专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种带有分层式推杆机构的半导体制品排出装置-CN201420711946.4有效
  • 丁海生;陈迎志;杨亚萍;郑翔;刘正龙;王宗华 - 铜陵三佳山田科技有限公司
  • 2014-11-25 - 2015-02-25 - H01L21/67
  • 本实用新型公开了一种带有分层式推杆机构的半导体制品排出装置,包括推杆、分离模具和下料轨道,所述推杆排成两排,相邻两个推杆在垂直向上有高度差;所述分离模具包括由驱动装置驱动的凸起柱和下压盖板,所述凸起柱在水平方向与半导体制品相适配,相邻两个凸起柱在垂直向上有高度差;所述下料轨道与半导体制品相适配,相邻下料轨道在垂直向上有高度差。相邻两个推杆垂直向上的高度差、分离模具中相邻两个凸起柱垂直向上的高度差、相邻两个下料轨道和轨道盖板组成的形腔垂直向上的高度差,三者高度差相匹配。本实用新型能够将塑封引线框架上相邻的两个半导体制品在垂直向上实行分离高度差别化制品分离,分离高度差足以使相邻两个半导体制品从分离模具中排出,切筋成型后的半导体引线脚互不接触。
  • 一种带有分层推杆机构半导体制品排出装置
  • [发明专利]垂直存储器装置-CN202011278731.4在审
  • 白石千 - 三星电子株式会社
  • 2020-11-16 - 2021-08-24 - H01L27/1157
  • 提供了一种垂直存储器装置,所述垂直存储器装置包括设置在基底上并且在第一方向上彼此间隔开的第一水平栅电极,第一方向与基底的上表面基本上垂直。第一水平栅电极中的每个在第二方向上延伸,第二方向与基底的上表面基本上平行。垂直沟道在第一方向上延伸穿过第一水平栅电极。电荷存储结构设置在第一水平栅电极中的每个与垂直沟道之间。第一垂直栅电极在第一方向上延伸穿过第一水平栅电极。第一垂直栅电极与第一水平栅电极电绝缘。第一水平沟道设置在第一水平栅电极中的每个的与第一垂直栅电极相邻的部分处。
  • 垂直存储器装置
  • [发明专利]固态成像设备-CN200810000811.6无效
  • 田中弘明;广田功 - 索尼株式会社
  • 2008-01-22 - 2008-07-30 - H04N3/15
  • 所述固态成像设备包括以行和列的矩阵排列的光接收部、垂直传送部以及水平传送部。垂直传送部是针对光接收部的矩阵的每列而形成的,其用于在垂直向上传送从光接收部传送来的电荷。水平传送部用于在水平方向上传送从垂直传送部传送来的电荷。垂直传送部对被传送到垂直传送部的电荷进行分割并且在垂直向上传送经过分割的电荷。水平传送部在水平方向传送处于混合态的经过分割的电荷。
  • 固态成像设备
  • [实用新型]新型织布机用针床传动装置-CN202021991838.9有效
  • 孙小伟;孙韵琪;李国玉;刘志超 - 常州玛纱特纺织机械有限公司
  • 2020-09-11 - 2021-08-13 - D04B15/12
  • 本实用新型涉及织布机技术领域,尤其是一种新型织布机用针床传动装置,包括脱圈板、针床、针床底座总成、凸轮摆臂和凸轮,所述凸轮旋转通过凸轮摆臂带动针床底座总成垂直向上或向下运动,通过设置针床底座总成,使得凸轮旋转通过凸轮摆臂带动针床底座总成垂直向上或向下运动,即使得针床垂直向上或向下做直线运动,从而有效的解决了缩短了针床的运动里程,降低了能耗,且针床工作时做垂直向上或向下的直线运动,受力方向只有向上或向下,从而使得整个织布机的震动较小,大大降低了织布机损坏率
  • 新型织布机用针床传动装置
  • [发明专利]半导体激光装置-CN200780006733.4有效
  • 沃尔夫冈·施密德;马丁·穆勒 - 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
  • 2007-02-08 - 2009-03-18 - H01S5/183
  • 本发明涉及一种半导体激光装置,该半导体激光装置具有:光泵浦的表面发射的垂直发射器(1),该垂直发射器在垂直主辐射方向上发射;以及至少一个单片集成的泵浦辐射源(2),用于垂直发射器(1)的光泵浦,其中泵浦辐射源在横向于垂直主辐射方向走向的泵浦主辐射方向上发射泵浦辐射根据第一实施形式,半导体激光装置的特征在于,泵浦辐射源(2)的至少一个垂直区段在横向于泵浦主辐射方向和横向于垂直主辐射方向的横向方向上对于泵浦辐射以折射率引导的方式实施。在第二实施形式中,半导体激光装置的特征在于,泵浦辐射源(2)在至少一个垂直区段中在横向于泵浦主辐射方向的横向方向上具有比在另一垂直区段中更小的宽度。通过这种方式,在合适的设计的情况下实现了,泵浦辐射的模式完全地或者至少部分地在垂直向上从该区段中被挤压,由此可以有利地减小泵浦辐射在导电层上的吸收损耗。
  • 半导体激光装置
  • [发明专利]垂直存储器件-CN201510055617.8有效
  • 李昌炫 - 三星电子株式会社
  • 2015-02-03 - 2019-08-16 - H01L27/11582
  • 本发明公开了垂直存储器件。根据示例实施方式,一种垂直存储器件包括在下绝缘层上的低电阻层、在低电阻层上的沟道层、在沟道层上的多个垂直沟道、以及多个栅线。垂直沟道在相对于沟道层的顶表面垂直的第一方向上延伸。栅线围绕垂直沟道的外侧壁,并且在第一方向上层叠并且彼此间隔开。
  • 垂直存储器件
  • [发明专利]垂直存储器件-CN201910678901.9有效
  • 李昌炫 - 三星电子株式会社
  • 2015-02-03 - 2023-07-04 - H10B43/27
  • 本发明公开了垂直存储器件。根据示例实施方式,一种垂直存储器件包括在下绝缘层上的低电阻层、在低电阻层上的沟道层、在沟道层上的多个垂直沟道、以及多个栅线。垂直沟道在相对于沟道层的顶表面垂直的第一方向上延伸。栅线围绕垂直沟道的外侧壁,并且在第一方向上层叠并且彼此间隔开。
  • 垂直存储器件
  • [发明专利]垂直存储器件-CN202110123978.7在审
  • 白石千 - 三星电子株式会社
  • 2021-01-29 - 2021-09-10 - H01L27/11563
  • 一种垂直存储器件包括具有多个水平栅电极的多个存储块,所述多个水平栅电极在第一方向上彼此间隔开并在第二方向上延伸。多个垂直沟道在第一方向上延伸穿过水平栅电极。多个电荷存储结构设置在垂直沟道与水平栅电极之间。导电路径在第三方向上延伸。所述多个存储块在第三方向上布置并通过在第二方向上延伸的第一分隔图案彼此分隔。各层级处的所述多个水平栅电极在第二方向上的第一横向侧连接到导电路径,以形成共用存储块。
  • 垂直存储器件

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