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[发明专利]一种原位氮化铝框架/聚合物复合材料及其制备方法-CN202111614947.8在审
发明人：向道平;伍良晴 -专利权人：海南大学
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明涉及复合材料技术领域，尤其涉及一种原位氮化铝框架/聚合物复合材料及其制备方法。所述制备方法包括：A)将铝源、固体氮源、烧结助剂及添加剂在溶剂中混匀，得到含铝悬浊液；B)将所述含铝悬浊液进行定向冷冻成型后，通过冷冻干燥获得含铝原料粉体框架；C)将所述含铝原料粉体框架在含氮气体条件下进行原位氮化反应，除碳后获得原位氮化铝框架；D)将聚合物真空浸渗进所述原位氮化铝框架后，再进行固化，得到原位氮化铝框架/聚合物复合材料。本发明通过冰模板法结合铝粉的原位氮化反应烧结，低成本、短流程的构建了具有定向网络通道的三维氮化铝框架，并在此基础上获得了具有优异热导率的氮化铝框架/聚合物复合材料。
一种原位氮化框架聚合物复合材料及其制备方法

[发明专利]利用类石墨相氮化碳原位包覆硼粉制备二硼化镁超导线材的方法-CN201810086190.1在审
发明人：李文献;王岩;闫佳;何小芳;于上家;胡业旻;朱明原;李瑛 -专利权人：上海大学
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01B12/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用类石墨相氮化碳原位包覆的硼粉制备二硼化镁超导线材的方法，将类石墨相氮化碳前驱体和硼粉充分混合后得到混合粉体；再经过热处理得到颗粒状氮化碳原位包覆的硼粉；再将类石墨相氮化碳原位包覆的硼粉和镁粉混合均匀装入金属管本发明将类石墨相氮化碳前驱体和纳米硼粉混合后热处理，实现了类石墨相氮化碳对硼粉的原位均匀包覆。后续热处理过程中层片状氮化碳对二硼化镁晶粒实现均匀掺杂，避免了采用其他碳源掺杂二硼化镁时产生的不均匀现象；同时通过氮化碳原位包覆硼颗粒的技术可以制备出晶粒连接性好、类石墨相氮化碳掺杂均匀的MgB2线材。
氮化碳石墨相硼粉原位包覆二硼化镁制备热处理晶粒超导线材前驱体线材掺杂二硼化镁超导线热处理过程充分混合复合线材后热处理混合粉体均匀包覆均匀掺杂不均匀金属管颗粒状拉丝机连接性纳米硼硼颗粒拉拔镁粉装入中层

[发明专利]一种原位增容聚酯/氮化硼复合材料的制备方法-CN201910569484.4有效
发明人：吴方娟;田红利;方辉;彭响方;耿立宏;黄岸;聂乐 -专利权人：福建工程学院
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C08G63/08 文献下载
摘要：本发明提供一种原位增容聚酯/氮化硼复合材料的制备方法，属于复合材料领域。按氮化硼与聚酯质量比为0.1%~30%，将改性氮化硼加入到环状聚酯类单体或熔体中，搅拌、超声分散均匀。通过微波辐射辅助，在较短时间内快速合成聚酯/氮化硼复合材料。其中，氮化硼经表面改性接枝活波氢，作为环状聚酯类单体开环聚合的大分子引发剂，反应过程中原位生成接枝物，该接枝物可作为复合材料的原位增容剂，有效提高氮化硼在聚酯基体中的分散及两相的界面结合。制备得到的原位增容聚酯/氮化硼复合材料有望在较低含量的填料下实现高强度、高导热。
一种原位增容聚酯氮化复合材料制备方法

[发明专利]无锂正极锂电池系统及电极原位氮化锂薄膜制备方法-CN202010872164.9有效
发明人：李立飞 -专利权人：复阳固态储能科技（溧阳）有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种无锂正极锂电池系统及电极原位氮化锂薄膜制备方法，所述无锂正极锂电池系统包括：无锂正极、无锂负极、隔膜、电解液和氮化锂薄膜层；所述氮化锂薄膜层原位生长于无锂正极或无锂负极的表面，朝向隔膜装配；其中，所述原位生长于无锂正极的表面的氮化锂薄膜层在无锂正极锂电池首周充电过程中，氮化锂分解产生锂离子，用于所述无锂正极锂电池系统的锂源；或者，所述原位生长于无锂负极的表面的氮化锂薄膜层在无锂正极锂电池首周放电过程中，氮化锂分解产生锂离子，用于所述无锂正极锂电池系统的锂源。
正极锂电池系统电极原位氮化薄膜制备方法

[发明专利]利用类石墨相氮化碳原位包覆硼粉制备二硼化镁超导块材的方法-CN201810086193.5在审
发明人：李文献;闫佳;康吉祥;何小芳;于上家;胡业旻;朱明原;李瑛 -专利权人：上海大学
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用类石墨相氮化碳原位包覆硼粉制备二硼化镁超导块材的方法，步骤如下：将类石墨相氮化碳前驱体和硼粉充分混合后得到混合粉体；再对混合粉体经过热处理得到颗粒状氮化碳原位包覆的硼粉；再将类石墨相氮化碳原位包覆的硼粉制备成所需形状的前驱体本发明将类石墨相氮化碳前驱体和硼粉混合后热处理，实现了类石墨相氮化碳对硼粉的原位均匀包覆，避免了采用其他碳源掺杂二硼化镁时产生的不均匀现象；同时通过类石墨相氮化碳原位包覆硼颗粒的技术可以制备出晶粒连接性好、类石墨相氮化碳掺杂均匀的MgB2块体材料。
氮化碳石墨相硼粉原位包覆前驱体制备二硼化镁超导块材装管复合体热处理二硼化镁混合粉体掺杂超导块体充分混合后热处理均匀包覆块体材料晶粒不均匀颗粒状连接性硼颗粒铁管镁粉密封

[实用新型]含钴硬质合金刀具-CN202020025420.6有效
发明人：李伟秋;颜炳姜;彭继华 -专利权人：汇专科技集团股份有限公司;华南理工大学;科益展智能装备有限公司广州分公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种含钴硬质合金刀具，包括刀具基体、钴氮化物原位转化层及金刚石薄膜涂层，刀具基体的基体表面层内的钴相原位转化为钴氮化物相以形成钴氮化物原位转化层，金刚石薄膜涂层涂敷于钴氮化物原位转化层外，因此基体表面层的钴相已经被转化成高温稳定的钴氮化物相，所以这些钴氮化物在金刚石薄膜涂层的制备过程中不扩散，且由于这种转变，导致含钴氮化物相与刀具基体的结合更加紧密，对于亚表面深层处未转变钴相的向外扩散形成阻挡，另一方面基体表面层内的钴相原位转化为钴氮化物相表面层结构致密，硬度增加，有利于在其表面获得高结合力的金刚石薄膜涂层。
硬质合金刀具

[发明专利]氮化硼和氮化铝增强的铝基复合材料、其制备方法及应用-CN202010657307.4有效
发明人：伍小波;刘春轩;张扬;吴云;蒋兆汝;曹柳絮 -专利权人：湖南金天铝业高科技股份有限公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C23C8/24 文献下载
摘要：本申请涉及氮化硼和氮化铝增强的铝基复合材料、其制备方法及应用。该氮化硼和氮化铝增强的铝基复合材料包括粉末冶金铝基材料预制件，于所述预制件表面原位生成的氮化铝层及于所述氮化铝层表面原位生成且与所述氮化铝层钉扎结合的氮化硼层。该氮化硼和氮化铝增强的铝基复合材料，不仅具有良好的导热性能，而且耐磨性能也较好。
氮化增强复合材料制备方法应用

[发明专利]一种抗单粒子加固的P-GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202211706458.X在审
发明人：梅博;曹爽;吕贺;孙毅;魏志超;王乾元;张洪伟 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗单粒子加固的P‑GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法，包括由下至上依次层叠的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、P型氮化物材料层、原位生长材料层和栅极；P型氮化物材料层的一侧与第一钝化层、源极依次连接，另一侧与第二钝化层、漏极依次连接；原位生长材料层设置于所述P型氮化物材料层上方两侧，两侧原位生长材料层之间露出P型氮化物材料层，两侧原位生长材料层上方部分区域及露出的P型氮化物材料层上沉积有栅极，原位生长材料层、P型氮化物材料层与所述栅极形成具有终端结构的栅极。
一种粒子加固 gan 电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]PIP结合原位生长石墨烯/氮化硼纳米管陶瓷基复合材料致密化方法-CN201810427747.3有效
发明人：罗瑞盈;闫妍 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C04B41/45 文献下载
摘要：本发明涉及一种PIP结合原位生长石墨烯/氮化硼纳米管陶瓷基复合材料致密化方法，包括步骤：在预制体表面沉积界面层，然后浸渍裂解，再原位生长石墨烯/氮化硼纳米管，得到陶瓷基复合材料初成品；将陶瓷基复合材料初成品重复浸渍裂解和/或原位生长石墨烯/氮化硼纳米管的步骤，得到原位生长石墨烯/氮化硼纳米管致密纤维增强陶瓷基复合材料。传统纤维增强陶瓷基复合材料致密化过程中由于热处理过程中气体生成造成复合材内部形成孔隙和裂纹等缺陷，影响材料的力学性能，而原位生长石墨烯/氮化硼纳米管增加材料的致密化及韧性可以显著提高复合材料性能。
pip 结合原位生长石墨氮化纳米陶瓷复合材料致密方法

[发明专利]激光微熔原位反应制备氮化钛涂层的方法-CN201810818664.7有效
发明人：邱长军;刘熊;胡良斌;刘豪;张振远;李勇作;陈勇;朱红梅 -专利权人：南华大学
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C23C8/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光微熔原位反应制备氮化钛涂层的方法，具体包括以下步骤：基材的准备、激光微熔、原位反应；激光微熔原位反应制备的氮化钛涂层，涂层与基材结合力、界面剪切强度和涂层显微硬度高，涂层分布均匀连续，表面粗糙度低，制备工艺简单、易操作，能够在工件的特殊部位高效快速制备氮化钛涂层，以满足市场需求。
激光原位反应制备氮化涂层方法

[发明专利]III族氮化物基半导体材料及其制作方法-CN202210066938.8在审
发明人：孙钱;刘建勋;孙秀建;黄应南;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种III族氮化物基半导体材料及其制作方法。所述制作方法包括：在反应室内设置III族氮化物刻蚀准备层；向所述反应室内输入卤素基源对III族氮化物刻蚀准备层的表面进行原位处理，以使所述III族氮化物刻蚀准备层表面附近产生多个III族阳离子空位缺陷；向所述反应室内输入氮源和金属源，在原位处理后的III族氮化物刻蚀准备层表面生长形成III族氮化物半导体材料层。本发明实施例提供的一种III族氮化物基半导体材料的制作方法，工艺简单，重复可控，完全适合大规模生产，采用卤素基源进行原位表面处理，可以完全兼容MOCVD等设备非常适合于高质量AlGaN等III族氮化物材料的大规模生产
iii 氮化物半导体材料及其制作方法

[发明专利]一种在多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷表面原位及非原位制备超长氮化硅纳米线的方法-CN201610060591.0有效
发明人：张幸红;董顺;潘锐群;张东洋 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：一种在多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷表面原位及非原位制备超长氮化硅纳米线的方法，它涉及一种氮化硅纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有制备超长氮化硅纳米材料存在反应条件较为苛刻，导致安全性低，需要催化剂，导致纯度低，设备要求高、工艺复杂、成本高的技术问题。方法一、制备多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷；二、热处理，即完成在多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷表面原位及瓷方舟四壁非原位制备超长氮化硅纳米线的方法。优点一、于常压下就可以制备出长达数毫米甚至是厘米级级别的超长氮化硅纳米线，且超长氮化硅纳米线呈现直线状；二、操作过程较为简单、安全系数高。本发明主要用于制备超长氮化硅纳米线。
一种多孔粉体状碳化硅硅烷表面原位制备超长氮化纳米方法

[发明专利]一种原位合成氮化硼纳米片-纳米管复合材料及其制备方法-CN202010596614.6有效
发明人：王恒;徐慢;季家友;朱丽;王树林;沈凡;戴武斌;陈常连 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位合成氮化硼纳米片‑纳米管复合材料及其制备方法。其制备为：在去离子中依次加入氮化硼纳米片、螯合剂和镍盐，搅拌、超声、过滤、真空干燥，得锚定催化剂的氮化硼纳米片，其中氮化硼纳米片、螯合剂和镍盐的物质的量之比为1：5～25：25～50；然后将锚定催化剂的氮化硼纳米片置于化学气相沉积系统中，以环硼氮烷为前驱体，以氩气为载流气体，在1000～1200℃热处理反应1～3h，得到原位合成的氮化硼纳米片‑纳米管复合材料。该方法可在氮化硼纳米片上原位生长氮化硼纳米管，所得复合材料结构稳定，界面结合较强，纳米管长径比较大，且制备简单，重复性好，可推动氮化硼纳米材料在先进复合材料领域的应用。
一种原位合成氮化纳米复合材料及其制备方法

[发明专利]一种碳纤维原位负载氮化镓负极材料、制备方法及锂离子电池-CN201910152943.9有效
发明人：胡艳玲;邹智敏;姜春海;纪华羽;朱玉琴;刘少康 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种碳纤维原位负载氮化镓负极材料的制备方法，以碳纤维布为衬底，在衬底的正反两面均形成一层金膜；以乙酰丙酮镓为前驱体，利用CVD法在覆有金膜的衬底上生长氮化镓纳米线，得到具有柔性自支撑结构的碳纤维原位负载氮化镓负极材料氮化镓纳米线在碳纤维表面原位生长，均匀性和结合力好，可应用于锂离子电池负极材料。且氮化镓纳米线的长度可控，有利于获得高电池比容量和倍率性能的负极材料。
一种碳纤维原位负载氮化负极材料制备方法锂离子电池

[发明专利]一种稀土永磁材料表面耐蚀涂层及其制备方法-CN202210199175.4在审
发明人：金佳莹;俞钧耀;缪之恺;冯海龙;谢清松;严密 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开一种稀土永磁材料表面耐蚀涂层及其制备方法，通过磁控溅射和原位氧化/氮化处理在稀土永磁材料表面形成稀土氧化物/氮化物薄层。其制备方法包括如下步骤：(1)采用真空磁控溅射的方法，在稀土永磁材料表面沉积高丰度轻稀土La/Ce/Y/Nd单层膜或多层复合膜；(2)采用气氛热处理的方法，原位氧化/氮化生成表面耐蚀涂层。本发明将磁控溅射和原位氧化/氮化处理相结合，形成均匀、致密、稳定的涂层，可大幅提高稀土永磁材料的耐蚀性，延长材料服役寿命。
一种稀土永磁材料表面涂层及其制备方法

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