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[发明专利]一种立方氮化硼用粘结剂、聚晶复合刀具及其制备方法-CN201710946575.6在审
发明人：王丽娜;周青 -专利权人：河南海纳德新材料有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： C04B35/63 文献下载
摘要：本发明提供一种立方氮化硼用粘结剂、聚晶复合刀具及其制备方法，该粘结剂包括金属铝、二氧化硅、氧化铬、二硼化钛和氮化钛，其中，金属铝和二氧化硅在烧结过程中发生反应形成氧化铝和硅单质，氧化铝的熔点远高于金属铝，硅单质又具有良好的导热性，如此，该粘结剂可以有效克服金属粘结剂和陶瓷粘结剂的缺点，用于制备立方氮化硼聚晶复合刀具过程中，可以有效提高刀具的硬度、韧性及导热性能，具有广阔的适应性。
粘结剂立方氮化硼复合刀具金属铝聚晶制备二氧化硅硅单质氧化铝导热性熔点金属粘结剂陶瓷粘结剂导热性能二硼化钛烧结过程氮化钛氧化铬刀具

[发明专利]一种晶体硅的制备方法及晶体硅-CN201610227091.1有效
发明人：罗鸿志;胡动力;何亮 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2016-04-13 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体硅的制备方法，包括以下步骤在晶体硅生长用坩埚内装填硅料，同时向坩埚内放入掺杂剂，并将坩埚放入用于晶体硅生长的炉子内，所述掺杂剂包括硼掺杂剂和铟掺杂剂，硼掺杂剂为含有硼元素的单质、合金和氮化物中的一种或多种，铟掺杂剂为含有铟元素的单质、合金和氮化物中的一种或多种，硼、铟元素在硅料中的原子体积浓度分别为1014‑1017、1014‑1018atmos/cm3；在保护气氛下，加热使坩埚内的硅料和掺杂剂完全熔化得到硅熔体本发明能解决现有技术中硼镓共掺制得的晶体硅的少子寿命低、晶体硅收率较低的问题。本发明还提供了一种晶体硅。
一种晶体制备方法

[发明专利]一种直接转化合成硼皮氮芯多晶金刚石制备方法-CN201811558053.X有效
发明人：张相法;位星;赵海军;王永凯;薛磊;刘红伟 -专利权人：郑州中南杰特超硬材料有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种直接转化合成硼皮氮芯多晶金刚石制备方法，包括以下步骤：步骤A、石墨净化处理；步骤B、氮化硼/硼单质/C3N4净化处理；步骤C、合成柱制备；步骤D、真空处理；步骤E、高温高压合成；步骤F、本发明的有益效果是：本发明硼皮氮芯的多晶金刚石合成方法，在高温高压条件下无任何添加剂，利用石墨+氮化硼/硼单质/C3N4
一种直接转化合成硼皮氮芯多晶金刚石制备方法

[发明专利]一种低成本高性能聚晶立方氮化硼刀具材料-CN201911144764.7在审
发明人：朱玉梅;李志宏;纪焕丽;孙坤 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： C04B35/5831 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本高性能聚晶立方氮化硼刀具材料，原料组成及质量百分比为70～90wt％的立方氮化硼粉体、2～10wt％的六方氮化硼粉体、8～28wt％的添加剂粉体。立方氮化硼由0.1～20μm中的至少2～3种不同粒度级配构成；六方氮化硼的粒度小于1μm；添加剂的粒度小于0.5μm；添加剂的原料组成为：①Al、Nb、Ti、Zr、Ni、Si金属单质的至少两种；②Al、Nb、Ti、Zr、Ni、Si金属单质的硼化物、氮化物或碳化物粉体中的至少两种；③氧化锂、氮化锂、氧化镁、氧化硼粉体中的至少两种；均按任何比例混合；①、②、③类原料按照2～10︰2～8︰4～10的质量份数复合
一种低成本性能立方氮化刀具材料

[发明专利]一种稀土或碱土六硼化物纳米粉体的制备方法及应用-CN202011249630.4有效
发明人：钟胜奎;肖立华 -专利权人：海南热带海洋学院
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：一种稀土或碱土六硼化物纳米粉体的制备方法及应用，所述制备方法为：（1）将稀土盐或碱土盐与硼源和低熔点单质金属混合后，研磨均匀，在真空或惰性气氛下，进行升温加热反应，冷却至室温，得初产物；（2）将初产物在水中进行超声振荡，分离单质金属沉淀，滤液过滤，水洗，干燥，即成。将所述稀土或碱土六硼化物纳米粉体应用于制备阴极电子发射体、太阳能光热转换或海水淡化领域。本发明方法所得纳米粉体形貌规则、晶粒可控、尺寸均匀、纯度高、结晶性好、易于分散，本发明方法原料来源广、可回收利用，简单可控，成本低，反应温度低、真空或常压下反应，原子扩散路径短，硼源流失少、反应完全，且反应时间短
一种稀土碱土六硼化物纳米制备方法应用

[发明专利]一种掺杂激光石墨烯材料及其制备方法-CN202210960536.2在审
发明人：赵楠;解洪兴;何新 -专利权人：北京亥素科技有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C08J7/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种掺杂激光石墨烯材料的制备方法，该方法通过激光将含有纤维素和前驱体的基材层转化激光诱导石墨烯，将掺杂物质铁系元素化合物、锰化合物、氮化合物、硼化合物、硼单质、磷化合物、金化合物、银化合物、金单质、银单质、硫化合物等引入激光诱导石墨烯基材。石墨烯功能层还含有金属化合物、金属单质、含氮官能团激光诱导石墨烯、含磷官能团激光诱导石墨烯、含硫官能团激光诱导石墨烯、含硼官能团激光诱导石墨烯中等杂化物质。
一种掺杂激光石墨材料及其制备方法

[发明专利]立方晶氮化硼烧结体-CN201980102668.8在审
发明人：石井显人;冈村克己 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C04B35/5831 文献下载
摘要：一种立方晶氮化硼烧结体，其具备30体积％以上且99.9体积％以下的立方晶氮化硼颗粒和0.1体积％以上且70体积％以下的结合相，其中，所述结合相包含选自由单质、合金、金属间化合物组成的群组中的至少一种，所述单质所述结合相包含选自由化合物以及源自所述化合物的固溶体组成的群组中的至少一种，所述化合物由选自由元素周期表的第四族元素、第五族元素、第六族元素、铝、硅、钴以及镍组成的群组中的至少一种元素和选自由氮、碳、硼以及氧组成的群组中的至少一种元素组成，或者，所述结合相包含选自由单质、合金、金属间化合物组成的群组中的至少一种，所述单质、合金、金属间化合物选自由元素周期表的第四族元素、第五族元素、第六族元素、铝、硅、钴以及镍组成的群组，并且，所述结合相包含选自由化合物以及源自所述化合物的固溶体组成的群组中的至少一种，所述化合物由选自由元素周期表的第四族元素、第五族元素、第六族元素、铝、硅、钴以及镍组成的群组中的至少一种元素和选自由氮、碳、硼以及氧组成的群组中的至少一种元素组成，立方晶氮化硼颗粒的碳含有率为0.08质量％以下，立方晶氮化硼烧结体不含有游离碳。
立方氮化烧结

[发明专利]用于晶粒细化的Al‑Nb‑B母合金-CN201380043494.5有效
发明人：哈里巴比·内登德拉 -专利权人：布鲁内尔大学
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C22C1/00 文献下载
摘要：一种制备用于细化大块合金的晶粒大小的母合金的方法，所述方法包括提供Al‑B合金并且添加单质形式的Nb以形成Al‑Nb‑B母合金的步骤。所述Al‑B合金可以通过以下方式制备：提供具有比所需更高的硼含量的Al‑B的合金并且用单质铝将其稀释。
用于晶粒细化 al nb 合金

[发明专利]制备高纯三氟化硼气体的工艺方法及设备-CN200810052091.8有效
发明人：陈光华;倪志强 -专利权人：核工业理化工程研究院华核新技术开发公司
申请日： 2008-01-17 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： C01B35/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高纯三氟化硼气体的工艺方法及设备，方法是用氟气与单质硼直接合成法生产三氟化硼气体，含杂质的三氟化硼气体经过除尘和精馏可以稳定地制备出高纯三氟化硼气体。利用本发明的方法及设备生产的三氟化硼气体纯度高、设备简单、操作方便、设备运行安全、可连续生产等优点。
制备高纯氟化气体工艺方法设备

[发明专利]一种退火制备二硼化镁超导薄膜微结构的方法-CN201310415603.3无效
发明人：孔祥东;韩立;薛虹;李建国;初明璋 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2013-09-12 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：一种电子束退火制备二硼化镁超导薄膜微结构的方法，该方法采用电子束在真空中对具有微结构图形的二硼化镁前驱膜进行退火。所述的具有微结构图形的二硼化镁前驱膜为采用掩模法制备的Mg/B多层膜，在秒数量级的退火时间内使前驱膜中的镁、硼单质发生化学反应，最终生成转变温度高于35K的二硼化镁超导薄膜微结构。
一种退火制备二硼化镁超导薄膜微结构方法

[发明专利]二硼化钇的制备方法-CN201410140295.2有效
发明人：宋觉敏;刘华;朱剑军;王志坚;成勇;龙曾成 -专利权人：湖南稀土金属材料研究院
申请日： 2014-04-09 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种二硼化钇的制备方法，包括以下步骤：以四硼化钇和另一种含钇材料为原料，将所述四硼化钇和所述含钇材料按摩尔比为1∶0.8～1.5混合，所述含钇材料为Y和／或YH_xX=2～3；烧结所述原料得到所述二硼化钇。本发明提供的二硼化钇的制备方法以四硼化钇和含钇的单质为原料进行反应，反应条件温和，反应过程中无需保持过高的真空压即可制得纯的高达99％的二硼化钇。
二硼化钇制备方法

[发明专利]一种真空钎焊单层立方氮化硼砂轮的制作方法-CN201610014649.8有效
发明人：卢金斌;马明星;殷振;刘威;王广勋;朱其新;张旺玺;齐文春;齐芳娟 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： B23K1/008 文献下载
摘要：所述立方氮化硼磨粒具有高硬度、高热稳定性和良好的耐磨性，采用钎焊的方法可以实现磨粒与基体的高强度连接，而以添加Ti的高熵合金作为钎料用于钎焊立方氮化硼，可以实现高的连接强度，提高钎焊层的耐磨性和热稳定性，并且钎料由单质金属粉混合制成，成分容易控制。主要步骤为采用机加工的方法制备单层立方氮化硼砂轮的基体；采用单质金属粉经球磨混合制得AlAgCuFeNiTi高熵合金，作为钎料；按基体、钎料和立方氮化硼磨粒布置磨粒；采用真空钎焊，冷却后即为钎焊单层立方氮化硼砂轮
一种真空钎焊单层立方氮化硼砂制作方法

[发明专利]高纯三氯化硼-11的制备方法-CN201410212121.2有效
发明人：方治文 -专利权人：方治文
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C01B35/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯三氯化硼-11的制备方法，属于硼化合物的制备方法领域，包括原料预处理、氯化铝和三氟化硼-11反应合成三氯化硼-11、过滤、初步分离、精馏提纯、高纯三氯化硼-11产品收集、尾气处理等步骤本发明制备的高纯三氯化硼-11纯度高，可达到99.9999%以上，能够满足超大规模集成电路半导体器件制程的要求，有效提高集成电路的抗干扰和抗辐射性能，并可用作制造高纯单质硼-11同位素材料、特殊硼纤维材料及光导纤维等材料的原料
高纯氯化 11 制备方法

[发明专利]含铋的硼硅酸盐生物活性玻璃的制备方法及其应用-CN202110884720.9有效
发明人：王德平;丁晶鑫;叶松 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C03C12/00 文献下载
摘要：本发明提供一种含铋的硼硅酸盐生物活性玻璃的制备方法及其应用，属于生物医用材料领域。通过本发明的制备方法，制备出含铋单质微晶的硼硅酸盐生物活性玻璃，可以有效的提升硼硅酸盐生物活性玻璃的光热效应，同时保留了硼硅酸盐生物活性玻璃的生物活性，在骨肿瘤术后的辅助治疗、黑色素瘤术后的辅助治疗等方面具有重要的应用前景
硅酸盐生物活性玻璃制备方法及其应用

[发明专利]用于硬钎焊难于润湿的金属材料的焊剂-CN00107501.2无效
发明人：于尔根·科赫;桑德拉·维特帕尔;沃尔夫冈·韦伯;沃尔夫冈·科尔魏勒 -专利权人：德古萨股份公司
申请日： 2000-05-08 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： B23K35/363 文献下载
摘要：本发明涉及一种以无机硼化物和/或卤化物为基础的焊剂，该焊剂用于以银和铜基钎料硬钎焊难于润湿的金属材料，其特征在于它含有作为活化剂混合物的基于焊剂总量的0.01-10重量％的单质硼和0.01-10重量％的呈单质
用于钎焊难于润湿金属材料焊剂