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[发明专利]单片集成电路-CN201310509744.1无效
发明人：金谷康 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明得到一种能够在不增加制造成本情况下将横型晶体管和纵型二极管集成在一个基板上的单片集成电路。基板（1）具有二极管区域和晶体管区域。
单片集成电路

[发明专利]集成探针的毫米波单片集成电路模块及其制备方法-CN202011553640.7在审
发明人：张洋阳;张志国;刘育青;安国雨;郭黛翡;冯雪琳 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成探针的毫米波单片集成电路模块及其制备方法，涉及毫米波集成电路技术领域。所述方法包括如下步骤：在衬底上制作毫米波单片集成电路；在衬底上制作探针，使探针直接与所述毫米波单片集成电路的输入端和输出端连接；采用背面分片的方式去掉探针与毫米波单片集成电路外侧的衬底，形成所述毫米波单片集成电路
集成探针毫米波单片集成电路模块及其制备方法

[发明专利]毫米波单片集成电路封装结构及其封装方法-CN202011572853.4在审
发明人：张志国;刘育青;安国雨;张洋阳;郭黛翡;李雪荣 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种毫米波单片集成电路封装结构及封装方法，涉及毫米波集成电路技术领域，所述方法包括如下步骤：制作毫米波单片集成电路；制作倒扣的过渡探针；将所述毫米波单片集成电路正放于腔体内部，然后将所述倒扣的过渡探针的金属层朝下使过渡探针上的探针焊盘与毫米波单片集成电路上的微带焊盘相对，并在探针焊盘于微带焊盘之间设置铟球然后通过加热的方式使铟球摊开将所述过渡探针采用倒扣的方式焊接到所述毫米波单片集成电路上。所述方法制备的毫米波单片集成电路封装结构导电性能好，可大大提高单片集成电路装配的一致性和高性能特性，大大降低对装配工人要求。
毫米波单片集成电路封装结构及其方法

[发明专利]一种三维单片集成电路结构及其制备方法-CN202111503483.3有效
发明人：刘森;刘盛富;史林森;李建平;班桂春 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维单片集成电路结构及其制备方法，属于集成电路领域。本发明所述三维单片集成电路结构的制备方法在器件层间隙设置空洞，并在空洞中引入具有高散热性的碳纳米管材料作为散热基体，不仅契合器件层低温键合的温度要求，提升整体集成电路的散热性能，同时通过结构设计将器件层以STI层隔离在独立硅岛中，不会导致电路设计和集成电路结构制备的复杂程度提升；所述方法可根据生产应用需求制备多层含碳纳米管薄膜结构的三维单片集成电路结构，施工性强且可靠性高。本发明还公开了所述三维单片集成电路结构的制备方法制备得的三维单片集成电路结构。
一种三维单片集成电路结构及其制备方法

[发明专利]用作同步视频检波器的受控振荡器-CN94119076.5无效
发明人：Ｊ·Ｒ·哈福德 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1994-12-14 - 公布日： 2000-02-16 - 主分类号： H03L7/095 文献下载
摘要：一种部分地制造在单片集成电路内的振荡器，包括设在单片集成电路内的差分输入、差分输出的差分放大器。在单片集成电路内的第一和第二电阻性分压器按预定比率对差分放大器的第一和第二输出端上的电位进行分压以加到它的第一和第二输入端，从而分别实现第一和第二直接耦合正反馈联接。设在单片集成电路外的电感器接在差分放大器的第一和第二输入端之间并受到单片集成电路内或外的一个或多个电容的抗谐振作用。
用作同步视频检波器受控振荡器

[发明专利]带有弯曲beam的单片集成电路及其制备方法-CN202011553984.8在审
发明人：刘育青;张志国;安国雨;张洋阳;李少鹏;郭黛翡 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有弯曲beam的单片集成电路及制备方法。所述单片集成电路包括毫米波单片集成电路模块，所述集成电路模块模块上形成有弯曲的梁式引线，所述梁式引线的起点和终端位于同一水平面上；所述梁式引线采用拱桥式设计，且所述梁式引线的中部拱起。采用弯曲的梁式引线，可使整个毫米波单片的机械性能较原来水平型梁式引线提升约50%，由于梁式引线中部高出两端，采用导电胶进行固定的时候，导电胶可以在拱桥底部，不易扩散到梁式引线以外区域，可以有效发挥毫米波单片集成电路的本征性能
带有弯曲 beam 单片集成电路及其制备方法

[发明专利]一种层间孔建模方法、抗单粒子效应分析方法及装置-CN202110109498.5在审
发明人：刘凡宇;张军军;李博;滕瑞;刘海南;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种层间孔建模方法、抗单粒子效应分析方法及装置，所述三维单片集成电路包括：三维单片集成电路上层、三维单片集成电路下层、位于所述三维单片集成电路上层和所述三维单片集成电路下层之间的中间层电介质
一种层间孔建模方法粒子效应分析装置

[发明专利]用于向电子设备供应隔离的经调节的直流功率的装置-CN200780052277.7有效
发明人：安东·韦尔纳·凯勒 -专利权人：汤姆森许可贸易公司
申请日： 2007-03-22 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种离线直流-直流转换器，包括与单片集成电路(405)耦合的变压器(180)。所述单片集成电路(400)包括开关调压器，所述开关调压器包括在所述单片集成电路的第一部分上的开关(151)和开关控制器(100)。在所述单片集成电路的第二部分上提供电容性隔离器(201)。所述单片集成电路对所述输出电源直流电压进行调节，并且将所述输出电源直流电压与所述输入电源直流电压进行隔离以避免电击危险。
用于电子设备供应隔离调节直流功率装置

[发明专利]一种三维单片集成电路单粒子效应的仿真方法及装置-CN202110110255.3在审
发明人：刘凡宇;张军军;李博;滕瑞;刘海南;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明提供一种三维单片集成电路单粒子效应的仿真方法及装置，方法包括：创建目标器件对应的三维单片集成电路模型；为每层电路结构模型创建对应的能量沉积模型；基于目标入射粒子对各能量沉积模型进行能量沉积仿真，获得各层电路结构模型对应的目标LET；基于目标入射粒子、各层电路结构模型对应的目标线性能量转移值对三维单片集成电路模型进行单粒子效应仿真；如此，对每层电路结构模型均创建对应的能量沉积模型，对各能量沉积模型进行能量沉积仿真，获得各层电路结构模型对应的目标LET，再对三维单片集成电路模型进行单粒子效应仿真，确保仿真结果精准，根据仿真结果对三维单片集成电路的结构及参数进行调整，提高电路的可靠性。
一种三维单片集成电路粒子效应仿真方法装置

[实用新型]一种GaN微波单片集成电路的晶圆级封装结构-CN202122930693.2有效
发明人：王静辉;黎荣林;崔健;郭跃伟;段磊;闫志峰 -专利权人：河北博威集成电路有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种GaN微波单片集成电路的晶圆级封装结构，涉及芯片生产技术领域。包括晶圆底板以及在晶圆底板顶部等距阵列设置的多个芯片结构，所述芯片结构包括芯片集成电路，所述芯片集成电路的外部包裹有树脂保护层，所述树脂保护层的外部包覆有蒸发玻璃保护层，所述晶圆底板的背面固定连接有芯片电极，所述芯片电极与芯片集成电路电性连接。本实用新型通过GaN微波单片集成电路芯片结构的设计，其可先对GaN微波单片集成电路的晶圆上的芯片的封装，然后再进行切割，从而形成具有封装外壳的芯片集成电路，使得芯片拥有了封装外壳，其优点主要体现在降低了GaN微波单片集成电路的生产成本，同时实现晶圆级封装后，其体积较为微小。
一种 gan 微波单片集成电路晶圆级封装结构

[发明专利]单片集成电路贮存寿命特征检测方法-CN201510280180.8有效
发明人：程德斌;高军;李坤兰;解江;邱宝军 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种单片集成电路贮存寿命特征检测方法，包括步骤对单片集成电路进行外观质量检查，并根据检查结果得到外检合格品和外检失效品；对外检合格品进行电参数测量，并根据测量结果得到终检合格品和终检失效品；对终检合格品进行可靠性特征分析通过对单片集成电路进行外观质量检查和电参数测量，选出功能未失效的合格品，并通过对合格品进行可靠性特征分析，得到集成电路的预测贮存寿命，从而可以估测导弹的贮存寿命，解决了对单片集成电路的贮存寿命特征的检测的问题
单片集成电路贮存寿命特征检测方法

[实用新型]一种卫星导航双系统射频接收模块-CN201420027643.0有效
发明人：谢明 -专利权人：西安希德电子信息技术有限公司
申请日： 2014-01-16 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： G01S19/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种卫星导航双系统射频接收模块，该双系统射频接收模块由屏蔽壳、射频电路印制板两部分组成，所述射频电路印制板包括两片单片集成电路芯片，两片单片集成电路芯片通过有源多频天线连接功分器，功分器分别连接两片单片集成电路芯片，两片单片集成电路芯片分别通过两个中频输出电路连接两个射频放大器，两个射频放大器分别输出GPS L1和BD2B3频点；所述两片单片集成电路芯片分别连接有射频输入电路。
一种卫星导航双系统射频接收模块

[发明专利]W波段砷化镓单片集成电路三维系统级封装垂直互连结构-CN201710830761.3有效
发明人：施永荣;张君直 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种W波段砷化镓单片集成电路三维系统级封装垂直互连结构，该垂直互连结构包括GaAs单片集成电路自身的50欧姆微带传输线，硅基板过孔和倒装焊料球构成的类同轴线结构，硅基板上带电容补偿的50欧姆平面类同轴传输线结构；GaAs单片集成电路正装在衬底介质基板上，倒装在上层硅基板上；硅基板上50欧姆平面类同轴传输线结构具有阻抗匹配结构。本发明能够实现GaAs单片集成电路在天馈一体化三维垂直互连系统级封装架构中毫米波信号的宽频带传输，通过该垂直互连结构可以有效地将GaAs单片集成电路集成到小型化的天馈一体化三维微系统中，极大地丰富了W波段系统及封装可选芯片的种类和性能
波段砷化镓单片集成电路三维系统封装垂直互连结构

[发明专利]一种新型的微波三维集成系统级封装互连结构-CN201710829204.X有效
发明人：张君直;施永荣 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的微波三维集成系统级封装互连结构，包括衬底介质基板、设置在衬底介质基板上的微带线、衬底介质基板上的接地金属化孔阵列、毫米波单片集成电路和硅基板；接地金属化孔阵列上设置接地平面金属，毫米波单片集成电路设置在硅基板和接地平面金属之间；毫米波单片集成电路敏感位置的上方硅基板中开有腔体；微带线通过平面传输线与毫米波单片集成电路连接。
一种新型微波三维集成系统封装互连结构

[发明专利]一种高稳定性射频功率放大器单片集成电路-CN201110229831.2在审
发明人：郝明丽 -专利权人：沈阳中科微电子有限公司
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H03F1/08 文献下载
摘要：一种高稳定性射频功率放大器单片集成电路属于射频功率放大器技术领域，尤其涉及一种高稳定性射频功率放大器单片集成电路。本发明提供一种版图布局复杂程度低的高稳定性射频功率放大器单片集成电路。
一种稳定性射频功率放大器单片集成电路

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