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[实用新型]集成多个绝缘栅双极型晶体管的电路-CN201922181374.9有效
发明人：张博超;陈和辉;陈定武;黎鸿华;贺凯;卜韩萍;朱永哲;曹文亮 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H05B6/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成多个绝缘栅双极型晶体管的电路。该集成多个绝缘栅双极型晶体管的电路包括主控电路和同步电路。所述主控电路包括直流电源、至少两个绝缘栅双极型晶体管、与各个所述绝缘栅双极型晶体管对应设置的至少两个感应加热电路、以及与所述至少两个绝缘栅双极型晶体管连接的驱动电路。这种集成多个绝缘栅双极型晶体管的电路集成了驱动电路，驱动电路只需一个驱动信号就能驱动多个IGBT，减小了PCB的面积，而且抗干扰能力变强，避免了异常开通。
集成绝缘栅双极型晶体管电路

[实用新型]移动终端及快速充电电路-CN201720294420.4有效
发明人：王迅;车宁宁 -专利权人：上海青橙实业有限公司
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：所述快速充电电路包括双极结型晶体管和N型金属氧化物半导体晶体管；所述双极结型晶体管与所述N型金属氧化物半导体晶体管并联；所述双极结型晶体管包括集电极、发射极以及基极；所述N型金属氧化物半导体晶体管包括漏极和栅极；本实用新型通过并联双极结型晶体管PNP的方法将电流和热量分担到各个PNP管，增强过流能力，即增大充电电流节省充电时间，并均衡发热量，实现快速充电。
移动终端快速充电电路

[发明专利]用于变频调速装置的IGBT缓冲电路-CN201811509826.5在审
发明人：曹喜生;赵兴彦;党怀东;坚德毅;杜海峰;梁伟艳;李雷 -专利权人：天水电气传动研究所有限责任公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H02M1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于变频调速装置的IGBT缓冲电路，它包括两个绝缘栅双极型晶体管IGBT，绝缘栅双极型晶体管IGBT的集电极和发射极两端分别与放电电阻、二极管、电容相连接，本发明利用二极管的导通关断特性改变IGBT缓冲电路的电容值，从而达到在绝缘栅双极型晶体管IGBT关断时有效抑制瞬态过电压，又可在导通时减小放电时间，迅速释放电荷的目的，消除桥臂绝缘栅双极型晶体管IGBT电压分配不均现象。
绝缘栅双极型晶体管IGBT 缓冲电路变频调速装置二极管电容瞬态过电压电压分配放电电阻有效抑制电荷发射极集电极放电导通关断减小桥臂释放

[发明专利]双极型晶体管模型及相应的参数提取方法-CN201310156240.6有效
发明人：范象泉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种双极型晶体管模型及相应的参数提取方法，双极型晶体管模型包括集电极、基极、发射极、内集电极、内基极和内发射极，集电极和内集电极位于集电区，基极和内基极位于基区，发射极和内发射极位于发射区，集电极、基极、发射极、内集电极、内基极和内发射极上均设有金属孔，集电极和内集电极、基极和内基极、发射极和内发射极分别由其上设有的金属孔经金属线连出，各金属线分别连接至一探针垫，探针垫用于接触探针。本发明通过探针接触各探针垫获得模型寄生参数；通过模型寄生参数修正双极型晶体管SPICE模型参数；通过参数被修正后的双极型晶体管SPICE模型进行计算机模拟，克服了传统的双极型晶体管SPICE模型存在的模型参数提取不精确的缺陷
双极型晶体管模型相应参数提取方法

[发明专利]MMC-二极管混合型海上风电双极柔直输电系统启动方法-CN202211059168.0在审
发明人：王霄鹤;陈雨薇;戚海峰;陈晴;杨文斌;杨林刚;王克;夏冰清;殷贵;黄松阁 -专利权人：中国电建集团华东勘测设计研究院有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H02J3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种MMC‑二极管混合型海上风电双极柔直输电系统启动方法，针对送端正极采用MMC换流器，负极采用二极管整流装置的混合型海上风电双极柔直输电系统，通过送端正极MMC换流器、受端正极MMC换流器、受端负极MMC换流器的协同控制，实现混合型双极柔直系统及海上风电场的平稳启动并网及双极协同运行。通过采用本发明提出的混合型海上风电双极柔直输电系统及启动方法，可以显著降低海上换流站建设成本，且能够保证系统启动及运行过程的安全稳定。
mmc 二极管混合海上风电双极柔直输电系统启动方法

[其他]双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺-CN88100546无效
发明人：拉杰夫·让·沙夏;托安·特兰 -专利权人：得克萨斯仪器公司
申请日： 1988-01-30 - 公布日： 1988-08-10 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：同时制作双极型和CMOS晶体管的集成工艺。掩膜、图形制作和注入被一体化以减少复杂性，结合步骤形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的分层多晶硅步骤。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区域嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用横向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。
双极型互补金属氧化物半导体晶体管集成制造工艺

[发明专利]双极型晶体管的集成制造工艺-CN91104429.9无效
发明人：拉杰夫·让·沙夏;托安·特兰 -专利权人：德克萨斯仪器公司
申请日： 1988-01-30 - 公布日： 1993-03-03 - 主分类号： H01L21/328 文献下载
摘要：双极型晶体管的集成工艺。掩膜、图形制作和注入被一体化以减少复杂性，结合CMOS制造工艺同时形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的分层多晶硅。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区域嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用模向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。
双极型晶体管集成制造工艺

[发明专利]双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺-CN88100546.0无效
发明人：拉杰夫·让·沙夏;托安·特兰 -专利权人：得克萨斯仪器公司
申请日： 1988-01-30 - 公布日： 1991-12-04 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：同时制作双极型和CMOS晶体管的集成工艺。掩膜、图形制作和注入被一体化以减少复杂性，结合步骤形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的分层多晶硅步骤。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区域嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用横向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。
双极型互补金属氧化物半导体晶体管集成制造工艺

[发明专利]降低瞬时电压抑制器骤回的电路结构-CN200780026836.7有效
发明人：雪克·玛力卡勒强斯瓦密 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2007-05-29 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：该瞬时电压抑制器电路包括连接在双极型结型晶体管(BJT)的发射极与集电极之间的一触发式齐纳二极管。其中齐纳二极管具有一反向击穿电压，此击穿电压小于或等于双极型结型晶体管的集电极-发射极击穿电压，且此双极型结型晶体管是利用开启的基极以承受集电极-发射极击穿电压。上述瞬时电压抑制电路进一步包括一整流器，该整流器以并联的方式连接上述的双极型结型晶体管，且通过整流器触发一整流电路，来进一步限定反向阻隔电压的增加。在一较佳实施例中，通过在N型阱或是P型阱内植入第一或第二导电类型的掺杂区域，从而将触发式齐纳二极管、双极型结型晶体管以及整流器形成在一半导体衬底上。
降低瞬时电压抑制器电路结构

[发明专利]一种交联型双极膜的制备方法-CN202011633854.5在审
发明人：傅荣强;张如岭;张晓丽;王伟;李克;刘兆明;徐铜文 -专利权人：山东天维膜技术有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： B01D67/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种交联型双极膜的制备方法，本发明公开了一种交联型双极膜的制备方法，在传统双极膜制备方法的基础上，在阴、阳离子膜层引入交联单体，加热进行聚合反应得到带有交联结构的反应型阴、阳离子膜，通过化学反应在阴离子膜层与阳离子膜层之间引入共价键，得到阴、阳膜层黏合更加牢固的交联型双极膜。
一种交联型双极膜制备方法

[发明专利]CMOS工艺制造双极型晶体管的方法及双极型晶体管-CN201410499155.4有效
发明人：陈瑜 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS工艺制造双极型晶体管的方法及双极型晶体管，双极型晶体管发射区不做金属硅化反应，通过屏蔽发射区的金属硅化反应，接触孔同发射区直接接触，通过调节发射区上的接触孔的密度即可调节发射区平均少数载流子浓度，调节基区扩散电流，最终调节双极型晶体管的电流增益。
cmos 工艺制造双极型晶体管方法

[发明专利]横向双极结型晶体管及其制造方法-CN201010000405.7有效
发明人：柯庆忠;李东兴;曾峥 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2010-01-07 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及横向双极结型晶体管及其制造方法。一种横向双极结型晶体管包括发射区、基区、栅极以及集电区。基区环绕发射区。栅极被配置于至少一部分基区之上。集电区环绕基区。所述横向双极结型晶体管及其制造方法，提高了横向双极结型晶体管的临界频率与电流增益。
横向双极结型晶体管及其制造方法

[实用新型]一种多片叠片台和多片极片叠片装置-CN202223202204.2有效
发明人：林巨广;周殷捷;汪波;杜国强 -专利权人：苏州巨一智能装备有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01M10/0585 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多片叠片台和多片极片叠片装置，该多片叠片台包括：叠片工作台，用于多片极片平行间隔对齐摆放；以及压刀组件，包括位于叠片工作台前后两端的单压刀组件和位于单压刀组件之间的多个双压刀组件，其中，所述单压刀组件用于多片极片中首/尾两端的单个极片/所在隔膜的按压，所述双压刀组件用于多片极片中相邻两个极片/所在隔膜的同时按压。该多片极片叠片装置包括：多片叠片台、叠片机械手、以及隔膜放卷机构，其中，所述叠片机械手一次性搬运多片极片，在经过极片纠偏后搬运至多片叠片台，所述多片叠片台和隔膜放卷机构配合，同时叠多片电芯。
一种多片叠片台多片极片叠片装置

[发明专利]双极型电磁式扫描微镜-CN201210170261.9无效
发明人：尚正国;李东玲;温志渝;陈李;温中泉 -专利权人：重庆大学
申请日： 2012-05-29 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极型电磁式扫描微镜，是以硅基材料为衬底，采用MEMS工艺，加工出含有微反射镜面2、双极型电磁微驱动器4、扭转梁1、角度传感器3、双极型电磁微驱动器线圈连接极5以及支撑框架6的双极型电磁式扫描微镜本发明采用双极型驱动方式对微镜进行驱动，可实现吸引力和排斥力同时作用于扭转梁上，在较低的驱动电压下实现微镜的大角度扫描；由于采用双极型电磁式驱动的结构，使得其响应时间大大缩短，极大地提高了微镜的工作频率
双极型电磁式扫描

[发明专利]一种带隙基准电路-CN202111505896.5有效
发明人：殷宁淳 -专利权人：河南省科学院集成电路研究所
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种带隙基准电路，该带隙基准电路包括：基准单元，包括第一双极型晶体管和第二双极型晶体管，基准单元被配置为基于第一双极型晶体管的基极‑发射极电压与第二双极型晶体管的基极‑发射极电压之间的电压差来生成第一补偿电流；第一场效应晶体管，被配置为在其栅极和源极之间施加随温度升高的电压以在其漏极生成第二补偿电流；以及基准输出端，被配置为输出基准电位，基准电位基于一个双极型晶体管的基极‑发射极电压、第一补偿电流和第二补偿电流而被确定
一种基准电路