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[发明专利]一种掺硼金刚石薄膜制备方法-CN202010380094.5有效
发明人：玄真武;张怡 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺硼金刚石薄膜制备方法。在沉积腔体内CVD金刚石沉积条件满足沉积要求后，将沉积腔体内用于盛装单质硼的坩埚加热至使单质硼发生升华的升华调控温度；然后根据所述升华调控温度、沉积腔体内硼的蒸气压之间的第一对应关系及沉积腔体内硼的蒸气压与沉积腔体内硼浓度的第二对应关系确定所述升华调控温度与沉积腔体内硼浓度的第三对应关系，进而通过调节所述升华调控温度实现沉积腔体内掺杂硼浓度的调节，实现沉积腔体内CVD金刚石沉积条件不变的情况下，通过单独升华调控温度实现控制硼源的掺杂浓度，保证沉积及掺杂效果佳，而且控制简单，操作安全、方便
一种金刚石薄膜制备方法

[发明专利]碳化硼纯化方法-CN201911305909.7有效
发明人：刘媛;薛平;董明 -专利权人：赛福纳米科技（徐州）有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C01B32/991 文献下载
摘要：一种碳化硼纯化方法，属于材料提纯技术领域。该碳化硼纯化方法包括以下步骤：S1，去除待纯化碳化硼中金属杂质；S2，将步骤S1得到的碳化硼放入纯化腔体，将过量氧化硼放入预热腔体；S3，自预热腔体向纯化腔体持续通入氩气，然后分别加热纯化腔体和预热腔体至设定温度，氧化硼受热产生氧化硼蒸气，随氩气气流进入纯化腔体，与碳化硼中杂质游离碳、单质硼、单质硅反应，未反应的过量氧化硼蒸气进入冷凝腔体，冷凝结晶，尾气一氧化碳经长明火消除；S4，在预热腔体中氧化硼耗尽后，继续通氩气吹扫一段时间，之后停止加热，自然冷却至室温，之后停止通气，打开纯化腔体取出已纯化的碳化硼。本发明利用氧化硼高温气化、碳热还原反应的特性，对碳化硼进行纯化。
碳化纯化方法

[发明专利]一种结合剂、立方氮化硼聚晶复合片及其制备方法-CN201710904519.6在审
发明人：王丽娜;周青 -专利权人：河南海纳德新材料有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C04B35/63 文献下载
摘要：本发明提供一种结合剂、立方氮化硼聚晶复合片及其制备方法，该结合剂包括：金属铝、二氧化硅、碳化硅、二硼化钛、硅化钛、金属钛和氮化钛，在烧结过程中，金属铝和二氧化硅发生反应形成氧化铝和硅单质，氧化铝和硅单质的熔点都远高于金属铝，而且硅单质还具有良好的导热性能；如此，该结合剂可以有效克服金属结合剂和陶瓷结合剂的缺点，用于制备立方氮化硼聚晶复合片过程中，可以有效提高刀具的硬度、韧性及导热性能，具有广阔的适应性。
结合剂聚晶复合片立方氮化硼硅单质金属铝制备导热性能二氧化硅氧化铝熔点金属结合剂陶瓷结合剂二硼化钛烧结过程氮化钛硅化钛金属钛碳化硅刀具

[发明专利]一种修复剂及修复方法-CN201711208033.5在审
发明人：刘美红;张育;毛艳玲;付起;孙玉文 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： C23C24/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种修复剂及修复方法，该修复剂包括粉末和金属胶，其中，所述粉末与所述金属胶的体积比为1:1～1:2.5；所述粉末包括以下质量分数的组分：0.32％～0.39％的单质碳、0.20％～0.30％的单质硅、1.23％～1.33％的单质锰、0.001％～0.007％的单质钒、0.045％～0.055％的单质硼以及97.918％～98.204％的单质铁。
修复剂金属胶修复快速修复质量分数单质硅单质锰单质硼单质碳单质铁体积比单质光杆

[发明专利]化合物钠锶硼硫和钠锶硼硫中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用-CN202310199583.4在审
发明人：潘世烈;云艺涵;李广卯 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-03-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01B35/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物钠锶硼硫和钠锶硼硫红外非线性光学晶体及制备方法和应用。该化合物的化学式为NaSrBS3，分子量为217.60，为钠锶硼硫单晶颗粒，该晶体的化学式为NaSrBS3，分子量为217.60采用将单质钠、硫化钠、硫化锶、单质硼和单质硫在真空条件下进行固相反应；所述的钠锶硼硫红外非线性光学晶体的纯样XRD图与理论值吻合；所述的钠锶硼硫红外非线性光学晶体具有较大的双折射率；在2090nm的激光下
化合物钠锶硼硫钠锶硼硫中远红外非线性光学晶体制备方法应用

[发明专利]一种盐酸辅助液相氧化制备高结晶度和厚度均一硼烯的方法-CN202110505904.X有效
发明人：刘宗怀;张锋;贾聪颖 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C01B35/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种盐酸辅助液相氧化制备高结晶度和厚度均一硼烯的方法，该方法以层状二硼化镁为硼源，乙腈为溶剂，碘单质为氧化剂，在惰性气氛及加入盐酸条件下常温搅拌反应，碘单质氧化负电性硼层，盐酸促使层间镁离子以离子交换、螯合配位的方式从层间去除，进而超声剥离制得纳米片状硼烯。本发明所得硼烯结构有序度高，纳米片厚度为2.92～5.32nm，横向尺寸为100nm～1.5μm。本发明反应条件温和、生产成本低、无需高真空环境且不需要添加制备基底物，可实现高结晶度和厚度可调控硼烯的制备。
一种盐酸辅助氧化制备结晶度厚度均一方法

[发明专利]一种碳纸及其制备方法-CN202210442143.2有效
发明人：邵勤思;王曙立;容忠言;张久俊;元铭;陈韵旋;施士凯 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： D21H27/00 文献下载
摘要：该制备方法包括：将碳纸骨架层置于含硼浸渍液中，浸渍预设时间后取出，经处理得到碳纸，其中，含硼浸渍液包括热固性树脂、醇和含硼物质；含硼物质占含硼浸渍液的1wt%‑7wt%，含硼物质包括硼单质，硼单质占含硼物质的质量分数不小于
一种及其制备方法

[发明专利]一种聚晶立方氮化硼的真空钎焊方法-CN201610014650.0有效
发明人：卢金斌;殷振;王广勋;朱其新;刘威;穆云超;马明星;齐芳娟 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：一种聚晶立方氮化硼的真空钎焊方法，本发明属于超硬材料刀具制作领域。本发明所需材料为刀体、单质金属粉和聚晶立方氮化硼。首先将聚晶立方氮化硼、硬质合金放入丙酮溶剂中利用超声波清洗机进行清洗，采用球磨Al、Co、Cr、Fe、Ni、Ti单质金属粉方法制备AlCoCrFeNiTi高熵合金作为钎料，用于真空钎焊聚晶立方氮化硼。钎料中的Ti能够与聚晶立方氮化硼中的氮化硼、陶瓷相发生化学冶金结合，实现了良好的润湿，钎缝中生成了高熵合金，因此制造的刀具可用于高效加工高韧性的金属材料。
一种立方氮化真空钎焊方法

[发明专利]一种高硬度铁磁性α-MnB的制备方法-CN202010515464.1在审
发明人：马帅领;崔田;包括;陶强;朱品文 -专利权人：吉林大学
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明的一种高硬度铁磁性α‑MnB的制备方法属于高力学强度磁性锰硼陶瓷材料制备的技术领域，以锰粉、硼粉两种单质为原料，经原料混合、压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得α‑MnB块状材料。本发明工艺流程简单，不需要通过材料复合、掺杂、老化等复杂的合成工艺；简化了高硬度磁性材料的制备流程，缩短了材料制备周期和烧结时间；通过调节单质原料的配比、温度和压力来提高硼化锰(α‑MnB)的纯度，设计和制备出了高力学强度的磁性硼化锰
一种硬度铁磁性 mnb 制备方法

[发明专利]一种硼化锆原位复合连铸用铝碳耐火材料的制备方法-CN200910066117.9有效
发明人：李红霞;刘国齐;杨文刚;于建宾;闫广周;魏昌晟;黄辉;马天飞;王建国 -专利权人：中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司
申请日： 2009-09-02 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明属于新型耐火材料制备技术领域，提供了提供一种硼化锆原位复合连铸用铝碳耐火材料的制备方法，本发明通过在通过在铝碳材料中添加一定数量的含氧化锆、氧化硼或硼酸或氧化硼与硼酸混合物、金属铝的硼化锆先驱体，利用铝热还原技术，在一定温度下金属铝还原氧化锆和氧化硼，生成的单质Zr和单质B进一步反应生成硼化锆，即在铝碳材料中原位合成抗侵蚀性和抗氧化性好的硼化锆，不仅使材料的成本得到有效控制，而且材料的高温强度得到较大程度的提高
一种硼化锆原位复合连铸用铝碳耐火材料制备方法

[发明专利]含硼推进剂一次燃烧产物中碳化硼含量测定方法-CN201410413998.8有效
发明人：胡伟;赵志刚;肖金武;刘发龙;张先瑞;陈涛;马新刚;黄志萍 -专利权人：湖北航天化学技术研究所
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： G01N21/78 文献下载
摘要：本发明提供一种用于航天燃料领域的含硼推进剂一次燃烧产物中碳化硼（B4C）含量测定方法，按下述步骤进行：1）研磨、过筛得到制备好的样品；2）检测燃烧产物中单质B、B2O3和B4C中总硼含量；3）检测燃烧产物中单质B和B2O3的硼含量；4）计算燃烧产物中B4C的含量。
燃烧产物含量测定一次燃烧碳化硼推进剂单质航天燃料研磨难溶物检测按下过筛炭黑总硼制备

[发明专利]一种钼镍铬硼多元硼化物基金属陶瓷的制备方法-CN201310425182.2有效
发明人：尹海清;易善杰;曲选辉;殷小龙;范惠洋 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2013-09-17 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种以四方结构M3B2(M=Mo,Ni,Cr)多元硼化物为硬质相的金属陶瓷的制备方法，属于工、模具等耐磨材料领域。主要制备工艺为：以单质钼粉、羰基镍粉、无定形硼粉和单质铬粉为原料，经过球磨混合、干燥、成形和烧结步骤制得了多元硼化物基金属陶瓷，其硬质相为四方结构的M3B2(M=Mo,Ni,Cr)，粘结相为NiMo合金与传统的“硼化反应烧结法”相比，此方法均采用单质粉作原料、原材料广泛，其工艺具有简单、制造成本相对低廉等特点。
一种钼镍铬硼多元硼化物基金陶瓷制备方法

[发明专利]低温熔融反应制备硼化物的方法及制得的硼化物和应用-CN202011415689.6在审
发明人：丁军伟;方少明;姬东方;吴诗德;王诗文;柳文庆;平丹;罗河伟;高可政;闫继;王恒;韩莉锋;郭东杰;杨许召 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温熔融反应制备硼化物的方法及制得的硼化物和应用，该方法以熔融碱金属氯化物为反应介质，以过渡金属氯化物和氯化铝为金属源，以硼氢化钠为硼源，通过在熔融碱金属氯化物中发生反应，得到具有不同金属组分的硼化物；该低温熔融反应法克服了直接用过渡金属粉末、单质铝粉末和单质硼粉末高温固相反应合成相应的硼化物时存在的非常严重的挥发损失问题，进而能得到预期摩尔比的硼化物，制备的硼化物用作锌离子电池正极材料时，比容量高于
低温熔融反应制备硼化物方法应用

[发明专利]一种以单质粉体为起始原料的碳化硼-碳化硅复合陶瓷及其制备方法-CN201610216301.7有效
发明人：张志晓;张晓荣;王为民;傅正义;何强龙;王爱阳 -专利权人：河北工程大学
申请日： 2016-04-06 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C04B35/563 文献下载
摘要：本发明涉及一种以单质粉体为起始原料的具有晶间‑晶内复合增韧结构的碳化硼‑碳化硅复合陶瓷及其低温快速制备方法，属于陶瓷材料技术领域。其制备方法由硼粉、碳粉和硅粉三元单质粉体经过机械化学过程后，再由放电等离子烧结技术低温快速烧结而得到，所获取复合陶瓷中碳化硼与碳化硅质量比为9:1‑1:9。本发明制备出的碳化硼‑碳化硅复合陶瓷不仅具有高致密度，还具有晶间‑晶内复合增韧结构，这种特殊的结构可大幅度提高陶瓷基体断裂韧性。因此，本发明可以在较低温度下快速制备出具兼具高硬度和高韧性的碳化硼‑碳化硅复合陶瓷，克服碳化硼‑碳化硅复合陶瓷烧结温度过高，硬度和韧性难以同时提高的缺点。
一种单质起始原料碳化碳化硅复合陶瓷及其制备方法

[发明专利]硼硫化钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用-CN201810618675.0有效
发明人：潘世烈;李广卯;武奎;李昊;杨志华 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种硼硫化钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用，该晶体的化学式为BaB2S4，分子量为287.20，非中心对称结构单晶采用将硫化钡或单质钡，单质硼，单质硫在真空条件下进行固相反应法和高温熔融法制备粉末纯样和单晶；通过本发明所述方法获得的硼硫化钡中远红外非线性光学晶体的纯样XRD图与理论值吻合；在2090nm的激光下，倍频效应是
硫化钡红外非线性光学晶体制备方法应用