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[发明专利]一种异质结构及其制备方法-CN202310639707.6在审
发明人：欧欣;徐文慧;伊艾伦;游天桂;瞿振宇 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种异质结构制备方法，包括提供单晶功能材料基板和异质衬底基板；对单晶功能材料基板进行第一离子注入，以形成第一缺陷层，形成第一缺陷层的单晶功能材料基板呈现翘曲状态；对异质衬底基板进行翘曲调控处理，以形成翘曲调控层，形成翘曲调控层的异质衬底基板呈现翘曲状态；键合形成第一缺陷层的单晶功能材料基板和形成翘曲调控层的异质衬底基板，得到异质键合体；对异质键合体进行剥离，得到目标异质结构。本申请的异质结构制备方法通过使异质衬底基板与单晶功能材料基板均形成翘曲，以减小异质衬底基板与单晶功能材料基板间的键合间隙，进而增强键合波的扩散能力，进而增强键合强度。
一种结构及其制备方法

[发明专利]一种多层异质单晶薄膜衬底的制备方法-CN202110395087.7在审
发明人：欧欣;王成立;张师斌;伊艾伦;郑鹏程 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请涉及一种多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，该方法包括步骤S101～S107，通过该步骤S101～S107可以实现任意多层异质单晶薄膜衬底结构，且各异质单晶薄膜间的结合为范德华力结合，异质单晶薄膜之间的键合十分牢固；另外，本申请实施例提供的一种任意多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，可将多种具有不同功能的薄膜集成于一片衬底，用于多功能三维异质集成芯片的实现。
一种多层异质单晶薄膜衬底制备方法

[发明专利]纳米结构和纳米线的制造方法及由其制造的器件-CN200710008259.0有效
发明人： A·马亚姆达;A·沙科里;T·D·桑德斯;P·杨;S·S·毛;R·E·拉索;H·费克;H·金德;E·R·韦伯;M·黄;H·严;Y·吴;R·范 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：这些发明的纳米结构，我们称之为“纳米线”，包括至少两种单晶材料的单晶同质结构和异质结构，所述单晶材料具有不同化学成分。由于单晶材料用于形成异质结构，因此得到的异质结构将也是单晶的。该纳米线异质结构一般基于半导电线，其中在纵向或径向、或者在这两个方向控制掺杂剂和成分，以便制造包括不同材料的线。得到的纳米线异质结构的例子包括纵向异质结构纳米线(LOHN)和同轴异质结构纳米线(COHN)。
纳米结构制造方法器件

[发明专利]纳米结构和纳米线的制造方法及由其制造的器件-CN02809601.0有效
发明人： A·马亚姆达;A·沙科里;T·D·桑德斯;P·杨;S·S·毛;R·E·拉索;H·费克;H·金德;E·R·韦伯;M·黄;H·严;Y·吴;R·范 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：这些发明的纳米结构，我们称之为“纳米线”，包括至少两种单晶材料的单晶同质结构和异质结构，所述单晶材料具有不同化学成分。由于单晶材料用于形成异质结构，因此得到的异质结构将也是单晶的。该纳米线异质结构一般基于半导电线，其中在纵向或径向、或者在这两个方向控制掺杂剂和成分，以便制造包括不同材料的线。得到的纳米线异质结构的例子包括纵向异质结构纳米线(LOHN)和同轴异质结构纳米线(COHN)。
纳米结构制造方法器件

[发明专利]铁电半导体/铁磁单晶薄膜异质结及制备方法和应用-CN202210100485.6在审
发明人：任召辉;陈嘉璐;林宸;田鹤;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了铁电半导体/铁磁单晶薄膜异质结及制备方法和应用。该异质结是以生长有单晶镧锶锰氧的钛酸锶单晶基板作为基底，并在镧锶锰氧层外延生长钛酸铅单晶薄膜而形成的钛酸铅/镧锶锰氧单晶薄膜异质结。该异质结具有金属‑绝缘体转变。该异质结中，外延钛酸铅单晶薄膜的表面平整，外延钛酸铅单晶薄膜的内部晶格排列整齐，钛酸铅/镧锶锰氧异质结界面呈原子级平整。本发明异质结通过水热方法制备得到，其具有优异的光伏性能，且在光照条件下电阻受磁场影响显著，可用作无源光电探测器或光控磁电探测设备。本发明异质结在铁电半导体存储器、磁电存储和电光开关等领域也具有广泛的潜在应用前景。
半导体铁磁单晶薄膜异质结制备方法应用

[发明专利]一种有机单晶异质结复合膜、其制备方法及用途-CN202080003261.2有效
发明人：李寒莹;伍瑞菡 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-12-05 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：有机单晶异质结复合膜是由双层或多层有机半导体单晶薄膜堆叠在一起构成。所述的有机单晶异质结复合膜中至少有两层相邻的有机单晶薄膜之间具有高效贴合性。有机单晶异质结复合膜具有分子排列高度有序、本体缺陷少、载流子在单晶层中传输快、激子传输距离长、可以实现光电功能集成和柔性制备等优点。一种有机单晶异质结复合膜的生长方法，制备得到了高质量的有机单晶异质结复合膜，在传感器、光电探测器、太阳能电池、显示器、记忆存储器、互补电路等领域有着广泛的应用前景。
一种有机单晶异质结复合制备方法用途

[发明专利]纳米结构和纳米线的制造方法及由其制造的器件-CN200910168694.9有效
发明人： A·马亚姆达;A·沙科里;T·D·桑德斯;P·杨;S·S·毛;R·E·拉索;H·费克;H·金德;E·R·韦伯;M·黄;H·严;Y·吴;R·范 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：这些发明的纳米结构，我们称之为“纳米线”，包括至少两种单晶材料的单晶同质结构和异质结构，所述单晶材料具有不同化学成分。由于单晶材料用于形成异质结构，因此得到的异质结构将也是单晶的。该纳米线异质结构一般基于半导电线，其中在纵向或径向、或者在这两个方向控制掺杂剂和成分，以便制造包括不同材料的线。得到的纳米线异质结构的例子包括纵向异质结构纳米线(LOHN)和同轴异质结构纳米线(COHN)。
纳米结构制造方法器件

[发明专利]一种异质集成图形化氧化镓及其制备方法-CN202310277431.1在审
发明人：韩根全;贾晓乐 -专利权人：西安电子科技大学杭州研究院
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C30B31/22 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开一种异质集成图形化氧化镓及其制备方法。本发明的制备方法中，首先对待键合氧化镓单晶进行图形化处理，再对图形化氧化镓单晶进行元素注入；然后将完成元素注入的氧化镓单晶与异质衬底单晶键合，最后经退火实现图形化氧化镓单晶键合到异质衬底上，获得异质集成图形化氧化镓，该异质集成图形化氧化镓能有效缓解由异质衬底集成图形化氧化镓制成的氧化镓器件的自热效应，对未来氧化镓器件的发展意义重大。
一种集成图形氧化及其制备方法

[发明专利]一种纳米硅异质结压敏二极管及纳米硅异质结压力传感器-CN200810020042.6无效
发明人：韦文生 -专利权人：韦文生
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L29/96 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米硅异质结压敏二极管及纳米硅异质结压力传感器，本发明的优点在于应用纳米硅/单晶硅异质结构在应力状态下的反向I－V特性，制成了敏感性、线性特性好的纳米硅/单晶硅异质结压敏二极管，并应用该纳米硅/单晶硅异质结压敏二极管而制作一种敏感性、线性特性好的纳米硅/单晶硅异质结压力传感器。
一种纳米硅异质结压敏二极管硅异质结压力传感器

[实用新型]异质结太阳能电池及光伏组件-CN202022123849.1有效
发明人：姚远洲;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯光伏技术有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种异质结太阳能电池及光伏组件，其中所涉及的异质结太阳能电池包括单晶硅衬底，所述单晶硅衬底的受光面与背光面均为金字塔绒面，所述单晶硅衬底受光面的金字塔数量大于所述单晶硅衬底背光面的金字塔数量；在本实用新型所提供的异质结太阳能电池结构中，单晶硅衬底受光面由于金字塔数量相对较多具有较优的光学吸收效果，单晶硅衬底背光面由于金字塔数量相对较少有助于提高异质结太阳能电池背光面一侧的钝化效果，本实用新型所提供的异质结太阳能电池兼顾了光学吸收效果与钝化效果，能够有效优化异质结太阳能电池的光电转化性能。
异质结太阳能电池组件

[发明专利]一种有机-无机杂化钙钛矿单晶异质结、制备方法及其用途-CN202210280510.3在审
发明人：罗军华;王紫阳;姬成敏;张馨元 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机‑无机杂化钙钛矿单晶异质结和制备方法及其用途。一种有机‑无机杂化钙钛矿单晶异质结，所述的有机‑无机杂化钙钛矿单晶异质结由单晶硅片及在所述的单晶硅片表面外延生长的有机‑无机杂化钙钛矿铅氯甲胺单晶。本发明制备的CH3NH3PbCl3/Si异质结对紫外光有着优异的光电响应。此外，利用CH3NH3PbCl3单晶异质结与硅基之间形成异质结之后的内建电场即该异质结不需要外加电压便可自驱动紫外光电探测。开发制备所得的自驱动紫外光电探测器因不需要外加电源，可实现能源节约以及所制备小型化器件，因此实现自驱动的紫外光电探测具有非常重要的实用价值。
一种有机无机杂化钙钛矿单晶异质结制备方法及其用途

[发明专利]晶格失配的异质结结构和由其制备的器件-CN201480013471.4有效
发明人： Z·马;J-H·徐 -专利权人：威斯康星州男校友研究基金会
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：提供了包含晶格失配的单晶半导体材料的半导体异质结结构以及制作所述异质结结构的方法。异质结结构包含至少一个三层结，其包含两个单晶半导体层和夹在两个单晶半导体材料层之间并分隔这两者的电流隧穿层。还提供了纳入所述异质结结构的器件、制备所述器件的方法和使用所述器件的方法。
晶格失配异质结结构制备器件

[发明专利]一种在多孔单晶的孔壁构筑异质结的方法-CN202111221864.2有效
发明人：刘岗;张露露;杨勇强;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明涉及材料制备领域，具体为一种在多孔单晶的孔壁构筑异质结的方法，解决目前尚无有效方法能够实现在多孔单晶孔壁上构筑异质结的问题。在多孔单晶的制备过程中，首先在多孔模板上进行晶种和第二相的预植入，然后在模板上进行晶体的生长，最后去除模板，得到由多孔单晶与附着在其上的第二相构成的异质结。本发明方法解决了无法利用多孔单晶的孔壁构筑异质结的问题，有助于得到高活性电化学材料和催化材料，具有重要的科学研究和产业应用价值。
一种多孔构筑异质结方法

[发明专利]一种晶圆级单晶石墨烯异质结及其直接生长方法-CN202211424792.6在审
发明人：张甲;胡平安;张欣;李松霖;梁帅;吴博轩;李洋 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级单晶石墨烯异质结及其直接生长方法，属于二维材料异质结制备技术领域。本发明解决了现有晶圆级单晶石墨烯/六方氮化硼/石墨烯异质结薄膜制备困难的问题。本发明采用化学气相沉积法，在单晶金属催化剂表面，先生长六方氮化硼，然后在其上表面和下表面分别生长石墨烯，形成单晶石墨烯/六方氮化硼/石墨烯异质结薄膜，且生长的六方氮化硼和石墨烯均为单晶结构，且层数从单层到多层均可以控制，石墨烯异质结尺寸由金属催化剂的尺寸决定，可达晶圆级。
一种晶圆级单晶石墨烯异质结及其直接生长方法

[发明专利]一种金属‑有机框架单晶外延生长的DMCoF/DMMnF异质结材料及其制备方法-CN201510101659.0有效
发明人：王顺利;李培刚;李小云;史建君;刘咏松 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： C07F19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属‑有机框架单晶外延生长的DMCoF/DMMnF异质结材料及其制备方法，金属‑有机框架单晶外延生长的DMCoF/DMMnF异质结材料为由尺寸为2.2×2.2×2.2～2.5×2.5×2.5 mm3的DMMnF单晶衬底和尺寸为2.5×2.5×2.5～2.8×2.8×2.8 mm3，厚度为0.15～0.2 mm的DMCoF外延单晶组成的异质结。本发明制备过程中，所用试剂为商业产品，无需繁琐制备；利用水热法和液相法相结合获得大尺寸的单晶；工艺可控性强，易操作，制得的产物纯度高。本发明所得的异质结单晶材料，有望在新型金属‑有机框架半导体、信息存储和光学器件方面得到广泛的应用。
一种金属有机框架外延生长 dmcof dmmnf 异质结材料及其制备方法

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