过相应负载的电流脉冲来放电。充电控制晶体管允许或阻断相应负载电容器的充电电流。脉冲控制晶体管优选地是增强型GaN FET并且被选择为承受通过有待同时驱动的最大数量的负载的电流脉冲。
具有充电通道脉冲电流发生器

[发明专利]二次电池保护电路-CN201910655034.7有效
发明人：山下大地;川口德仁;佐竹义裕;田中伸史;小清水浩士 -专利权人：三美电机株式会社
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H02H7/18 文献下载
摘要：该二次电池保护电路监视二次电池的状态，在检测出异常状态时保护上述二次电池，二次电池保护电路具备：基准电压电路，其使用耗尽型的第一晶体管和与上述第一晶体管串联连接的增强型的第二晶体管生成基准电压；分压电路，其输出对上述二次电池的电源电压进行分压而得到的检测电压；检测电路，基于上述基准电压和上述检测电压检测上述异常状态；第一调整电路，其基于上述第一晶体管的阈值电压和上述第二晶体管的阈值电压调整上述第一晶体管与上述第二晶体管的尺寸比
二次电池保护电路

[发明专利]具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法-CN201910440263.7有效
发明人：段宝兴;王彦东;孙李诚;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法。该横向晶体管中，外延层对应于栅极下方的区域通过离子注入形成P型区；靠近漏极一侧的外延层表面还通过异质外延形成AlGaN层与漏极相接，形成AlGaN/GaN异质结；栅极为结型栅，源极和漏极为欧姆接触。AlGaN/GaN异质结通过自发极化和压电极化效应在异质结界面处形成高密度二维电子气，从而使具有结型栅和AlGaN/GaN异质结的横向晶体管具有很低的导通电阻。氮化镓外延层与衬底之间的异质结优化了晶体管的纵向电场分布，提高了器件的击穿电压；同时，采用结型栅可以获得增强型器件。
具有结型栅 algan gan 异质结横向晶体管及其制作方法

[发明专利]一种新型增强型III-V异质结场效应晶体管-CN201610297662.9在审
发明人：董志华;程知群;刘国华;柯华杰;周涛 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种新型增强型III‑V异质结场效应晶体管，在衬底材料层上形成第二半导体层，在第二半导体层上构造出漏电极和源电极，漏电极和源电极之间通过第一半导体层相连且与第一半导体层欧姆接触从而形成沟道；第一半导体层比第二半导体层具有更大的禁带宽度相对于现有技术，本发明提供的新型增强型III‑V异质结场效应晶体管，利用薄势垒层方案获得耗尽的沟道，采用高栅电压重新诱导出2DEG，从而实现性能稳定的增强型器件。
一种新型增强 iii 异质结场效应晶体管

[发明专利]输入谐波调谐的整流效率增强型射频整流器及其设计方法-CN202310382569.8在审
发明人：张志维;朱海鹏;张睿哲;轩雪飞 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本发明涉及一种输入谐波调谐的整流效率增强型射频整流器及其设计方法。本发明输出匹配网络用于将晶体管的最优负载阻抗匹配到标准的负载阻抗。输入谐波调谐网络用于调谐输入到晶体管栅极的二次谐波分量至最优的状态(即能达到最大整流效率的状态)。相位偏移网络用于维持栅极和漏极之间的最优相位差，以获得最大化的整流效率。通过使用GaN HEMT晶体管构建射频整流器电路，并创造性地利用输入谐波调谐机制来实现输入谐波对于晶体管输出状态的影响，进而达到提高整流器整流效率的目的。调谐晶体管栅极端的输入二次谐波使得晶体管输出漏极端的电流波形产生重塑，进一步提升了整流器的整流效率。
输入谐波调谐整流效率增强射频整流器及其设计方法

[发明专利]具有源极跟随器的TFT像素阈值电压补偿电路-CN202111490362.X有效
发明人：陆彤;田中耕平 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：一种用于显示设备的增强型像素电路提供分开的补偿阶段和数据编程阶段以允许编程时间最小化。通过使用被配置为相对于第一驱动晶体管的源极跟随器的第二驱动晶体管将驱动晶体管与电源隔离来解决电压源的变化。加入了导通偏置应力晶体管，其可以在导通偏置应力操作期间将第一驱动晶体管电连接到电源。在此操作期间，施加电压应力以消除与驱动晶体管相关联的迟滞效应。
有源跟随 tft 像素阈值电压补偿电路

[发明专利]高频集成电路-CN200910138831.4无效
发明人：小浜一正 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2005-10-12 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种具有静电保护元件的高频集成电路，在其输入/输出端上配备有作为静电保护元件的场效应晶体管，由此提供了良好的高频特性，并且提高了ESD电压的抵抗力。该高频集成电路具有高频电路(11)，其具有输入/输出端子，以及增强型场效应晶体管(13)，该晶体管在化合物半导体衬底形成并且放置在所述高频电路中，该晶体管的输入/输出端子中的一个端子连接到所述高频电路的输入/输出端子，另一端子连接到第一参考电位，并且晶体管的栅极经由电阻器(14)连接到第二参考电位。当从所述输入/输出端子施加了噪声或高电压脉冲时，场效应晶体管(13)的阻抗降低了，从而形成ESD保护。
高频集成电路

[发明专利]高频集成电路-CN200580034919.1无效
发明人：小浜一正 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2005-10-12 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种具有静电保护元件的高频集成电路，在其输入/输出端上配备有作为静电保护元件的场效应晶体管，由此提供了良好的高频特性，并且提高了ESD电压的抵抗力。该高频集成电路具有高频电路(11)，其具有输入/输出端子，以及增强型场效应晶体管(13)，该晶体管在化合物半导体衬底形成并且放置在所述高频电路中，该晶体管的输入/输出端子中的一个端子连接到所述高频电路的输入/输出端子，另一端子连接到第一参考电位，并且晶体管的栅极经由电阻器(14)连接到第二参考电位。当从所述输入/输出端子施加了噪声或高电压脉冲时，场效应晶体管(13)的阻抗降低了，从而形成ESD保护。
高频集成电路

[发明专利]p型栅增强型氮化镓基高迁移率晶体管结构及制作方法-CN202010262718.3有效
发明人：张韵;杨秀霞;张连 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开提供了一种p型栅增强型氮化镓基高迁移率晶体管结构及制作方法，其p型栅增强型氮化镓基高迁移率晶体管结构，自下而上顺次包括：衬底、缓冲层、沟道层、势垒层和p型层；还包括：第一n型层、第二n型层、第一台面、第二台面、源电极、漏电极和栅电极，第一台面自p型层刻蚀至沟道层；第一n型层生长在第一台面上；第二台面自第一n型层刻蚀至缓冲层内；源电极和漏电极分别制备在第一n型层上；栅电极制备在p型层上；第二n型层生长在p型层上，且位于栅电极外的区域。本公开第二n型层的引入可耗尽其下方p型层中的空穴浓度，恢复异质结中的二维电子气，实现器件的增强型，并避免了刻蚀带来的晶格损伤以及界面杂质对p型层的影响。
增强氮化镓基高迁移率晶体管结构制作方法

[发明专利]内置PN结硅基高压增强型氮化镓晶体管及制造方法-CN202010378923.6有效
发明人：何进;何箫梦;李春来;胡国庆;魏益群 -专利权人：深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及内置PN结硅基高压增强型氮化镓晶体管及其制造工艺。通过内置PN结结构调节电场分布的方式，可以提高EJ‑高电子迁移率晶体管晶体管器件的击穿电压。结构参数优化的EJ‑高电子迁移率晶体管晶体管，当栅漏距离为15μm时可达到2050V的击穿电压性能，这归因于栅极和漏极之间器件内部电场分布的改善。优化的该类EJ‑高电子迁移率晶体管结构晶体管，导通电阻为15.37Ωmm，功率半导体器件基础品质因数为2.734GWcm‑2。与没有内置PN结的晶体管相比，新器件EJ‑高电子迁移率晶体管将击穿电压提高了32.54％，功率半导体器件基础品质因数提高了71.3％,而两者的导通电阻相差不大。
内置 pn 结硅基高压增强氮化晶体管制造方法

[发明专利]具有改进栅极特性的增强型氮化镓晶体管-CN201080015436.8无效
发明人：亚力山大·利道;罗伯特·比奇;阿兰娜·纳卡塔;曹建军;赵广元 -专利权人：宜普电源转换公司
申请日： 2010-04-07 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：一种增强型GaN晶体管，具有避免电介质失效的厚度的栅极pGaN结构。在一个实施例中，该厚度在400埃到900埃的范围内。在一个优选实施例中，该厚度为600埃。
具有改进栅极特性增强氮化晶体管

[发明专利]具有集成的总线升压电路的电流脉冲发生器-CN201980047331.1在审
发明人： J·S·格拉泽;斯蒂芬·L·克林诺 -专利权人：宜普电源转换公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：第一GaN FET晶体管控制升压转换器中电容器的充电。第二GaN FET晶体管通过与升压转换器相连接的负载(例如激光二极管)控制电容器的放电。两个GaN FET晶体管优选地都是增强型GaN FET，并且可以与栅极驱动器一起被集成到单个半导体管芯中。常规升压转换器电路中的二极管在本发明中还可以实施为GaN FET晶体管，且还可以集成到单个半导体管芯中。
具有集成总线升压电路电流脉冲发生器