“单结晶体”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果770037个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种锗硅异质结晶体管抗单粒子效应的加固方法-CN202010355945.0有效
发明人：张晋新;郭红霞;付军;王玉东;欧阳晓平;潘霄宇;王信;孙静 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/556 文献下载
摘要：本发明提供一种锗硅异质结晶体管抗单粒子效应的加固方法，包括：在多个锗硅异质结晶体管中筛选出符合预设电学特性的锗硅异质结晶体管作为初选锗硅异质结晶体管；对初选锗硅异质结晶体管在预设偏置电压下进行伽马射线预辐照，以获取加固锗硅异质结晶体管；在多个加固锗硅异质结晶体管中筛选出符合预设电学特性的加固锗硅异质结晶体管作为抗单粒子效应锗硅异质结晶体管；根据相同激光脉冲能量且相同偏置电压条件下，初选锗硅异质结晶体管和抗单粒子效应锗硅异质结晶体的单粒子瞬态信号差异本发明以实现不通过改变工艺和器件结构，在低成本下实现晶体管抗单粒子效应的能力提升。
一种锗硅异质结晶体管抗单粒子效应加固方法

[发明专利]GaN单结晶体及其制造方法和半导体器件及其制造方法-CN201010202934.5有效
发明人：中幡英章;藤原伸介;樱田隆;山本喜之;中畑成二;上村智喜 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-06-10 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供了GaN单结晶体及其制造方法和半导体器件及其制造方法，由此，当生长GaN单结晶体时以及当生长的GaN单结晶体被加工成基板等形式时，以及当至少单层的半导体层形成在基板形式的GaN单结晶体上以制造半导体器件时GaN晶体团(10)具有纤锌矿晶体结构，并且在30℃下，其弹性常数C11为348GPa至365GPa并且其弹性常数C13为90GPa至98GPa，或者其弹性常数C11为352GPa至362GPa。
gan 结晶体及其制造方法半导体器件

[发明专利]一种测定材料静态再结晶体积分数的方法-CN201910942464.7有效
发明人：赵宝纯;黄磊;李广龙;王晓峰;周敬;马惠霞 -专利权人：鞍钢股份有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G01N25/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种测定材料静态再结晶体积分数的方法，应用热力模拟试验机进行一组单道次压缩试验，得到应力应变曲线，进行数据拟合、微分操作，得到加工硬化率与相应的应力之间的关系曲线，从曲线中的拐点判断发生动态再结晶的临界应变εc；应用热力模拟试验机进行一组双道次压缩试验，双道次的总变形量小于单道次的变形量，且双道次压缩试验中的每一道次变形量ε0均小于单道次压缩试验确定出的动态再结晶临界应变量εc；采用多项式分别对单道次、双道次中应力应变曲线进行拟合，分别进行积分操作，得到相应的应变能；最后计算静态再结晶体积分数本发明考虑了回复、动态再结晶对静态再结晶体积分数的影响，能够更准确测定钢铁材料奥氏体静态再结晶体积分数。
一种测定材料静态再结晶体积分数方法

[发明专利]用高岭土合成的纳米级Y型沸石及其制备方法-CN03121159.3有效
发明人：周继红;闵恩泽;杨海鹰;宗保宁 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2003-03-28 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： C01B39/24 文献下载
摘要：一种由高岭土原粉晶化制得的纳米级Y型沸石，其NaY含量为30～85重％，所述沸石的一次颗粒为棒状结晶体、片状结晶体或块状结晶体，其中块状结晶体的直径为50～500nm，片状结晶体的厚度为50～200nm，棒状结晶体的直径为50～200nm、长度为100～600nm；二次颗粒由棒状结晶体或棒状结晶体与片状结晶体、块状结晶体共同构建的巢穴式球体，球体直径为1000～3000nm。
高岭土合成纳米型沸石及其制备方法

[发明专利]一种锗硅异质结晶体管的质子引发单粒子效应的测试方法-CN202211634449.4在审
发明人：郭红霞;刘益维;张凤祁;冯亚辉;潘霄宇;钟向丽;胡嘉文;白如雪 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及微电子领域，具体涉及一种锗硅异质结晶体管的质子引发单粒子效应的测试方法，其特征在于，包括：在常温条件下，对第一待测锗硅异质结晶体管组进行质子辐照，获得单粒子效应产生的第一瞬态脉冲数据；在预设温度下，对第二待测锗硅异质结晶体管组进行质子辐照，获得单粒子效应产生的第二瞬态脉冲数据，所述预设温度低于常温；基于所述第一瞬态脉冲数据和所述第二瞬态脉冲数据，分析第二锗硅异质结晶体管组在所述预设温度下质子引发单粒子效应的产生机制本发明通过分别对常温和预设温度下的锗硅异质结晶体管进行质子辐照，并对检测获得的瞬态脉冲数据对比分析，进而分析得到质子引发单粒子效应的产生机制。
一种锗硅异质结晶体质子引发粒子效应测试方法

[发明专利]一种厄他培南单钠盐结晶体及其制备方法-CN201110351370.6有效
发明人：安晓霞;吕锋;胡猛;刘军;毕光庆 -专利权人：上海希迈医药科技有限公司;江苏迪赛诺制药有限公司
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： C07D477/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种厄他培南单钠盐结晶体及其制备方法。所述的厄他培南单钠盐结晶体具有图1所示的粉末X射线衍射谱图。所述晶体的制备是先在0～5℃，将厄他培南单钠盐原料和含钠无机碱溶于水中；冷却至-2～10℃，用酸性溶液调节pH＝5～6，再加入活性炭脱色、过滤；加入甲醇，冷却至0～-40℃；滴加正丙醇，搅拌析晶；过滤，本发明提供的厄他培南单钠盐结晶体具有残留溶剂量低及稳定性好等优点；所述的制备方法具有工艺简单、制备成本低廉、适合工业化生产等优点，具有工业应用价值。
一种培南单钠盐结晶体及其制备方法

[发明专利]基于重离子微束辐照的锗硅异质结晶体管单粒子效应测试方法-CN201711248623.0有效
发明人：张晋新;郭红霞;张凤祁;王辉;张玲霞;吴宪祥;冯娟;贺王鹏;安陆 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种基于重离子微束辐照的锗硅异质结晶体管单粒子效应测试方法，主要解决现有技术无法直接表征损伤机制并精确定位敏感区域的问题。其实现方案是：选择锗硅异质结晶体管样品，测试其电学性能；制作并检验用于辐照的印刷电路PCB测试板，并对锗硅异质结晶体管器件进行试验前的去封装处理；装配辐照平台；设置重离子微束辐照试验的测试条件；进行重离子微束辐照装置的出束位置定位；设置入射重离子的种类与能量；开展重离子微束辐照试验；记录并处理全部的试验数据，获得单粒子效应敏感区域。本发明能精确定位锗硅异质结晶体管单粒子效应敏感区域，提高了实验精度，降低测试成本，可用于针对微电子器件进行宇航抗辐射能力的评估。
重离子锗硅异质结晶体管微束辐照敏感区域单粒子效应测试单粒子效应辐照试验微电子器件测试成本测试条件电学性能封装处理辐照平台辐照装置试验数据位置定位印刷电路抗辐射可用入射装配宇航损伤测试记录评估试验检验制作

[发明专利]声光可调谐滤波器-CN97120859.X无效
发明人：徐可欣;山本博司;薛彬 -专利权人：株式会社京都第一科学
申请日： 1997-12-24 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： H03H9/56 文献下载
摘要：本发明是要提供一种即使源光光束的光强度比较弱也可以进行高精度的分光测定的、从而可以不增加单轴结晶材料使用量而可靠的确保声波和光波的干涉长度的声光可调谐滤波器。其解决方案是在非共线型声光可调谐滤波器中，使源光光束L1斜向入射到结晶体1表面，采用这种方式可以使结晶体内的源光光束的剖面变窄，从而增大光接收开度角，提高结晶体1的集光量。而且通过采用使源光光束L1斜向入射结晶体1表面的方式，还可以去除与声波传播无关的非干涉区域，这样便可以可靠的确保结晶体1中的声波与光波的干涉长度。
声光调谐滤波器

[发明专利]一种用于电脑音箱的音频自动增益控制放大电路-CN201310630266.X在审
发明人：范桥 -专利权人：成都麦客堂信息技术有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H03G3/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于电脑音箱的音频自动增益控制放大电路，包括电源、第一电阻至第十七电阻、第一电容至第八电容、第一电位器、第二电位器、第一放大器、第二放大器、第一三极管、第二三极管、第一单结晶体管和第二单结晶体管，第一单结晶体管、第十四电阻、第七电阻、第八电阻组成等效电阻分压器，第二单结晶体管、第十七电阻、第九电阻、第十电阻组成等效电阻分压器，当第一放大器和第二放大器的输入电平低于40mV时，第一放大器和第二放大器的输出幅度不足以使第一单结晶体管和第二单结晶体管导通本发明的动态范围大于50dB，输出波形的失真非常小，且启动快，电路输入40～20mV和输出0～1.2V可调电平，单电源供电，耗能低。
一种用于电脑音箱音频自动增益控制放大电路

[发明专利]静电保护结构-CN201010594706.7有效
发明人：苏庆;王邦麟 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电保护结构，包括第一NPN异质结晶体管、第二NPN异质结晶体管；第二NPN异质结晶体管的基极、集电极接第一NPN异质结晶体管的集电极，第二NPN异质结晶体管的发射极作为静电进入端，第一NPN异质结晶体管的基极、发射极短接作为静电放出端。本发明的静电保护结构，利用第二NPN异质结晶体管实现高增益放大倍数，利用第一NPN异质结晶体管实现高反向耐压能力，可以在不明显增加寄生电容的情况下，保证较高的静电泻放能力，增强击穿电压。
静电保护结构

[发明专利]一种曲尼司特共结晶体、制备方法及应用-CN201811618543.4在审
发明人：郝静梅;霍美蓉;王莉君;朱靓 -专利权人：药大制药有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C07C235/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种曲尼司特共结晶体、制备方法及应用。该共结晶体的通式如式1所示。该共结晶体为曲尼司特与酰胺类化合物（R₁‑CONH₂）形成的共结晶体。该共结晶体与曲尼司特原形药相比，光稳定性更高，且溶解度提高，并具有更高的口服生物利用度。此外，曲尼司特苯甲酰胺共结晶体可以提高曲尼司特原有的抗纤维化作用。该共结晶体制备方法简单，适合工业化生产。
共结晶体制备种曲口服生物利用度酰胺类化合物苯甲酰胺光稳定性抗纤维化溶解度原有的应用

[实用新型]一种废水脱盐的多级结晶沉淀处理系统-CN202021703103.1有效
发明人：朱核光;赵宁华;陈辉洋;贾志宇;曾敏福;魏宏斌 -专利权人：上海中耀环保实业有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种废水脱盐的多级结晶沉淀处理系统，沿含盐废水进水方向依次设有结晶体反应部件、中和反应槽、中和沉淀槽，结晶体反应部件包括有至少一个结晶体反应单元，结晶体反应单元沿含盐废水进水方向依次设有结晶体反应槽、结晶体沉淀槽；结晶体反应槽的进水口外接有钙剂储罐、辅剂储罐、铝剂储罐，中和反应槽的进水口外接有中和剂储罐；结晶体沉淀槽、中和沉淀槽的出泥口沿出泥方向依次外接有第一污泥泵、第一脱水机，第一脱水机与结晶体反应槽的进水口相连接本用新型提供的一种废水脱盐的多级结晶沉淀处理系统，具有节约能耗和处理成本、不受水中有机物含量的影响、可以用于废水生化处理的预处理等优点。
一种废水脱盐多级结晶沉淀处理系统

[发明专利]一种提取胆固醇工艺-CN201811062895.6在审
发明人：姚静;张宪;胡伟;杨琴飞;李豫俭;曾奇祥 -专利权人：四川奇格曼药业有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C07J9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提取胆固醇工艺，包括以下操作①将猪脑制备得猪脑匀浆液；②在猪脑匀浆液中加入提取溶剂，得提取液；③将提取液过滤，将过滤后的液体浓缩，得浓缩液，同时回收溶剂；④在浓缩液中加入甲醇溶液，将回流后的液体过滤，结晶12~72h，得结晶体；⑤将步骤④中的结晶体过滤，按结晶体质量4~7倍加入甲醇，70℃回流1小时，将回流后的液体置于0℃，结晶12~72h；⑥将步骤⑤中的结晶体过滤，加入结晶体质量2~5倍的甲醇，甲醇温度为‑30~0℃清洗至中性；⑦将步骤⑥中性结晶体3.5~6倍质量加入甲醇，70℃回流1小时；将回流后溶液置于0℃结晶12~72h，过滤结晶体；⑧步骤⑦的最后结晶体在70~80℃真空干燥，即得胆固醇。
结晶体甲醇过滤胆固醇猪脑浓缩液匀浆液提取液过滤回收溶剂甲醇溶液提取溶剂液体过滤液体浓缩提取液收率制备清洗

[实用新型]一种用于浓盐水的稀释过滤装置-CN202121641230.8有效
发明人：尚黎明;张伟杰;田旭 -专利权人：陕西九扬电力工程有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及浓盐水处理设备技术领域，且公开了一种用于浓盐水的稀释过滤装置，包括稀释过滤组件，所述稀释过滤组件包括稀释过滤池，所述稀释过滤池的底部开设有排污通道；所述排污通道的底部设有结晶体输送组件，所述结晶体输送组件包括输送管道，所述输送管道的一端固定连接有电机，所述电机的输出轴固定连接有绞龙；通过设置结晶体输送组件，在进行稀释过滤时，产生的结晶体沉积在稀释过滤池的底部，利用结晶体输送组件对结晶体进行粉碎和输送，使沉积在底部的结晶体可以自动被清除，有效避免结晶体长时间堆积在底部，难以清除的麻烦，同时，设置稀释过滤池，利用稀释过滤池对浓盐水进行初级净化，大大节省后续处理效率。
一种用于盐水稀释过滤装置

[实用新型]锥形冷却结晶器-CN201420281291.1有效
发明人：张禹衡;张立军 -专利权人：张禹衡
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本实用新型提供的是锥形冷却结晶器。底座转盘外缘设有转齿，电机的输出齿轮与底座转盘的转齿啮合传动连接，在底座转盘上部安装有锥形结晶体，锥形结晶体内设有冷媒腔，在锥形结晶体下部的底座转盘中心穿插有冷媒进管，在底座转盘一侧通过刮刀底座安装有刮刀，刮刀面与锥形结晶体的锥面滑动连接，在锥形结晶体的锥尖上部装有结晶液放料管，结晶液放料管置于结晶液储槽的下部。本实用新型采用冷媒锥形结晶体进行结晶液的结晶，具有结晶速度快，晶粒整齐的优点。适宜作为实验室或结晶物生产过程中的结晶器应用。
锥形冷却结晶器

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条