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[发明专利]一种基于外场辅助技术的氮化硅基梯度复合材料及其制备方法-CN201910239219.X在审
发明人：张鹏杰;左飞;袁莉娟;林东涛;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷材料的技术领域，尤其涉及一种基于外场辅助技术的氮化硅基梯度复合材料及其制备方法。本发明的制备方法，包括：将Si₃N₄基体材料，导电第二相材料，氧化铝稀土氧化物的混合物和溶剂混合，得到氮化硅基复相陶瓷浆料；将氮化硅基复相陶瓷浆料经干燥和造粒后，得到氮化硅基复相陶瓷混合粉末，将至少两种氮化硅基复相陶瓷混合粉末依次置于模具中，再进行放电等离子烧结，得到氮化硅基梯度复合材料。其中，相邻两层氮化硅基复相陶瓷混合粉末的导电第二相材料的粒径、种类和添加比例至少一项不相同。本发明能快速精确可控制备不同氮化硅物相组成/显微结构/性能的氮化硅基梯度复合材料。
氮化硅基复相陶瓷梯度复合材料混合粉末制备辅助技术第二相外场导电浆料放电等离子烧结稀土氧化物基体材料溶剂混合陶瓷材料显微结构混合物氮化硅可控制氧化铝粒径两层造粒模具

[发明专利]一种复相碳化物涂层/钛铌合金基复合材料及其制备方法-CN201910081473.1有效
发明人：钟黎声;朱建雷;许云华;梁淑华;李继林;邹军涛;张少雄 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C23C26/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种复相碳化物涂层/钛铌合金基复合材料，包括钛铌合金基体和覆盖在基体上的复相碳化物涂层，碳化物涂层包括靠近基体的纳米级复相碳化钛铌陶瓷层和纳米+微米级复相碳化钛铌陶瓷层，纳米+微米级复相碳化钛铌陶瓷层覆盖在纳米级复相碳化钛铌陶瓷层上，钛铌合金基体中铌原子百分比含量不低于10％，本发明还公开了一种复相碳化物涂层/钛铌合金基复合材料的制备方法。本发明复相碳化物涂层/钛铌合金基复合材料具有较好的高温稳定性、抗磨损、抗冲蚀及抗氧化性能，可广泛应用于航空航天工程中，应用前景广阔。
一种碳化物涂层合金复合材料及其制备方法

[发明专利]一种具有线性导电特性的碳化硼基复相陶瓷材料及其制备方法-CN202010212477.1有效
发明人：陈健;祝明;黄政仁;杨晓;刘岩 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C04B35/563 文献下载
摘要：本发明公开一种具有线性导电特性的碳化硼基复相陶瓷材料及其制备方法。所述碳化硼基复相陶瓷材料包括碳化硼基体以及分散于所述碳化硼基体周围的碳第二相材料，所述碳第二相优选以石墨相形式存在；其中碳第二相材料的含量为2~10wt%时所述复相陶瓷材料的导电性为非线性特性，非线性系数α为1.17~1.30；所述碳第二相材料的含量≥10wt%时所述复相陶瓷材料的导电性为线性特性，所述碳化硅基复相陶瓷的电阻率为56.2Ω·cm以下。
一种具有线性导电特性碳化硼基复相陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种C/SiC-ZrC复相陶瓷基复合材料及其制备方法-CN201910972237.9在审
发明人：田跃龙;胡继东;冯志海;李媛;许艺芬 -专利权人：航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种C/SiC‑ZrC复相陶瓷基复合材料及其制备方法，属于功能复合材料领域。本发明是以纳米级ZrC相均匀分散在连续的SiC相中的SiC‑ZrC复相陶瓷为基体，以碳纤维织物为增强体而形成的复合材料，采用SiC‑ZrC复相陶瓷前驱体为浸渍相，通过真空浸渍的方法引入到碳纤维织物中，经过固化成型工艺后再经过高温裂解得到SiC‑ZrC复相陶瓷基复合材料，重复上述浸渍‑裂解工艺后，制备得到具有优异力学性能和抗氧化性能的C/SiC‑ZrC复相陶瓷基复合材料。
复相陶瓷复合材料浸渍碳纤维织物制备功能复合材料固化成型工艺抗氧化性能高温裂解力学性能真空浸渍纳米级前驱体增强体裂解引入重复

[发明专利]一种氧化铝基纳米复相陶瓷拉丝模及其制备方法-CN200810011634.1有效
发明人：陈国清;姜涛 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2008-05-29 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铝基纳米复相陶瓷拉丝模及其制备方法。其采用氧化铝基纳米复相陶瓷来制备拉丝模，所述纳米复相陶瓷拉丝模的基体成分为Al₂O₃，第二相为ZrO₂(3Y)和MgAl_{2复相陶瓷拉丝模的制备方法为首先获得具有一定外形的氧化铝基纳米复相陶瓷烧结体，作为制备拉丝模的坯料，然后采用超塑性挤压的方法成形拉丝模的孔形，后经过少量的精密磨削加工，获得氧化铝基纳米复相陶瓷拉丝模}
一种氧化铝纳米陶瓷拉丝及其制备方法

[发明专利]一种Y-Al-Si-O多元玻璃相增强六方氮化硼基复相陶瓷-CN202010141645.2有效
发明人：段小明;邱宝付;贾德昌;蔡德龙;周玉 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： C04B35/5835 文献下载
摘要：一种Y‑Al‑Si‑O多元玻璃相增强六方氮化硼基复相陶瓷，本发明涉及六方氮化硼基复相陶瓷及其制备方法。本发明要解决现有六方氮化硼陶瓷难于烧结致密化及力学性能低的问题。本发明用于Y‑Al‑Si‑O多元玻璃相增强六方氮化硼基复相陶瓷及其制备。
一种 al si 多元玻璃增强氮化硼基复相陶瓷

[发明专利]复相导电陶瓷材料及其制备方法-CN201710857461.4在审
发明人：周有福;陈彩云;王志光;许文涛 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所;中国科学院近代物理研究所
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种复相导电陶瓷材料，所述复相导电陶瓷材料由基相和导电相组成；其中，基相为ZrO3‑Al2O3，导电相为TiC。通过热压烧结的方法获得的该复相导电陶瓷材料相对密度大于为99％，硬度为5～15GPa，电导率为0.3～104S/m，具有优异的导电性能和良好的机械性能，因此该方法制备的复相导电陶瓷材料具备良好的电火花加工性能
导电陶瓷材料及其制备方法

[实用新型]复合钢管套管模-CN200620172640.1无效
发明人：束润涛 -专利权人：束润涛
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： B21D37/10 文献下载
摘要：要解决的技术问题是为输送液体的钢管的爆炸复合制造提供一种套管模，使置于其内的内复管、基管相啮合、紧固和定位。其技术方案是：将内复管置于基管内，内复管的外壁与基管的内壁相接触；基管的外壁包络有管状的减振层；内复管、基管和减振层结合为一体被镶嵌在上套管模和下套管模内的两个半圆形槽内；套管模横截面呈长方形或圆形，它与内复管、基管的轴线相重合。该复合钢管套管模置于基管外层，作为内复管与基管进行爆炸复合时的附件。
复合钢管套管

[发明专利]一种碳化硅基复相陶瓷材料在高温电阻元件中的应用-CN201710698527.X有效
发明人：陈健;陈军军;黄政仁;刘学建 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅基复相陶瓷材料在高温电阻元件中的应用，所述碳化硅基复相陶瓷材料包括碳化硅基体材料和ZrB2第二相材料，所述ZrB2第二相材料的含量为26～30wt%，所述碳化硅基复相陶瓷材料制备为所述高温电阻元件时，应用于600℃～800℃的高温环境下，其电阻率为1.20～1.25Ω·cm，且电阻率的变化率小于5%。
一种碳化硅基复相陶瓷材料高温电阻元件中的应用

[发明专利]一种莫来石基复相纤维及其制备方法-CN201710763027.X在审
发明人：张力;金雪;罗欢;周黎南;刘琳;李峻峰 -专利权人：成都理工大学
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明涉及一种莫来石基复相纤维及其制备方法，属于无机非金属材料领域。莫来石基复相纤维制备方法包括下列步骤a、莫来石前驱体的制备；b、莫来石前驱体纺丝液的配置；c、莫来石凝胶纤维的纤维化成型；d、莫来石凝胶纤维在含氨气气氛中氮化；e、氮化纤维的稳定化热处理。本发明工艺过程简单，成本低廉，适合莫来石基复相纤维的批量生产；引入氮能构建多种晶相，晶相组成可调控，减小高温下莫来石晶粒快速长大问题，有利于纤维的高温力学性能。莫来石基复相纤维可用作金属基复合材料或陶瓷复合材料的增强体，以及高温隔热材料，满足高温长时间服役的需求。
一种莫来石基复相纤维及其制备方法

[发明专利]一种多孔Si3N4/SiC复相陶瓷增强金属基复合材料的制备方法-CN201610726196.1有效
发明人：叶枫;金义程;丁俊杰;马杰;杨春萍;高晔;刘强;张标 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： C22C1/08 文献下载
摘要：一种多孔Si3N4/SiC复相陶瓷增强金属基复合材料的制备方法，涉及一种陶瓷增强金属基复合材料的制备方法。本发明为了解决目前的陶瓷增强金属基复合材料热膨胀系数高以及增强体易发生团聚且较难分散均匀的技术问题。本发明一、制备浆料；二、制备多孔Si3N4/SiC复相陶瓷；三、多孔复相陶瓷的表面改性；四、制备复合材料。本发明的多孔复相陶瓷的孔径较小，限制了复合材料中金属晶粒的长大，“细晶强化”有效提高了复合材料的综合力学性能；本发明的多孔复相陶瓷中Si3N4纳米线均匀分布；本发明的金属基复合材料中陶瓷增强体呈连续分布，使金属基复合材料有低的热膨胀系数，较高的金属含量使复合材料具有较高的热导率。
一种多孔 si3n4 sic 陶瓷增强金属复合材料制备方法

[发明专利]一种二硼化钛基复相陶瓷及其制备方法和应用-CN201810475218.0在审
发明人：郭伟明;吴利翔;牛文彬;陈志伟;林华泰;伍尚华 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明属于复相陶瓷技术领域，公开了一种二硼化钛基复相陶瓷及其制备方法和应用。所述二硼化钛(TiB2)基复相陶瓷是以金属Ti粉和B4C粉为原料，以WC球为球磨介质，在高能球磨机上球磨混合，制得金属Ti包裹B4C的Ti‑B4C粉体，再将Ti‑B4C粉体在Ar或真空的条件下通过选择性激光熔融法打印成型制得该复相陶瓷是具有净尺寸的复杂形状的陶瓷材料。该方法直接实现TiB2基陶瓷的增材制造成型，无需后续烧结或者热处理，有效改善TiB2基复相陶瓷的断裂韧性，作为一种透波材料可应用于航空航天领域。
基复相陶瓷二硼化钛制备方法和应用复相陶瓷粉体成型航空航天领域金属高能球磨机选择性激光热处理断裂韧性复杂形状球磨混合球磨介质陶瓷材料透波材料烧结熔融法打印陶瓷应用制造

[发明专利]一种原位合成硼化铬-硼化锆复相陶瓷增强铜基复合材料及其制备方法和应用-CN201711397480.X有效
发明人：罗平;董仕节;汤臣;张艳华;蓝彬栩;陈晨;王义金;胡东伟;夏露;肖瑶;李智;覃富城;王冲;杨祺;邓宇鑫;张海一;晁飞扬;王书文;徐小涵;张佳琪;陈岗;方泽成;邵轩宇;夏宇欣;左雨菲;丁文祥;易少杰;陈成 -专利权人：湖北工业大学
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种原位合成CrB₂‑ZrB₂复相陶瓷增强铜基复合材料及其制备方法，本发明将铬单质、锆单质和硼单质进行球磨，得到CrB₂‑ZrB₂复相陶瓷前驱体；在所述CrB₂‑ZrB₂复相陶瓷前驱体的表面进行化学镀镍，得到镍润湿增强颗粒后，与铜源混合球磨，得到球磨混合料；对所述球磨混合料进行冷压，得到压坯；再在无氧气氛中进行烧结，得到烧结体；随后进行锻压，得到原位合成CrB₂‑ZrB₂复相陶瓷增强铜基复合材料。本发明制备得到的原位合成CrB₂‑ZrB₂复相陶瓷增强铜基复合材料硬度高，且硬度不受修磨的影响。本发明还提供了所述原位合成CrB₂‑ZrB₂复相陶瓷增强铜基复合材料作为点焊电极材料的应用。
复相陶瓷原位合成增强铜基复合材料球磨混合前驱体单质制备制备方法和应用复合材料硬度润湿点焊电极化学镀镍混合球磨无氧气氛增强颗粒烧结硼单质硼化铬硼化锆烧结体锻压冷压球磨铜源修磨压坯应用

[发明专利]一种HfC-SiC复相陶瓷基复合材料及其制备方法-CN202211544338.4在审
发明人：梅敏;李军平;房金铭;孙新;李钰梅;李俊宁;王金明;耿琼;逄锦程;胡继东 -专利权人：航天材料及工艺研究所
申请日： 2022-12-04 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种HfC‑SiC复相陶瓷基复合材料及其制备方法。本发明是以碳纤维编织物为增强体，采用无氧型液态HfC前驱体与SiC前驱体复配制得HfC‑SiC复相陶瓷前驱体，通过PIP工艺制备出HfC‑SiC复相陶瓷基复合材料。本发明的优点在于：制备的HfC‑SiC复相陶瓷前驱体具有陶瓷产率高、陶瓷组元比例可调控，基体中的部分SiC陶瓷组元以晶须的形式存在，可大幅提高材料的力学性能；同时，前驱体陶瓷产率的提高可大幅缩短复合材料的制备周期，进而降低碳纤维在高温裂解过程中的损伤程度，制得的HfC‑SiC复相陶瓷基复合材料具有优异的力学及抗氧化性能。
一种 hfc sic 陶瓷复合材料及其制备方法

[发明专利]用于放射性石墨固化处理的SiC基复相陶瓷固化体的制备方法-CN201710561438.0有效
发明人：滕元成;王庆;李玉香;吴浪;赵骁锋;蔡鑫;胡壮 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C04B35/575 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于放射性石墨固化处理的SiC基复相陶瓷固化体的制备方法，其特征是：以硅粉、石墨粉、MgO、Al(OH)3为原料，通过制备MgAlO4粉体、制备Si‑C粉体、制备SiC‑MgAl2O4复相粉体、加入聚乙烯醇、溶胶造粒、成型及排胶、以及真空热压烧结等步骤，在较低温度下制得SiC基复相陶瓷固化体。本发明采用安全廉价的原料，简便实用的真空热压烧结技术，在较低温度下制备抗辐照稳定性、化学稳定性、机械稳定性、热稳定性优良的SiC基复相陶瓷固化体。制备的SiC基复相陶瓷固化体特别适用于高放射性活度石墨废物的陶瓷固化处理。
用于放射性石墨固化处理 sic 基复相陶瓷制备方法

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