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[发明专利]带基极电流补偿的基准电压源集成器件-CN202110238466.5在审
发明人：周号 -专利权人：珠海迈巨微电子有限责任公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本公开提供一种带基极电流补偿的基准电压源集成器件，包括：基准电压生成模块，基准电压生成模块的基极用于输出基准电压；基极电流补偿模块，基极电流补偿模块产生基极补偿电流并输出至基准电压生成模块的基极，以抵消基准电压源生成模块的基极的基极电流，使得基准电压生成模块输出补偿后的基准电压；以及基准电压输出模块，基准电压输出模块包括电压调整子模块，电压调整子模块能够将补偿后的基准电压升高至预定电压。
基极电流补偿基准电压集成器件

[实用新型]带基极电流补偿的基准电压源集成器件-CN202120465173.6有效
发明人：周号 -专利权人：珠海迈巨微电子有限责任公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本公开提供一种带基极电流补偿的基准电压源集成器件，包括：基准电压生成模块，基准电压生成模块的基极用于输出基准电压；基极电流补偿模块，基极电流补偿模块产生基极补偿电流并输出至基准电压生成模块的基极，以抵消基准电压源生成模块的基极的基极电流，使得基准电压生成模块输出补偿后的基准电压；以及基准电压输出模块，基准电压输出模块包括电压调整子模块，电压调整子模块能够将补偿后的基准电压升高至预定电压。
基极电流补偿基准电压集成器件

[发明专利]一种开关电源的基极驱动电路-CN200910226104.3有效
发明人：段建华;朱亚江;宗强 -专利权人： BCD半导体制造有限公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种开关电源的基极驱动电路，包括：复合偏置电压模块，用于当功率开关管开启时的为功率开关管的基极提供过驱动电流；开关控制信号、内部偏置电压和所述功率开关管的基极电压作为复合偏置电压模块的输入信号；当功率开关管开启时，复合偏置电压模块输出的电压为基极电压和内部偏置电压之和；当经过第一预设时间之后，复合偏置电压模块输出的电压为零；再经过第二预设时间之后，复合偏置电压模块输出的电压为基极电压。当功率开关管开启时，复合偏置电压模块为功率开关管的基极提供较大的驱动电压，进而为功率开关管的基极提供过驱动电流。这样使功率开关管较快地导通，从而降低功率开关管由于导通和关断状态转换较慢引起的功耗。
一种开关电源基极驱动电路

[实用新型]一种三极管过热保护系统-CN202021492682.X有效
发明人：斯建;陈志强;游剑波;文健 -专利权人：珠海拓芯科技有限公司;宁波奥克斯电气股份有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种三极管过热保护系统，涉及三极管技术领域，包括：三极管的基极与处理电路电连接，处理电路的输出电压信号响应于基极电压信号；处理电路与信号电路电连接，信号电路的输出电压信号响应于处理电路的输出电压信号；信号电路电连接至三极管的基极，用于将信号电路的输出电压信号输入至三极管的基极，以触发三极管的导通或截止。本实用新型通过三极管的基极、处理电路和信号电路的相互连接，使处理电路的输出电压信号响应于三极管的基极电压信号，信号电路的输出电压信号响应于处理电路的输出电压信号，进而使信号电路的输出电压信号随着基极电压信号而变化
一种三极管过热保护系统

[发明专利]用于产生短光脉冲的发光半导体器件-CN201880049377.2有效
发明人：格奥尔格·勒雷尔;罗伯特·卡佩尔;内纳德·利利奇 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：器件包括双极晶体管(T)，其具有发射极(E)、基极(B)、集电极(C)、基极‑集电极结和基极‑发射极结、集电极‑基极击穿电压(BV)、与基极(B)或集电极(C)电连接的猝熄部件(Q)和开关电路(S1、S2、S3)，开关电路配置为对基极‑发射极结施加正向偏置。双极晶体管配置为在高于击穿电压(BV)的反向集电极‑基极电压(VCB)下工作。
用于产生脉冲发光半导体器件

[发明专利]高频功率放大器-CN200610106299.4无效
发明人：松本秀俊;田上知纪;大部功 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-07-19 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：在多级结构的基极偏置控制式高频功率放大器中，利用偏置电路(144)，使得提供给初级晶体管(103)的基极偏置电流(Ia)的启动电压低于提供给第二晶体管(107)的基极偏置电流(Ib)的启动电压，这两个电压的差小于放大级晶体管的基极－发射极间电压。另外，使提供给第三晶体管(111)的基极偏置电流(Ic)的启动电压等于基极偏置电流(Ia)的启动电压。
高频功率放大器

[实用新型]一种调色电路、驱动装置及灯具-CN202121828887.5有效
发明人：许阳彬;李炎坤;叶和木;林起锵;吴永强;刘宗源 -专利权人：漳州立达信光电子科技有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H05B45/20 文献下载
摘要：本申请适用于照明技术领域，提供了一种调色电路、驱动装置及灯具，调色电路包括：共基极三极管模块、电压调节模块、色温控制模块，共基极三极管模块的多个集电极用于与光源模组的多路不同色温的发光单元一一对应连接，电压调节模块与共基极三极管模块的基极连接，用于接入光源驱动电压，并根据光源驱动电压对共基极三极管模块的基极的电压进行调节，色温控制模块用于调节共基极三极管模块的多个发射极的压降，以调节每路发光单元的电流，通过共基极三极管模块设置共同基准电压，改变发射极的压降，从而对光源模组中多路发光单元的电流调节，实现光源模组的调色功能。
一种调色电路驱动装置灯具

[发明专利]功率放大电路-CN201810160395.X有效
发明人：本多悠里;播磨史生;田中聪 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：功率放大电路具备：放大晶体管，在基极被供给输入信号，并从集电极输出放大信号；偏置电路，对放大晶体管的基极供给偏置电流或电压；以及第一电阻元件，连接在放大晶体管的基极与偏置电路之间，偏置电路具备：电压生成电路；第一晶体管，在基极被供给第一直流电压，并从发射极供给偏置电流或电压；第二晶体管，在基极被供给第二直流电压，发射极与第一晶体管的发射极连接；信号供给电路，设置在放大晶体管的基极与第二晶体管的基极之间，对第二晶体管的基极供给输入信号；以及阻抗电路，设置在第一晶体管的基极与第二晶体管的基极之间。
功率放大电路

[实用新型]IGBT保护电路及电磁加热器具-CN202221275808.7有效
发明人：周宇 -专利权人：浙江绍兴苏泊尔生活电器有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H03K17/0814 文献下载
摘要：本申请提供一种IGBT保护电路及电磁加热器具，该IGBT保护电路包括：控制电路、驱动电路、IGBT、基极电压控制电路、第一分压电路和第二分压电路；控制电路通过第一端口输出脉冲信号至驱动电路，通过第二端口输出控制信号至基极电压控制电路，驱动电路和基极电压控制电路连接，控制电路用于通过驱动电路和基极电压控制电路控制IGBT导通或关断；第二分压电路通过第一分压电路与IGBT的基极连接，在IGBT的集电极电压大于等于电压阈值和/或IGBT的电流大于等于电流阈值时，基极电压控制电路关断，以控制IGBT的基极通过第一分压电路和第二分压电路接地，从而避免了IGBT过压损坏。
igbt 保护电路电磁加热器具

[发明专利]实现基极电流补偿的无运放内部电源结构-CN201410046112.0有效
发明人：田剑彪;冯树;王坚奎;俞明华 -专利权人：绍兴光大芯业微电子有限公司
申请日： 2014-02-10 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种实现基极电流补偿的无运放内部电源结构，其中包括带隙基准电压生成模块，用以生成带隙基准电压，所述的带隙基准电压生成模块包括共基极连接的第一三极管和第二三极管、电流镜、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；基极电流补偿模块，用以生成与所述的消耗基极电流大小相同的镜像电流并将所述的镜像电流反馈至所述的带隙基准电压生成模块中三极管的基极。采用该种结构的实现基极电流补偿的无运放内部电源结构，通过检测三极管元件的基极电流，然后用电流镜灌回相等的电流，在保持无运放内部电源结构简单便于补偿的基础上消除三极管器件基极电流对内部电源电压的影响，获得更稳定的带隙基准电压
实现基极电流补偿无运放内部电源结构

[发明专利]一种继电器驱动电路-CN202111648575.0在审
发明人：杨玻;刘春霞;周德豹;于志洋;孙永磊;靳盼苗;贾仲卿;杨智花;何紫洁;田贝乐 -专利权人：北京铁路信号有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01H47/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种继电器驱动电路，该电路包括：直流偏置电压产生电路、基极偏置电压产生电路及驱动电压产生电路；其中：直流偏置电压产生电路与基极偏置电压产生电路相连，用于在接收到第一驱动信号之后，控制自身中的第一光耦二极管导通，输出直流偏置电压；基极偏置电压产生电路与驱动电压产生电路相连，用于在接收到第二驱动信号之后，控制自身中的第二光耦二极管导通，并根据直流偏置电压产生基极偏置电压；驱动电压产生电路用于根据基极偏置电压控制自身中的第一三极管导通，输出驱动电压以驱动继电器，即本方案能够通过两路驱动信号实现对继电器的通断控制，解决现有继电器的通断控制仅通过一路控制信号实现，安全系数低的问题。
一种继电器驱动电路

[发明专利]过零电压检测电路及方法-CN201410488569.7有效
发明人：李立民;邵超 -专利权人：登丰微电子股份有限公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： G01R19/175 文献下载
摘要：本发明公开了一种过零电压检测电路及方法具有一比较器、一第一晶体管以及一第二晶体管。第一晶体管具有第一基极、第一集极以及第一射极，第一基极和第一集极耦接在一起，第一射极接收相电压，第一集极提供第一电压给比较器的第一输入端。第二晶体管具有第二基极、第二集极以及第二射极，第二基极耦接第一基极，第二基极和第二集极耦接在一起，第二射极接收一零电压，第二集极提供一第二电压给比较器的第二输入端。比较器根据第一电压以及第二电压产生一过零电压信号。
电压检测电路方法

[发明专利]利用低突波预调节来产生VPTAT和/或带隙电压的电路及方法-CN201010577751.1有效
发明人： S·G·赫比斯特 -专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： G05F3/30 文献下载
摘要：本发明提供了用来产生与绝对温度成比例的电压(VPTAT)和/或带有低1/f噪声的带隙电压输出(VGO)的电路和方法。第一基极-发射极电压支路被用来产生第一基极-发射极电压(VBE1)。第二基极-发射极电压支路被用来产生第二基极-发射极电压(VBE2)。该电路还包括第一电流预调节支路和/或第二电流预调节支路。基于VBE1和VBE2来产生VPTAT。CTAT支路可被用来产生与绝对温度互补的电压(VCTAT)，该电压与VPTAT相加可得到VGO。哪些晶体管处于第一基极-发射极电压支路、第二基极-发射极电压支路、第一电流预调节支路、第二电流预调节支路中和CTAT支路随时间改变。
利用低突波预调节产生 vptat 电压电路方法

[发明专利]一种栅控双极-场效应复合元素半导体基VDMOS-CN201910471455.4有效
发明人：段宝兴;董自明;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该结构的衬底和外延生成的漂移区均为元素半导体材料，基极与源极隔离，与栅极电连接，基极与栅极之间的连接材料为半导体材料，使得基极接入电压时基极电位大于栅极电位，栅极接入电压时栅极电位大于基极电位，并满足：栅极接入电压时，基区获得的电压使得器件寄生的双极型晶体管开启。与传统器件相比，本发明在保证器件具有相同击穿电压的同时，大幅度提高了器件的导通电流，降低了器件的导通电阻。
一种栅控双极场效应复合元素半导体 vdmos

[发明专利]用于静电放电指的增强互相触发的多通道同质路径-CN201280043043.7有效
发明人：菲利普·德沃尔;马丽亚·费尔南德斯;帕特里克·贝萨厄泽 -专利权人：密克罗奇普技术公司
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：通过在每一个别指中产生基极触点且并联连接所有这些基极触点而改善静电放电ESD指的互相触发。每一ESD指中的所述局部基极触点定位在当ESD电流增加时所述基极电压显著增加的位置处。因而当触发ESD指时，其局部基极电压将趋于显著增加。由于所有所述ESD指基极为并联连接的，所以此局部电压增加将使其它ESD指的裸片基极射极结正向偏压，因而将它们全部触发。
用于静电放电增强互相触发通道同质路径

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