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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用导电油墨涂覆三维弯曲基板的方法和设备-CN201710336189.5在审
发明人：李揆杰;许胜宪 -专利权人：现代自动车株式会社;韩国CERAMIC技术院
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： B05D5/12 文献下载
摘要：本发明公开一种用导电油墨涂覆三维弯曲基板的方法，其可包括：制备弯曲基板、其曲率半径与弯曲基板的曲率半径相同的图案化弯曲掩模以及具有曲率半径的弯曲狭缝型喷射器；将弯曲掩模覆盖在弯曲基板上，然后从与弯曲掩模间隔开预定距离的弯曲狭缝型喷射器向弯曲基板和弯曲掩模喷射导电油墨；并干燥弯曲基板和弯曲掩模，然后从弯曲基板中去除弯曲掩模。
弯曲基板掩模导电油墨三维弯曲喷射器基板涂覆狭缝方法和设备掩模覆盖预定距离图案化去除制备喷射

[发明专利]用于反射型掩模坯料的带膜的基板和反射型掩模坯料-CN202110458020.3在审
发明人：寺泽恒男;金子英雄;稻月判臣;高坂卓郎 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明涉及用于反射型掩模坯料的带膜的基板和反射型掩模坯料。提供一种用于反射型掩模坯料的带膜的基板和反射型掩模坯料，该用于反射型掩模坯料的带膜的基板包括：基板、Mo层和Si层的多层反射膜、以及Ru保护膜。基板和坯料包括在Mo层和Si层之间存在的含有Mo和Si的混合层，和在最上层Si层和Ru保护膜之间生成的含有Ru和Si的另一混合层；该膜和层具有满足限定的表达式的厚度。
用于反射型掩模坯料

[发明专利]反射型掩模坯料和反射型掩模-CN202210196580.0在审
发明人：三村祥平;金子英雄;寺泽恒男 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明涉及反射型掩模坯料和反射型掩模。反射型掩模坯料，其为在使用EUV光作为曝光光的EUV蚀刻法中使用的反射型掩模用材料，包括基板、在基板的一个主表面上形成的并反射曝光光的多层反射膜、和在多层反射膜上形成的并吸收曝光光的含有钨、和另一金属、
反射型掩模坯料

[发明专利]液晶显示装置的制造方法-CN200910266322.X有效
发明人：李锡宇;崔承灿 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：LCD装置的制造方法包括：利用第一掩模处理在基板的P型沟道和N型沟道薄膜晶体管形成区分别形成第一和第二有源图案；利用第二掩模处理在基板的P型沟道薄膜晶体管形成区形成第一栅极；利用第三掩模处理在基板的N型沟道薄膜晶体管形成区形成第二栅极；利用第四掩模处理形成部分露出相应的N型和P型源区的第一接触孔和部分露出相应的N型和P型漏区的第二接触孔；利用第五掩模处理形成连接到N型和P型源区的N型和P型源极，及连接到N型和P型漏区的N型和P型漏极；利用第六掩模处理同时形成第三接触孔和公共电极；利用第七掩模处理形成露出相应的N型和P型漏极的第四接触孔；以及利用第八掩模处理形成像素电极。
液晶显示装置制造方法

[发明专利]反射型掩模坯、反射型掩模及它们的制造方法-CN201280047186.5有效
发明人：田边将人;福上典仁;坂田阳;古沟透;原口崇 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种反射型掩模坯、反射型掩模及它们的制造方法，抑制遮光框处的反射率，改善品质。反射型掩模包括：基板；在上述基板上形成的多层反射层；和在上述多层反射层之上形成的吸收层，上述反射型掩模具有上述吸收层的膜厚比其他区域的膜厚大的框形状的遮光框区域。
反射型掩模坯型掩模它们制造方法

[发明专利]半导体制造工艺中利用两个光掩模的二次曝光方法-CN200710137173.8有效
发明人：苏政学;何聪杰 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2007-07-30 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体制造工艺中利用两个光掩模的二次曝光方法，包括以下步骤：(a)提供基板，该基板具有一表面；(b)形成负型感光材料于该基板的该表面上；(c)提供第一光掩模，该第一光掩模具有第一图案；(d)利用第一光束通过该第一光掩模对该负型感光材料进行第一次曝光程序；(e)提供第二光掩模，该第二光掩模具有第二图案，该第二图案的整体纹路大致上相同于该第一图案的整体纹路；及(f)利用第二光束通过该第二光掩模对该负型感光材料进行第二次曝光程序由此，该负型感光材料不会因产生破损而造成成品率损失的问题。
半导体制造工艺利用两个光掩模二次曝光方法

[发明专利]反射型掩模基板及制备方法、反射型掩模版及制备方法-CN202210780838.1在审
发明人：季明华;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种反射型掩模基板及制备方法、反射型掩模版及制备方法。该反射型掩模基板和反射型掩模版中，利用反射堆叠层内的离子注入区界定出相移区的相移图案，消除了以传统方式形成相移图案时产生的凸起的相移膜层结构，有效解决了因凸起的相移膜层结构引起的阴影效应而导致图案偏移的问题并且，本发明提供的反射型掩模版的制备方法，其相应的利用离子注入的方式形成具有相移图案的离子注入区，不仅可以实现工艺简化，并且工艺精度更高，有利于提高最终界定出的相移掩模图案的图形精度。
反射型掩模基板制备方法模版

[发明专利]反射型掩模坯料、其制造方法和反射型掩模-CN202110380334.6在审
发明人：高坂卓郎;三村祥平;山本拓郎;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明涉及反射型掩模坯料、其制造方法和反射型掩模。反射型掩模坯料，其是用于在使用EUV光作为曝光光的EUV光刻中使用的反射型掩模的材料，该反射型掩模坯料包括基板、在基板的一个主表面上形成并反射曝光光的多层反射膜、和在多层反射膜上形成并吸收曝光光的吸收体膜；吸收体膜是由第一层构成的单层、或由从基板侧开始的第一层和第二层构成的多层；第一层由钽和氮组成，并且含有55至70at％的钽和30至45at％的氮；第二层由钽和氮及40at％以下的氧组成。
反射型掩模坯料制造方法

[发明专利]EUV光刻用反射型掩模基板-CN200980123428.2无效
发明人：林和幸 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2009-06-17 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供具有对于EUV光和掩模图案检查光的波长区域的反射率低、特别是对于掩模图案检查光的整个波长区域(190～260nm)呈现低反射特性且对于氯系气体蚀刻的蚀刻速度快的低反射层的EUV光刻用反射型掩模基板一种EUV光刻用反射型掩模基板，它是在衬底上依次形成有反射EUV光的反射层、吸收EUV光的吸收体层、对掩模图案的检查光(波长190nm～260nm)为低反射的低反射层的EUV光刻用反射型掩模基板，其特征在于
euv 光刻反射型掩模基板

[发明专利]固体拍摄装置及其制造方法-CN201310205494.2无效
发明人：斋藤淳 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：实施方式的固体拍摄装置的制造方法包括下述工序：将半导体基板薄型化；形成多个掩模图形；和在所述半导体基板的背面形成具有相对于所述半导体基板的表面倾斜的倾斜面的槽。在要薄型化的所述半导体基板的表面按网格状设有多个光受光部，在要薄型化的所述半导体基板的表面上设有包括金属布线的布线层。所述多个掩模图形在薄型化了的所述半导体基板的所述背面上按网格状排列形成。所述槽通过用具有各向异性的蚀刻特性的蚀刻液对所述掩模图形之间的所述半导体基板进行蚀刻而形成。
固体拍摄装置及其制造方法

[发明专利]反射型曝光用掩模坯及反射型曝光用掩模-CN201280047151.1有效
发明人：小寺丰;坂田阳;今真人 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种反射型曝光用掩模坯及反射型曝光用掩模，实现光不会从电路图案区域以外发生反射、从而能够高精度地进行曝光转印的反射型曝光用掩模。反射型掩模坯具有形成在基板（11）上的多层反射膜（12）、保护膜（13）、吸收膜（14）、背面导电膜（15）。背面导电膜由氧化铟锡形成。基板包含SiO2；TiO2；及锰（Mn）、铜（Cu）、钴（Co）、铬（Cr）、铁（Fe）、银（Ag）、镍（Ni）、硫（S）、硒（Se）、金（Au）、钕（Nd）的氧化物中的至少一种。选择性地除去反射型掩模坯的吸收膜而形成电路图案，除去电路图案周围的吸收膜、保护膜和多层反射膜而形成遮光框，从而制作反射型掩模。
反射曝光用掩模坯用掩模

[发明专利]半透过式液晶显示装置的阵列基板制造方法-CN200810119133.5有效
发明人：宋泳锡;崔承镇;刘圣烈 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2008-08-27 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明涉及一种半透过式液晶显示装置的阵列基板制造方法。该方法，通过一个单调掩模板形成了栅线、公共线和压花，通过第一双调掩模板形成了数据线、源/漏电极、反射板和TFT沟道，通过第二双调掩模板形成了与漏电极连接的像素电极，从而实现了水平电场型半透过式液晶显示装置的阵列基板的制作相比现有的水平电场型透过式液晶显示装置的阵列基板的制作，本发明的阵列基板的制造方法，用一个单调掩模板代替了一个双调掩模板，并且实现了半透过式阵列基板，从而有效地降低了半透过式阵列基板的制造成本；另外，相比现有技术在减少一次灰化工艺的前提下实现了水平电场型半透过式液晶显示装置的阵列基板的制作
透过液晶显示装置阵列制造方法

[发明专利]成膜装置-CN202210083022.3在审
发明人：谷和宪;福井雄贵 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供一种在一边输送基板和掩模一边进行成膜的串联型的成膜装置中尽可能地抑制被对准了的基板与掩模的位置偏离的技术。本发明使用如下的成膜装置，所述成膜装置配备有：保持并输送基板的基板载置器、具有基板载置器的夹紧部的载置器保持机构、掩模保持机构、进行基板载置器与掩模的相对位置调整的对准机构、在与基板相交的交叉方向上使基板载置器移动的移动机构、成膜机构，在夹紧部夹紧基板载置器且基板载置器的整体与掩模分离开的状态下，对准机构进行相对位置调整，在相对位置调整之后，在基板载置器被夹紧的状态下，移动机构使基板载置器与掩模接触，在基板载置器与掩模接触之后，夹紧部解除对基板载置器的夹紧。
装置

[发明专利]反射型光掩模坯和反射型光掩模-CN202080082067.8在审
发明人：中野秀亮;合田步美;市川显二郎 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够抑制或减轻以极端紫外区域的波长的光为光源的图案化转印用的反射型光掩模的投影效应、且对氢自由基具有耐性的反射型光掩模坯和反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)是用于制作以极端紫外线为光源的图案转印用的反射型光掩模的反射型光掩模坯，具有：基板(1)、在基板(1)上形成的包含多层膜的反射层(2)、以及形成在反射层(2)上的吸收层
反射型光掩模坯型光掩模

[发明专利]反射型光掩模坯和反射型光掩模-CN202180029440.8在审
发明人：中野秀亮;合田步美;市川显二郎 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够抑制或减轻以极端紫外区域的波长的光为光源的图案化转印用的反射型光掩模的投影效应、且对氢自由基具有耐性的反射型光掩模坯和反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)是用于制作以极端紫外线为光源的图案转印用的反射型光掩模的反射型光掩模坯，具有：基板(1)、在基板(1)上形成的包含多层膜的反射层(2)、以及在反射层(2)上形成的吸收层
反射型光掩模坯型光掩模

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