“增强型晶体管”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6032647个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于产生负电压的电荷泵-CN99103332.9无效
发明人：神保敏且 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1999-03-16 - 公布日： 2003-03-19 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：电荷泵电路的升压段具有一连接到升压节点的电容器及一连接在升压节点和其它节点之间的n-沟道增强型场效应晶体管并在连接到和其它节点的p-型阱(43)上制造，n-沟道增强型场效应晶体管打开以便通过导电沟道和p-型阱与n-型源节点之间的p-n结从其它节点向升压节点放电，这样在p-型阱上电位电平限制了后栅偏置效应，从而加宽了其它节点处的电位电平摆动幅度。
用于产生电压电荷

[实用新型]一种主备电源之间自动切换开关电路-CN201420450337.8有效
发明人：叶茂生 -专利权人：苏州金双龙电子有限公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H02J9/04 文献下载
摘要：本实用新型是一种主备电源之间自动切换开关电路，包括主电源输入端、备用电源输入端、主电源通道VIN1、备用电源通道VIN2，其特征在于，在所述主电源通道VIN1上设置有增强型nFET场效晶体管保压单元，在所述备用电源通道VIN2上设置有增强型pFET场效晶体管保压单元，所述nFET场效晶体管和pFET场效晶体管由电源序列发生器U1控制。
一种电源之间自动切换开关电路

[发明专利]一种具有阶梯场板结构的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202210477893.3在审
发明人：陆海;金玉垒;周峰;徐尉宗;周东;任芳芳 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有阶梯场板结构的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法。具有阶梯场板结构的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，栅源连通区域和漏连通区域均设有呈局域分布的第二栅极金属层，每个第二栅极金属层上表面均设有对应的第二互联金属层，第二栅极金属层一侧超出其上表面对应的第二互联金属层的一侧形成阶梯场板结构本发明通过在晶体管栅源和栅漏连通区域中均设置第二栅极金属层和第二互联金属层形成阶梯场板结构，利用该阶梯场板结构有效改善了晶体管在正向和反向偏置电压下的内部电场分布，从而提升了晶体管的击穿电压和减小漏电流；构成该阶梯场板结构的金属层和晶体管电极区域的金属层同时形成，制备方法简单。
一种具有阶梯板结增强氮化电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]恒定电压生成电路-CN202180014654.8在审
发明人：安坂信 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：恒定电压生成电路(1)具有：耗尽型的第一晶体管(M1)及增强型的第二晶体管(M2)，它们构成了ED型基准电压源；以及电阻(R1)，其连接在所述第一晶体管(M1)的栅极与源极之间。例如，所述第一晶体管(M1)和所述第二晶体管(M2)都是NMOSFET。此外，例如，所述第一晶体管(M1)的漏极与输入电压(VIN)的施加端连接，所述第二晶体管(M2)的源极与基准电位端连接，所述第一晶体管(M1)和所述第二晶体管(M2)各自的栅极以及所述第二晶体管(M2)
恒定电压生成电路

[发明专利]一种增强型晶体管的制备方法及增强型晶体管-CN202111602296.0在审
发明人：季亚军;吴勇;王东;陈兴;黄永;韩超;陈军飞;操焰;常娟雄;陆俊;孙凯;张进成 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型晶体管的制备方法及增强型晶体管，其中的方法包括如下步骤：提供包含第一半导体层和第二半导体层的异质结；第二半导体层形成于第一半导体层上，异质结中形成有二维电子气；第二半导体层包括第一势垒层、插入层和第二势垒层，插入层的热分解温度低于第二势垒层的热分解温度；对第二半导体层进行干法刻蚀形成延伸至插入层中的第一凹槽；对第一凹槽进行热分解刻蚀，形成第二凹槽；在第二凹槽中外延生长P型掺杂层；制备源极、漏极和栅极；源极和漏极均生长于第二半导体层内，栅极位于源极和漏极之间，且栅极生长于P型掺杂层上。通过执行本发明中的方法，能够实现高性能增强型晶体管器件的制备。
一种增强晶体管制备方法

[发明专利]一种前级驱动电路和功率模块驱动器-CN201210450733.6无效
发明人：郝斌;应翔;万艳宽;薛山 -专利权人：重庆长安汽车股份有限公司;重庆长安新能源汽车有限公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种前级驱动电路和功率模块驱动器，其中所述前级驱动电路包括：第一N沟道增强型金属氧化物半导体型场效应管MOS管和第二N沟道增强型MOS管：所述第一N沟道增强型MOS管连接于所述前级驱动电路的第一脉冲宽度调制PWM信号输入端与驱动控制模块的第二输入端之间；所述第二N沟道增强型MOS管连接于所述前级驱动电路的第二PWM信号输入端与驱动控制模块的第一输入端之间。当控制器两个输入端均输出高电平时，所述MOS管将高电平转换为低电平向功率晶体管逆变器输出，防止功率晶体管逆变器同一相上下两个桥臂同时接收所述高电平信号而出现短路现象，从而提高了电机驱动系统的可靠性、稳定性
一种驱动电路功率模块驱动器

[发明专利]一种像素单元电路及其补偿方法、以及显示装置-CN201310150519.3有效
发明人：吴仲远;段立业 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明公开一种像素单元电路，包括：驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、存储电容和发光器件。本发明所述的一种像素单元电路及其补偿方法、以及显示装置，可以综合内部补偿和外部补偿对发光器件进行补偿，同时具有内部补偿与外部补偿的优点，通过内部补偿有效地消除N型耗尽型或增强型TFT驱动管的阈值电压非均匀性或者漂移造成的色不均
一种像素单元电路及其补偿方法以及显示装置

[实用新型]一种像素单元电路以及显示装置-CN201320220471.4有效
发明人：吴仲远;段立业 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本实用新型公开一种像素单元电路，包括：驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、存储电容和发光器件。本实用新型所述的一种像素单元电路、以及显示装置，可以综合内部补偿和外部补偿对发光器件进行补偿，同时具有内部补偿与外部补偿的优点，通过内部补偿有效地消除N型耗尽型或增强型TFT驱动管的阈值电压非均匀性或者漂移造成的色不均
一种像素单元电路以及显示装置

[发明专利]电位转换电路-CN202210164452.8在审
发明人：陈重光 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本公开提供一种电位转换电路，用以将具有输入电压范围V1的第一信号转换为具有输出电压范围V2的电位转换输出，电位转换电路包括：NMOS耗尽型晶体管(depletion mode transistor)，具有连接至输出范围高电位供应节点(output range upper‑level supply node)的漏极、连接至中间节点的源极以及连接至输出节点的栅极；PMOS增强型晶体管(enhancement mode transistor)，具有连接至输出节点的漏极、连接至中间节点的源极以及连接至输入节点的栅极；以及NMOS增强型晶体管，具有连接至输出节点的漏极、连接至输出范围低电位供应节点(output range lower‑level
电位转换电路

[发明专利]半导体装置-CN202210847091.7在审
发明人：杉山亨 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备基板、耗尽型的第1晶体管、增强型的第2晶体管、栅极控制电路、栅极端子以及电源端子。所述第1晶体管设置在所述基板上，具有包含第1导电型的氮化物半导体的沟道区域。所述第2晶体管在所述基板上与所述第1晶体管串联连接，经由第2导电型的反型层进行工作，该第2导电型是与所述第1导电型相反的极性。所述栅极控制电路在所述基板上与所述第2晶体管的栅电极连接。所述栅极端子与所述第1晶体管的栅电极电连接。所述电源端子电连接在所述第1晶体管与所述第2晶体管之间，构成为向所述栅极控制电路提供电源电压。
半导体装置

[发明专利]基于GaN基增强型器件的单片集成反相器及其制备方法-CN202111300410.4在审
发明人：张苇杭;樊昱彤;张进成;刘茜;付李煜;黄韧;许国富;文钰;郝跃;张晓东 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaN基增强型器件的单片集成反相器及其制备方法，其中，反相器自下而上依次包括衬底、缓冲层、UID‑GaN层、AlGaN势垒层、UID‑InGaN层以及p‑InGaN层，器件中间设有一深至UID‑GaN层的隔离槽以将器件分为左右两部分；其中，器件左侧的p‑InGaN层上设有第一源电极和第一漏电极，第一源电极和第一漏电极之间设有深至p‑InGaN层的第一栅电极，以形成p沟道增强型异质结构场效应晶体管；器件右侧的AlGaN势垒层上设有第二源电极和第二漏电极，p‑InGaN层上设有第二栅电极，以形成n沟道增强型异质结构场效应晶体管。本发明提供的器件提高了p沟道GaN增强型器件的饱和电流密度，降低了导通电阻；同时抑制了n沟道GaN增强型器件的栅漏电，提高了栅压摆幅。
基于 gan 增强器件单片集成反相器及其制备方法

[发明专利]具有高阈值电压的增强型功率晶体管及其制备方法-CN202210813004.6在审
发明人：宁殿华;蒋胜;田伟;熊正兵;黄小蕾;李荷琴 -专利权人：苏州英嘉通半导体有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明揭示了一种具有高阈值电压的增强型功率晶体管及其制备方法，所述增强型功率晶体管包括：衬底；位于衬底上的异质结，异质结包括沟道层和势垒层；钝化层结构，位于异质结上方，所述异质结及钝化层结构中沿第一方向形成有第一源极区域第二源极区域及第二栅极区域；第一源极、第一栅极、漏极、第二源极及第二栅极，分别形成于第一源极区域、第一栅极区域、漏极区域、第二源极区域及第二栅极区域中，所述第一栅极与第二源极电性连接；所述第一源极、漏极和第二栅极分别作为增强型功率晶体管的源极
具有阈值电压增强功率晶体管及其制备方法

[发明专利]恒流电路、半导体装置及其制造方法、电子设备-CN201910227219.8有效
发明人：牧内佳树 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H03F3/347 文献下载
摘要：耗尽型N沟道的第一晶体管(M11)的栅极与基准节点(NS)连接，漏极与电流输出节点(ND)连接。增强型P沟道的第二晶体管(M12)的栅极及漏极与基准节点(NS)连接，源极与耗尽型N沟道的第一晶体管(M11)的源极连接。
流电半导体装置及其制造方法电子设备

[发明专利]半导体装置及其制作方法-CN201910862579.5在审
发明人：张峻铭;廖文荣 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及其制作方法，其中该半导体装置包括具有主动区域和绝缘区域的增强型高电子迁移率晶体管。增强型高电子迁移率晶体管包括基板、III‑V族主体层、III‑V族阻障层以及凹槽。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管的结构和制造方法-CN201510035348.9在审
发明人：肖胜安 -专利权人：肖胜安
申请日： 2015-01-22 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开一种绝缘栅双极晶体管的元胞结构，所述元胞结构中至少包含发射区，集电区，沟槽，沟槽栅氧化膜，多晶硅栅，第一种导电类型的半导体漂移区，第二种导电类型的半导体阱区，置于所述第一种导电类型的半导体漂移区和所述第二种导电类型的半导体阱区之间的第一种导电类型的半导体增强型积累区，相邻的所述第一种导电类型的半导体增强型积累区之间的第二种导电类型的半导体电荷补偿区。本发明通过引入第二种导电类型的半导体电荷补偿区和第一种导电类型的半导体增强型积累区，可以在得到同样的绝缘栅双极晶体管的阻断电压的情况下，进一步减小绝缘栅双极晶体管在导通时的功耗，并改善器件的关断特性。本发明还公开了一种绝缘栅双极晶体管的制造方法。
一种绝缘双极晶体管结构制造方法

首页
«上一页
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条