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[发明专利]厚体硅反射式单级衍射光栅的制作方法-CN201610258571.4有效
发明人：朱效立;施百龄;谢常青;华一磊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种厚体硅反射式单级衍射光栅的制作方法。所述方法是先利用电子束直写光刻制备薄硅反射式单级衍射光栅，再利用晶圆低温键合工艺，把薄硅反射式单级衍射光栅与厚体硅键合，形成厚体硅反射式单级衍射光栅。本发明解决了现有技术中无法制作厚体硅反射式单级衍射光栅的技术问题，而且，本发明的厚体硅反射式单级衍射光栅的制作方法的键合过程不要高压、高温环境，且制作方法简单，从而能够适用于大批量生产。
厚体硅反射式单级衍射光栅制作方法

[发明专利]一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜及其制备方法-CN202010705386.1在审
发明人：方青;胡鹤鸣;邵瑶;张馨丹;顾苗苗;陈华;陈晓峰 -专利权人：昆明理工大学;国网上海能源互联网研究院有限公司;哈尔滨众达电子有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜及其制备方法，属于半导体制备技术领域。本发明所述低应力硅基厚膜包括衬底硅层、硅氧化物层，包覆层和硅基厚膜层，衬底硅层上设有硅氧化物层，硅氧化物层上沉积有硅基厚膜层，硅基厚膜层上设有网格状沟槽，网格状沟槽将硅基薄膜分割成数个独立单元，网格状沟槽内填充有包覆层；本发明所述硅基厚膜可以改善厚膜内部所受应力不均匀的情况，减小厚膜应力，增大了所沉积的厚膜的最大厚度，能够实现器件的大规模生产。
一种基于绝缘体应力硅基厚膜及其制备方法

[实用新型]一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜-CN202021442683.3有效
发明人：方青;胡鹤鸣;邵瑶;张馨丹;顾苗苗;陈华;陈晓峰 -专利权人：昆明理工大学;国网上海能源互联网研究院有限公司;哈尔滨众达电子有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜，属于半导体制备技术领域。本实用新型所述低应力硅基厚膜包括衬底硅层、硅氧化物层，包覆层和硅基厚膜层，衬底硅层上设有硅氧化物层，硅氧化物层上沉积有硅基厚膜层，硅基厚膜层上设有网格状沟槽，网格状沟槽将硅基薄膜分割成数个独立单元，网格状沟槽内填充有包覆层；本实用新型所述硅基厚膜可以改善厚膜内部所受应力不均匀的情况，减小厚膜应力，增大了所沉积的厚膜的最大厚度，能够实现器件的大规模生产。
一种基于绝缘体应力硅基厚膜

[发明专利]硅结构体及其制造方法和装置及使用硅结构体的太阳电池-CN96111130.5无效
发明人：澁谷宗裕;北川雅俊;向井裕二;吉田哲久 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1996-08-22 - 公布日： 2002-04-03 - 主分类号： H01L31/0248 文献下载
摘要：一种对太阳电池有用的太阳光线反射小的硅结构体。在石英基片的整个表面上淀积厚约1μm的Mo形成下部电极。使用已加有BCl3的Si2Cl6，通过以硅为主要成分的膜，在下部电极的整个表面上形成由不规则取向的以硅为主要成分的许多圆柱形硅的聚合构成的厚30～40μm的P型硅结构体。借助使用POC13的热扩散法将P扩散到P型硅结构体的表面上，在圆柱形硅的外周部分形成n型区。由厚30～40μm的铟-锡氧化物构成的透明电极形成在P型硅结构体的整个表面上，由厚约1μm的A1构成的上部分电极形成在透明电极上。$
结构及其制造方法装置使用太阳电池

[发明专利]一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜的制备方法-CN200710042360.8有效
发明人：王根水;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2007-06-21 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： C04B41/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜材料的制备方法，属于信息功能材料与器件领域。本发明方法包括先驱体溶液的配置，即将醋酸铅，异丙醇锆，正丙醇钛先驱材料加人乙二醇甲醚等溶剂中，采用聚乙烯醇和乙酰丙酮控制粘度和稳定度，在干燥气氛下配制成均匀稳定透明的先驱体溶液。然后在硅基衬底上通过甩胶、干燥、退火等过程制备所需厚度的铁电厚膜材料。本发明通过引入缓冲层减缓了由于铁电厚膜材料和硅基衬底的热膨胀系数差异引起的热应力，实现了硅基衬底上铁电厚膜材料的制备。本发明的硅基铁电厚膜材料可以用于硅基的铁电、压电、热释电等微型集成器件的研制。
一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜制备方法

[发明专利]一种精准控温的电烹饪锅及其精准控温方法-CN201611146569.4在审
发明人：卢德纯 -专利权人：佛山吉宝信息科技有限公司
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： A47J27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种精准控温的电烹饪锅，包括锅体和设置在锅体底部的底座，锅体底面设有厚膜加热装置和温度传感装置；所述锅体的底部还设有主机座，主机座内部形成电器腔；所述电器腔内设有主控板和可控硅，主机座上设有操控面板，所述操控面板、可控硅和温度传感装置分别与主控板电性连接，厚膜加热装置与可控硅电性连接。本发明还公开了一种电烹饪锅的精准控温方法，电烹饪锅在烹饪时，通过可控硅调节厚膜加热装置的供电功率以精准得到所需的烹饪温度。本电烹饪锅的厚膜加热装置工作时，不会向外辐射热量，底座温升低，用户使用体感更好，热效率更高能够达到96%以上，能够实现精准控温。
一种精准烹饪及其方法

[发明专利]单晶硅生长装置及单晶硅生长方法-CN202010162411.6有效
发明人：卢哲玮;薛抗美 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅生长装置及单晶硅生长方法，单晶硅生长装置包括：容器，容器为二氧化硅件，容器内限定出用于容纳硅熔体的容纳腔，在沿容器的径向向内的方向上，容器的壁厚增大。根据本发明实施例的单晶硅生长装置，通过将用于容纳硅熔体的容器设置呈在容器的径向向内的方向上，容器的壁厚增大，可以增强容器的保温作用，使得容器内的硅熔体的温度增加，从而可以增加氧的溶解度，从而可以增加硅熔体的氧含量，进而可以增加生长出的单晶硅的氧含量。
单晶硅生长装置方法

[发明专利]选择性等离子体处理方法-CN200680001355.6有效
发明人：佐佐木胜 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-09-21 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种选择性等离子体处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，使含氧等离子体对在表面上具有硅和氮化硅层的被处理体进行作用，选择性地对硅进行氧化处理，使得在氮化硅层中形成的氧氮化硅膜的膜厚相对于所形成的硅氧化膜的膜厚的比率为
选择性等离子体处理方法

[发明专利]一种CMOS图像传感器制造方法-CN201210508955.9有效
发明人：李琛;顾学强 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器制造方法，包括提供SOI衬底，所述SOI衬底包括薄体硅衬底，厚体硅衬底以及二氧化硅层；在所述薄体硅衬底上依次形成感光二极管区及第一金属键合层；沿所述二氧化硅层将所述厚体硅衬底剥离；提供体硅衬底，所述体硅衬底包括感光二极管对应区及其他电路区；在所述体硅衬底上的感光二极管对应区依次形成多晶硅层、至少一层金属互连层，并在顶层金属互连层上方形成第二金属键合层；以及对所述第一薄体硅衬底与所述体硅衬底进行金属键合
一种 cmos 图像传感器制造方法

[发明专利]一种底部厚氧沟槽MOSFET器件的制造方法-CN202111067785.0在审
发明人：崔同;朱开兴;万兴兴 -专利权人：济南市半导体元件实验所
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种底部厚氧沟槽MOSFET器件的制造方法，包括：在重掺杂的衬底上生长设定掺杂浓度和厚度的外延层，在外延层形成沟槽；在所述沟槽表面形成厚氧化层，再沉积多晶硅填满沟槽；将沟槽内多晶硅刻蚀至设定高度，采用湿法刻蚀沟槽表面的厚氧化层，以实现侧壁厚氧化层刻蚀干净，底部沟槽厚氧化层保留；然后刻蚀多晶硅直至多晶硅表面与厚氧表面平齐；生长栅氧化层，形成MOSFET器件。本发明不需要用到高密度等离子体设备和化学机械研磨设备等相对昂贵的工艺设备，可以降低制造成本，同时达到底部厚氧沟槽MOSFET器件具备的优势效果。
一种底部沟槽 mosfet 器件制造方法

[发明专利]一种高精度硅基压阻式压力传感器-CN202110217698.2在审
发明人：杨浩;徐鑫;郑东飞;袁海 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G01L9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度硅基压阻式压力传感器，属于硅基集成压力传感器设计技术领域。包括厚膜陶瓷基板，厚膜陶瓷基板的正面设有气压检测口，厚膜陶瓷基板的背面设有陶瓷封装体，陶瓷封装体内部的厚膜陶瓷基板区域上设有硅基压力传感器芯片和伺服电路；其中，硅基压力传感器芯片通过键合方式实现电气连接本发明所述高精度硅基压阻式压力传感器，具有温度补偿功能，减小补偿误差，能够满足高精度应用场合的技术需求。
一种高精度硅基压阻式压力传感器

[实用新型]一种精准控温的电烹饪锅-CN201621370069.4有效
发明人：卢德纯 -专利权人：佛山吉宝信息科技有限公司
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： A47J27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种精准控温的电烹饪锅，包括锅体和设置在锅体底部的底座，锅体底面设有厚膜加热装置和温度传感装置；所述锅体的底部还设有主机座，主机座内部形成电器腔；所述电器腔内设有主控板和可控硅，主机座上设有操控面板，所述操控面板、可控硅和温度传感装置分别与主控板电性连接，厚膜加热装置与可控硅电性连接。本实用新型还公开了一种电烹饪锅的精准控温方法，电烹饪锅在烹饪时，通过可控硅调节厚膜加热装置的供电功率以精准得到所需的烹饪温度。本电烹饪锅的厚膜加热装置工作时，不会向外辐射热量，底座温升低，用户使用体感更好，热效率更高能够达到96%以上，能够实现精准控温。
一种精准烹饪

[发明专利]硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺-CN201310715286.7有效
发明人：李俊;陈杰;黄蕴;寇春梅 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺，其特征是，采用以下工艺步骤（1）在硅基片表面溅射生长4μm厚的金属层；（2）在金属层表面涂光刻胶，曝光、显影得到光刻图形；（3）将硅基片放入等离子体设备中，通入氧气，氧气流量为700~900sccm，控制等离子体处理工艺保证光刻胶的去胶量为100~150nm，等离子体处理功率为100~300W，温度为240~260℃，处理时间为20~40秒。本发明所述硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺在硅基片湿法刻蚀前进行处理，采用等离子体去胶设备完成，解决了湿法刻蚀可能存在的刻蚀不干净的情况，保证湿法刻铝的刻蚀容宽。
硅基片厚金属刻蚀处理工艺

[发明专利]一种低栅源电容的UMOS器件结构及制备方法-CN201711064656.X在审
发明人：杨丰;吴昊;付晓君;向凡;郑直 -专利权人：中电科技集团重庆声光电有限公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种低栅源电容的UMOS器件结构及制备方法，该结构包括N型衬底；设置于所述N型衬底表面的N型外延层；设置于所述N型外延层表面的P型体区；设置于所述P型体区表面的N+型源区；贯穿所述N+型源区和P型体区且位于N型外延层内的沟槽；生长于沟槽底部的底部厚氧栅；该底部厚氧栅位于N型外延层内；生长于底部厚氧栅表面和沟槽侧壁上的侧壁栅氧；形成于侧壁栅氧表面且填充于沟槽内的多晶硅；多晶硅顶部两侧通过刻蚀形成栅极结构；生长于侧壁栅氧表面且填充于被刻蚀的多晶硅部分的侧壁厚栅氧。本发明在传统UMOS流片工艺步骤的基础上，只需增加多晶硅再次刻蚀和侧壁厚栅氧生长两个工艺步骤，便有效地降低了UMOS的栅源电容。
一种低栅源电容 umos 器件结构制备方法

[发明专利]提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法-CN201310561925.9有效
发明人：张翔 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法，包括：步骤1、在基板（10）上形成非晶硅层（30）；步骤2、将非晶硅层（30）划分为数个区域，测量非晶硅层（30）各区域的膜厚；步骤3、将各区域的测量膜厚分别与预定膜厚进行比较，对于测量膜厚大于预定膜厚的区域定义为膜厚偏厚区域（42），并进行标示；步骤4、对膜厚偏厚区域（42）的非晶硅层（30）喷洒蚀刻液进行清洗，以蚀刻掉膜厚偏厚区域（42）处的部分非晶硅层（30），同时对其它区域喷洒纯水进行清洗，进而使得非晶硅层（30’）各区域的膜厚趋于一致；步骤5、对清洗后的非晶硅层（30’）进行激光退火处理，以使非晶硅层（30’）结晶形成多晶硅层（60）。
提升多晶均一制作方法

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