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[发明专利]一体工艺反应杯加工工艺-CN202110494528.9在审
发明人：陈嘉庆;欧仕明;刘鸣;徐科强 -专利权人：宜兴市晶科光学仪器有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C03B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一体工艺反应杯加工工艺，包括以下步骤：步骤一：材料的准备；步骤二：材料的切割；步骤三：封底过程；步骤四：退火处理过程；步骤五：反应杯修底过程；步骤六：反应杯磨底过程；步骤七：反应杯磨口过程；步骤八：反应杯外径四周的研磨；步骤九：底部四周倒边处理；步骤十：反应杯的质量检验。本发明的有益效果是，运用此加工工艺生产反应杯，加工效率较高，且生产出的反应杯的加工工艺较高，此加工工艺替代了现有的反应杯的加工工艺，简化了反应杯的生产步骤，且此加工工艺生产出的反应杯，无拼接、质量更好，运用此加工工艺生产出的反应杯，也提高了使用此反应杯检测样品的效率。
一体工艺反应加工

[发明专利]工艺腔室以及半导体加工设备-CN201410431336.3有效
发明人：吕峰;张风港;赵梦欣;丁培军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供的工艺腔室以及半导体加工设备，其包括反应舱、进气系统和晶片传输装置，其中，反应舱设置在工艺腔室内，用以对晶片进行工艺；进气系统用于向反应舱提供工艺气体；晶片传输装置用于将晶片传输至反应舱内，在反应舱内设置有衬环组件，衬环组件的结构被设置为在其与反应舱的内侧壁之间形成匀流腔，用以将来自进气系统的工艺气体通过所述匀流腔均匀地输送至反应舱内。本发明提供的工艺腔室，其可以提高工艺气体进入反应舱的速度、控制参与工艺过程的工艺气体的流量的准确度，以及工艺气体在反应舱内的分布均匀性。
工艺以及半导体加工设备

[发明专利]用于操作为实施至少一种化学反应而设的设备的方法-CN202011202665.2在审
发明人： N.克拉斯伯格;L.霍曼恩 -专利权人：拜耳股份公司
申请日： 2014-11-11 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明涉及用于操作为实施至少一种化学反应而设的设备的方法，其中提供技术上和经济上最适合于形成生产设备的工艺反应器，且其中所述提供包括：考虑到存放在数据库中且分配给大量工艺反应器中的工艺反应器的反应器特定技术参数和考虑到预先设定的工艺特定技术标准，从大量工艺反应器中至少部分自动化地选择技术上和经济上最适合于形成生产设备的工艺反应器，这是通过针对大量工艺反应器中的每个工艺反应器，在至少一个选择步骤中检查至少一个分配给该工艺反应器的反应器特定技术参数和/或从至少一个分配给该工艺反应器的反应器特定技术参数和至少一个工艺特定技术参数推导出的至少一个工艺特定且反应器特定技术目标量是否满足至少一个工艺特定技术标准。
用于作为实施至少一种化学反应设备方法

[发明专利]用于操作为实施至少一种化学反应而设的设备的方法-CN201480062516.7有效
发明人： N·克拉斯伯格;L·霍曼恩 -专利权人：拜耳技术服务有限责任公司
申请日： 2014-11-11 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： G05B13/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于操作为实施至少一种化学反应而设的设备的方法，其中提供技术上和经济上最适合于形成生产设备的工艺反应器，且其中所述提供包括：考虑到存放在数据库中且分配给大量工艺反应器中的工艺反应器的反应器特定技术参数和考虑到预先设定的工艺特定技术标准，从大量工艺反应器中至少部分自动化地选择技术上和经济上最适合于形成生产设备的工艺反应器，这是通过针对大量工艺反应器中的每个工艺反应器，在至少一个选择步骤中检查至少一个分配给该工艺反应器的反应器特定技术参数和/或从至少一个分配给该工艺反应器的反应器特定技术参数和至少一个工艺特定技术参数推导出的至少一个工艺特定且反应器特定技术目标量是否满足至少一个工艺特定技术标准。
用于作为实施至少一种化学反应设备方法

[发明专利]工艺环境配置过程的中断恢复方法和装置-CN202211219788.6有效
发明人：阮正华;顾锐 -专利权人：无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种工艺环境配置过程的中断恢复方法和装置，所述方法包括：在机台工艺异常中断的情况下，确定工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤以及工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，工艺腔室中反应气体的当前种类和含量是基于质量流量控制器中各气路的开闭情况以及流量信息确定的，基于预设工艺流程确定工艺腔室当前工艺步骤对应的目标压力、反应气体种类以及各类反应气体的比例，基于目标压力和各类反应气体的比例确定工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，在异常排除的情况下基于工艺腔室中反应气体的当前种类和含量以及当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，对工艺腔室进行工艺环境配置过程中断恢复，能够提高晶圆良品率。
工艺环境配置过程中断恢复方法装置

[发明专利]一种硅片刻蚀工艺处方的控制方法-CN200510126446.X有效
发明人：张继宏 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2005-12-09 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片刻蚀的工艺处方控制方法，其特征在于，先将硅片刻蚀工艺过程的各种控制参数设定为工艺处方，然后在工艺运行过程中按预先设定的方式选择各工艺处方来控制系统运行，所述工艺处方包括各种特殊气体的流量、反应腔室的压力、氦气的压力、反应腔室的温度、反应的最长、反应的最短时间或反应的结束条件等及各参数的不同组合，工艺处方中包含有一个或多个分步反应条件，利用工艺处方及其中的各个分步反应条件来控制硅片刻蚀，可以把复杂的参数设置、更改工作简化，通过预先设置的方式，灵活方便地控制和更改各种参数，控制反应腔室的各种反应条件和刻蚀反应结果。
一种硅片刻蚀工艺处方控制方法

[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN201510705640.7在审
发明人：谢小兵;刘身健;周虎;严利均 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件制备方法，在同一等离子体反应腔室内进行，包括向反应腔室中通入第一刻蚀工艺气体，调节反应腔室内的第一刻蚀工艺所需的工艺参数，对半导体器件衬底进行第一刻蚀工艺；判断第一刻蚀工艺已达到刻蚀终点，停止反应腔室内第一刻蚀工艺所需的工艺参数控制；向反应腔室中通入至少两种沉积工艺气体，调节反应腔室内的沉积工艺所需的工艺参数，在完成第一刻蚀工艺的半导体器件衬底表面进行等离子体沉积工艺；两种沉积工艺气体交替循环通入反应腔室，以得到致密的沉积薄膜；判断沉积工艺结束后，停止反应腔室内沉积工艺所需的工艺参数控制；对半导体器件衬底表面得到的沉积薄膜进行第二刻蚀工艺。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]污水的复合式处理工艺-CN202010723828.5在审
发明人：曹伟娜;郭彦超;王春丽;刘继松;刘燕妮 -专利权人：山东明化新材料有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：本发明提供一种污水的复合式处理工艺，属于污水处理技术领域，其上游工艺采用至少两级串联的厌氧好氧反应器，下游工艺采用至少两级并联的序批反应器，在每一级的厌氧好氧反应器里污水先进入厌氧段，再进入好氧段，然后再进入到下一级的厌氧好氧反应器；上游工艺的最末级的厌氧好氧反应器的下游并联连接下游工艺的每一级序批反应器；每一级序批反应器单独配置工艺出水和工艺回流水，每一级的工艺回流水汇流并回流到上游工艺的第一级厌氧好氧反应器的厌氧段；并联的序批反应器的工况交错布置保证至少其一序批反应器工况出水，使并联的序批反应器总体系统保证连续出水；上游工艺和下游工艺组合联体构成污水的复合式处理工艺，其占地小，运行成本低。
污水复合处理工艺

[发明专利]尿素醇解法生产有机碳酸酯工艺及固定床反应器-CN200710139546.5有效
发明人：孙予罕;魏伟;肖福魁;赵宁;王秀芝;李军平 -专利权人：中国科学院山西煤炭化学研究所
申请日： 2007-09-29 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： C07C68/00 文献下载
摘要：一种尿素醇解法生产有机碳酸酯工艺包括反应工艺和分离工艺，反应工艺是在专用固定床反应器中进行的，所采用的专用固定床反应器由上部为液体捕集段(1)，中部为反应段和下部为液位区(6)三部分组成，中部反应段分成上段反应段(3)、中段反应段(4)和下段反应段(5)三段反应段。分离工艺由反应生成物脱氨、有机碳酸酯粗产品精制、氨气脱碳和液化等过程组成。本发明具有工艺合理、可连续操作性强、无三废排放、符合尿素醇解法生产有机碳酸酯的过程要求等特点。
尿素解法生产有机碳酸工艺固定床反应器

[发明专利]溅射工艺反应腔-CN202311038211.X在审
发明人：汪昌州;宋维聪 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种溅射工艺反应腔，通过设置第一冷却件和第二冷却件，同时第一冷却件和第二冷却件的上下表面均各自设置了多个能够喷出冷却介质的冷却孔，因此通过这样通过第一冷却件和第二冷却件能够同时对晶圆的上下表面以及加热基座和腔室整体进行冷却降温，可以有效降低晶圆由于磁控溅射引起的升温现象，避免了晶圆升温对薄膜质量的影响，保证了工艺过程的稳定进行，提高效率。
溅射工艺反应

[发明专利]甲烷化反应工艺-CN201410346926.6有效
发明人：张宗飞;唐凤金;汤连英;晏双华;徐建民 -专利权人：中国五环工程有限公司
申请日： 2014-07-21 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： C10L3/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种甲烷化反应工艺，解决了现有甲烷化反应工艺复杂、流程长、系统温度控制不稳定、催化剂易失活的问题。技术方案包括原料气经气液分离罐气液分离后送入脱硫槽脱硫，然后送入进料气加热器中与出等温反应器的反应气换热升温，升温后的原料气送入等温反应器进行反应，反应后的反应气送入所述进料气加热器与原料气换热降温后再送入低温绝热反应器进一步充分反应得到甲烷气本发明工艺流程极其简单、控制可靠、设备投资低、运行成本低、节能降耗、可获得高品位蒸汽。
甲烷反应工艺

[发明专利]DOTP酯化反应工艺-CN201510547898.9有效
发明人：田锐剑;李逢春;许诤;唐元培 -专利权人：山东蓝帆化工有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： C07C67/08 文献下载
摘要：本发明属于增塑剂技术领域，具体涉及一种DOTP酯化反应工艺。将醇水分离罐使用醇填充至溢流状态，同时将对苯二甲酸、辛醇和钛酸酯催化剂加入到酯化釜中，在加热的条件下进行酯化反应；酯化反应合格后，先将醇水分离罐积攒的酯化生成水排掉，利用酯化釜内余热将酯化釜内醇蒸入醇水分离罐，使醇水分离罐处于溢流状态；酯化釜中酯化反应后的物料放入缓冲罐，然后将物料送入精制工序进行处理，即得增塑剂产品。本发明通过改变酯化工序投料配比，增加了单釜产量，产能得到大幅度提高，同时合理利用了反应余热，使得高压蒸汽消耗得到明显的下降。
dotp 酯化反应工艺

[发明专利]低聚反应工艺-CN200580016633.0有效
发明人：米切尔·E·勒舍尔;大卫·G·伍德斯;迈克尔·J·基南;史蒂文·E·西尔弗伯格;保罗·W·艾伦 -专利权人：催化蒸馏技术公司
申请日： 2005-01-10 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： C07C2/04 文献下载
摘要：烯烃如混合C₄流中的正丁烯发生低聚反应，优选形成二聚物，其是在含ZSM－57沸石催化剂的蒸馏塔反应器中以高转化率和对辛烯的高选择性发生二聚反应。在低聚反应之前，将混合C₄流进行预处理，除去二甲醚、丁二烯和硫化合物。
反应工艺

[发明专利]一种不同反应腔室之间工艺结果的匹配方法和装置-CN201711223402.8有效
发明人：张继宏;付金生 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种不同反应腔室之间工艺结果的匹配方法和装置，选取至少一个影响工艺结果的因素，获取因素在不同反应腔室工艺时所对应的调节因子，调节因子使因素在其对应的反应腔室工艺时的真实值与输入值的差值在预设精度范围内，基于调节因子，设定因素在其对应的反应腔室工艺时的输入值，以使因素在不同反应腔室工艺时的真实值匹配，从而使不同反应腔室的工艺结果匹配。
一种不同反应之间工艺结果匹配方法装置

[发明专利]等温甲烷化反应系统及工艺-CN202010216688.2在审
发明人：谢定中;钟序光;戴丰育 -专利权人：湖南安淳高新技术有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C10L3/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种等温甲烷化反应系统及工艺。等温甲烷化反应工艺包括步骤：合成气进入等温反应器内反应得到反应气；所述反应气通过蒸汽过热器降温，和/或所述反应气通过进气热交换器与所述合成气进行热交换降温，得到第一降温反应气；所述第一降温反应气通过低压废热锅炉降温，得到第二降温反应气；所述第二降温反应气通过第一水分离器得到甲烷气。本发明的等温甲烷化反应系统及工艺，相对现有采用气体循环法的甲烷化反应系统及工艺，不仅设备少、流程短、调控简单及反应热利用率高，并且，相对现有的甲烷化反应工艺，为一次非循环反应工艺，无循环量大的问题，故甲烷化的生产效率高
等温甲烷反应系统工艺

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