专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]在SiC粉体上生长CeO2-CN202211175464.7在审
  • 肖玉彤;王君君;徐慢;朱丽;白蕾 - 武汉工程大学;化学与精细化工广东省实验室潮州分中心
  • 2022-09-26 - 2023-01-06 - C01F17/10
  • 本发明公开了一种在SiC粉体上生长CeO2纳米棒的方法及其制备的SiC负载CeO2纳米棒复合结构。方法包括以下步骤:(1)将SiC粉体进行煅烧处理;(2)将Ce(NO3)3水溶液和NaOH溶液混合并在常温下搅拌,制备前驱体溶液;然后,将煅烧后的SiC粉体加入到前驱体溶液中继续搅拌,得到混合浆料;(3)将混合浆料进行水热反应,反应冷却后抽滤分离、洗涤、干燥,得到中间产物粉体;(4)将中间产物粉体在空气气氛下进行高温煅烧,冷却后得到生长有CeO2纳米棒的SiC粉体。本发明生长的CeO2为纳米棒结构,而非多晶颗粒,比表面积大、催化活性高且利用率高;合成工艺简单、制备周期较短,有利于规模化批量生产。
  • sic粉体上生长ceobasesub
  • [发明专利]一种双过渡金属氧化物催化制备氮化硼纳米管的方法-CN202110961581.5有效
  • 王恒;李哲成;杨小晗;曾义;刘凯;徐慢 - 武汉工程大学
  • 2021-08-20 - 2022-12-27 - C01B21/064
  • 本发明公开了一种双过渡金属氧化物催化制备氮化硼纳米管的方法,属于无机纳米材料领域。其步骤为:1)在去离子水中依次加入硼粉、两种过渡金属硝酸盐和沉淀剂,搅拌均匀,进行水热反应,过滤、真空干燥,然后在空气气氛中,280~300℃温度下热处理1~3h,得到双过渡金属氧化物‑硼前驱体;2)将所得双过渡金属氧化物‑硼前驱体置于化学气相沉积系统中,在氨气气氛下升温至一定温度进行热处理反应,随后自然冷却至室温,得到高品质的氮化硼纳米管。该方法以双过渡金属氧化物为催化剂,所得氮化硼纳米管纯度高,不含氮化硼颗粒等杂质,产率大;制备方法简单,可重复性好,可实现氮化硼纳米管的批量和稳定制备。
  • 一种过渡金属氧化物催化制备氮化纳米方法

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