专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN201880098705.8在审
  • 小川嘉寿子 - 三垦电气株式会社
  • 2018-12-14 - 2021-06-04 - H01L29/06
  • 半导体装置具备在上表面界定出元件区域(110)和包围元件区域(110)的周围的周边区域(120)的半导体基体(10),各自具有配置于从半导体基体(10)的上表面向膜厚方向延伸的槽的内壁面的绝缘膜(21)、以及在槽的内部配置于绝缘膜(21)之上的导电体膜(22)的多个沟槽(20)包围元件区域(110)的周围而多重配置于周边区域(120)。周边区域(120)具有靠近元件区域(110)的内侧区域(121)、以及位于内侧区域(121)的周围的外侧区域(122),被相邻的沟槽(20)夹着的半导体基体(10)的宽度在内侧区域(121)中比外侧区域
  • 半导体装置
  • [发明专利]一种减小硅通孔周围区域应力的方法-CN201410091123.0在审
  • 靖向萌;于大全 - 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
  • 2014-03-13 - 2014-05-28 - H01L21/02
  • 本发明涉及一种如何减少硅通孔周围区域应力的方法。硅通孔在制备过程中会经历刻蚀、侧壁绝缘、种子层沉积、通孔填充等工艺步骤,产生工艺残余应力,此外,由于铜与周围材料的热膨胀系数差别大,这些都会导致硅通孔的周围区域内出现一定的应力集中现象,这种应力会对硅通孔周围的半导体器件性能和可靠性带来不利影响针对目前采用的退火的方式减少孔周围应力和应力影响范围的局限性,提出一种通过在硅通孔外围一定区域内加工出一定深度以及特定形状的应力消除结构的解决方案。与现有技术相比,本发明的有益效果在于克服了退火方式消除应力的工艺复杂度,极大减小应力影响区域面积,只需在硅通孔周围一定区域内利用传统刻蚀方式开设特定结构的应力消除结构,就可以显著提高硅通孔的使用寿命以及外围器件的工作稳定性
  • 一种减小硅通孔周围区域应力方法
  • [发明专利]用于计算车辆周围区域的最终图像的系统和方法-CN202180084944.X在审
  • A·安科拉;F·托马蒂斯 - 雷诺股份公司
  • 2021-11-26 - 2023-09-01 - G06T3/40
  • 本发明涉及一种用于计算车辆周围区域的最终图像的方法,该最终图像是根据由至少一个相机在车辆周围区域的第一成角部分中捕获的至少一个图像以及车辆与周围区域中的点之间的距离来计算的,该距离是由至少一个测量传感器在位于这些第一成角部分之一中的第二成角部分中确定的,该方法包括:‑对图像进行捕获以生成周围区域的位于与相机相关联的第一成角部分中的被捕获图像(I1,I2)的步骤(100Sub>),使用矩阵对该经校正图像(Icorr1,Icorr2)进行透视变换的步骤(300),该矩阵存储有相机与对应周围区域中的点之间的预先计算的距离
  • 用于计算车辆周围区域最终图像系统方法
  • [发明专利]一种轨迹预测方法、设备和计算机可读存储介质-CN202211187758.1在审
  • 黎博轩;肖钟雯 - 浙江零跑科技股份有限公司
  • 2022-09-27 - 2023-02-24 - G06V20/56
  • 本申请公开了一种轨迹预测方法、设备和计算机可读存储介质,该方法包括:获取位于目标区域内的目标对象的第一动态特征以及若干周围对象各自的第二动态特征;依据若干周围对象各自的区域信息,将若干第二动态特征与目标区域的静态环境特征进行融合,得到第一融合结果;利用第一融合结果和第一动态特征对目标对象进行轨迹预测,得到目标对象在目标区域内的轨迹预测结果;通过上述方式,本申请能够将周围对象的第二动态特征依照区域信息准确地与静态环境特征进行融合,能够充分、准确地利用周围对象的动态信息进行轨迹预测,同时避免周围对象的动态信息造成无关的干扰,进而提高轨迹预测的准确性。
  • 一种轨迹预测方法设备计算机可读存储介质
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111331997.5在审
  • 林昶鸿 - 华邦电子股份有限公司
  • 2021-11-11 - 2023-05-16 - H10B12/00
  • 一种半导体结构及其形成方法,该方法包括:形成基板;形成底层于基板之上;形成阻挡结构于底层之上,阻挡结构位于周围区域之中;覆盖中间层于底层及阻挡结构之上;形成图案化光刻胶层于中间层之上,图案化光刻胶层的第一部分位于阵列区域之中以及周围区域中阻挡结构的正上方基板的第一部分位于阵列区域之中,为主动区阵列,基板的第二部分位于周围区域之中,为保护环,基板的第三部分位于周围区域之中,为周围结构。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]一种具有曝光补正的光罩-CN201610550097.2在审
  • 张春倩;陈彩琴 - 武汉华星光电技术有限公司
  • 2016-07-13 - 2016-12-07 - G03F1/38
  • 本发明提供一种具有曝光补正的光罩,所述光罩包括遮光区域和被遮光区域包围的曝光区域,所述曝光区域包括补正子区域以及曝光子区域,所述补正子区域设置在所述曝光子区域的锐角顶点周围。本发明通过将补正子区域设置在所述曝光子区域的锐角顶点周围,当光通过补正子区域,发生衍射,与通过锐角照射到光阻上的光相互增强,从而增加锐角顶点周围的曝光强度,从而达到增加曝光能力,经曝光蚀刻后得到想要的图案
  • 一种具有曝光补正

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