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[发明专利]感测晶体管单元嵌入的电流感测晶体管-CN201310293619.1有效
发明人：斯特芬·蒂伦;安德烈亚斯·迈塞尔;马库斯·曾德尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及感测晶体管单元嵌入的电流感测晶体管。一种晶体管单元的区域集成在半导体本体内的半导体装置。多个晶体管单元形成功率晶体管，并且所述晶体管单元中的至少一个形成感测晶体管。第一源电极设置在半导体本体上，电连接至所述感测晶体管的晶体管单元，而与所述功率晶体管的晶体管单元电隔离。第二源电极设置在半导体本体上，并覆盖所述功率晶体管和所述感测晶体管两者的晶体管单元，并且以第二源电极仅电连接至功率晶体管的晶体管单元而与感测晶体管的晶体管单元电隔离的方式至少部分地覆盖第一源电极。
晶体管单元嵌入流感

[实用新型]功率装置-CN202022786408.X有效
发明人： B·斯恰乌科夫斯基 -专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该功率装置包括：晶体管单元的主要布置，被布置成用作电源开关，其中晶体管单元具有并联连接的控制节点以接收公共控制信号到晶体管单元；和传感器晶体管单元的传感器布置，被布置成测量主要布置的一个或多个参数，其中传感器晶体管单元具有并联连接的传感器控制节点，以接收公共传感器控制信号到传感器晶体管单元，其中传感器控制节点与主要布置的控制节点分开，传感器晶体管单元具有与主要布置的晶体管单元的公共晶体管端子共享的传感器晶体管单元的公共晶体管端子，其中主要布置的晶体管单元和传感器布置的传感器晶体管单元在主要布置和传感器布置公共的基板中具有相同类型的晶体管结构
功率装置

[发明专利]多阈值标准单元库设计方法及多阈值标准单元库-CN202211065059.X在审
发明人：宋睿强;邵津津;刘必慰;胡春媚;吴振宇;池雅庆;梁斌;袁珩洲;陈建军 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本申请涉及一种多阈值标准单元库设计方法及多阈值标准单元库。所述方法包括：获取标准单元库中的标准单元；标准单元包括功能晶体管和驱动晶体管；根据标准单元的电路结构，构建功能晶体管对应的功能晶体管版图和驱动晶体管对应的驱动晶体管版图；采用第一阈值图层覆盖功能晶体管版图中的功能晶体管，得到第一阈值功能晶体管版图，采用第二阈值图层覆盖驱动晶体管版图中的驱动晶体管，得到第二阈值驱动晶体管版图；拼接第一阈值功能晶体管版图和第二阈值驱动晶体管版图，得到多阈值标准单元，根据多阈值标准单元，得到多阈值标准单元库采用本方法得到的多阈值标准单元库，能够在集成电路中更高效地进行功耗回收，降低集成电路的整体功耗。
阈值标准单元设计方法

[发明专利]一种逻辑单元电路和像素驱动电路-CN201710744415.3有效
发明人：冯雪欢;毛波 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种逻辑单元电路和像素驱动电路，涉及显示技术领域，用于解决现有逻辑单元电路中不同类型晶体管混用增加了技术困难的问题。该逻辑单元电路包括相同类型的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管和第十晶体管。该逻辑单元电路用于实现逻辑门运算。
一种逻辑单元电路像素驱动

[发明专利]一种物理空间交错式抗单粒子临近效应的静态存储单元-CN201110031829.4有效
发明人：谢成民;王忠芳;李如美;吴龙胜;刘佑宝 -专利权人：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明公开了一种物理空间交错式抗单粒子临近效应的静态存储单元，包括A存储单元晶体管和B存储单元晶体管，A存储单元晶体管由设置于硅衬底上的A存储单元第一访问晶体管AMG1、A存储单元第二访问晶体管AMG2、A存储单元第一上拉晶体管AMP1、A存储单元第二上拉晶体管AMP2、A存储单元第一下拉晶体管AMN1和A存储单元第二下拉晶体管AMN2构成；B存储单元晶体管还由设置于硅衬底上的B单元第一访问晶体管BMG1、B单元第二访问晶体管BMG2、B单元第一上拉晶体管BMP1、B单元第二上拉晶体管BMP2、B单元第一下拉晶体管BMN1和B单元第二下拉晶体管BMN2构成。采用本发明可有效降低临近效应，从而增大存储单元SEU的临界电荷，提高抗单粒子性能。
一种物理空间交错式抗单粒子临近效应静态存储单元

[发明专利]放大电路、相关芯片及电子装置-CN202111597731.5在审
发明人：李钰莹;陈雨田 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：放大电路包括电流平衡单元、偏置单元、输出单元以及各自接收第一输入电压信号及第二输入电压信号的P型晶体管差分放大单元、N型晶体管复制差分输入单元、P型晶体管复制差分输入单元及N型晶体管差分放大单元。电流平衡单元平衡P型晶体管差分放大单元及N型晶体管差分放大单元所产生的电流。偏置单元对P型晶体管差分放大单元及N型晶体管复制差分输入单元共同输出第一偏置电流，及对P型晶体管复制差分输入单元及N型晶体管差分放大单元共同提供第二偏置电流。输出单元依据P型晶体管差分放大单元及N型晶体管差分放大单元所产生的多个电流信号产生输出端电流。
放大电路相关芯片电子装置

[发明专利]包括功率晶体管和电压限制装置的晶体管布置-CN201610336434.8在审
发明人： M.巴特尔斯;M.莱姆克;R.鲁道夫;S.特根;R.魏斯 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：本发明涉及包括功率晶体管和电压限制装置的晶体管布置。一种在半导体本体中的晶体管布置包括具有至少两个晶体管单元的功率晶体管，每个晶体管单元布置在半导体本体的半导体鳍中，以及具有带有至少两个器件单元的电压限制器件。每个器件单元布置成与相应晶体管单元的半导体鳍中的晶体管单元相邻，并且电压限制器件通过介电层与功率晶体管分开。
包括功率晶体管电压限制装置布置

[实用新型]电平转换器和电子装置-CN202221467034.8有效
发明人：赵贤镐;南亨摄 -专利权人：北京奕斯伟计算技术股份有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：一种电平转换器和电子装置，该电平转换器包括输入单元、输出单元、第一控制单元和第二控制单元；输入单元接收第一驱动电压，且包括第一输入晶体管和第二输入晶体管；输出单元包括第一输出晶体管和第二输出晶体管；第一控制单元直接连接在输入单元和输出单元之间，且包括连接在第一输入晶体管和第二输出晶体管之间的第一偏置晶体管以及连接在第二输入晶体管和第一输出晶体管之间的第二偏置晶体管；第二控制单元接收第二驱动电压并将其提供至输出单元，且包括连接在第二驱动电压端和第一输出晶体管之间的第三偏置晶体管以及连接在第二驱动电压端和第二输出晶体管之间的第四偏置晶体管
电平转换器电子装置

[发明专利]硅基液晶微显示像素单元版图结构-CN201110266747.8有效
发明人：赵博华;黄苒;杜寰;罗家俊;林斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了硅基液晶微显示像素单元版图结构，所述像素单元包括像素电容、存储电容、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管，其特征在于，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管位于像素单元的上部，像素电容和存储电容位于像素单元的下部。本发明提供的硅基液晶微显示像素单元版图合理地布置像素单元内部电路各个晶体管的位置，并利用像素电路中晶体管的连接关系和电容的连接关系，重复利用部分版图，从而减小了版图面积。
液晶显示像素单元版图结构

[发明专利]存储器的电压调整器-CN201110079116.5有效
发明人：夏浚清;张延安;袁德铭 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器的电压调整器包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、反馈单元、比较单元、第一控制单元以及第二控制单元。第一晶体管由反馈单元以及比较单元所控制，用来稳定输出节点的电压。当第一控制单元开启第二晶体管时，输出节点的电压上升，当第一控制单元关闭第二晶体管时，将触发第二控制单元开启第三晶体管，以将第一晶体管完全开启。因此，当第三晶体管关闭时，第一晶体管可再次受到反馈单元以及比较单元所控制以稳定输出节点的电压。
存储器电压调整器

[发明专利]成像元件和电子设备-CN202210163652.1在审
发明人：梶原悠;中沟正彦 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H04N5/341 文献下载
摘要：成像元件包括：第一像素单元，其包括第一电荷电压转换单元、第一耦合晶体管、第一复位晶体管、第一放大晶体管和第一选择晶体管；第二像素单元，其包括第二电荷电压转换单元、第二耦合晶体管、第二复位晶体管、第二放大晶体管和第二选择晶体管，其中第一电荷电压转换单元经由第一耦合晶体管和第二耦合晶体管连接到第二电荷电压转换单元，其中第一耦合晶体管和第一复位晶体管在平面图中沿着第一方向布置，以及其中第二耦合晶体管和第二复位晶体管在平面图中沿着第一方向布置
成像元件电子设备

[发明专利]成像元件和电子设备-CN202210163678.6在审
发明人：梶原悠;中沟正彦 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：成像元件包括：第一像素单元，其包括第一电荷电压转换单元、第一耦合晶体管、第一复位晶体管、第一放大晶体管和第一选择晶体管；第二像素单元，其包括第二电荷电压转换单元、第二耦合晶体管、第二复位晶体管、第二放大晶体管和第二选择晶体管，其中第一电荷电压转换单元经由第一耦合晶体管和第二耦合晶体管连接到第二电荷电压转换单元，以及其中第一耦合晶体管、第一复位晶体管、第一放大晶体管和第一选择晶体管在平面图中相对于第一方向上的对称线基本上对称地布置
成像元件电子设备

[发明专利]组合静态随机存取存储器和掩模只读存储器存储单元-CN200610076750.2无效
发明人：廖修汉;陈立业 -专利权人：连邦科技股份有限公司
申请日： 2002-07-31 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： G11C17/10 文献下载
摘要：本发明提出了一种组合静态随机存取存储器和掩模只读存储器存储单元，其特征在于，包括有一静态随机存取单元以及一只读存储单元，其中该静态随机存取单元用以作为随机存取的存储单元，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管，该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管和该第四晶体管形成一正反器，该第一晶体管与该第三晶体管互补，该第二晶体管与该第四晶体管互补，该只读存储单元用以永久保存数据，包括有一第七晶体管；该只读存储单元是位于一形成该第五晶体管与该第六晶体管的多晶硅区与一源极接触点所在的主动区延伸部所交错的十字区中，使得该只读存储单元位于该静态随机存取存储单元中。
组合静态随机存取存储器只读存储器存储单元

[发明专利]用于场致发光显示屏的驱动电路-CN200710004481.3有效
发明人：高原博司;柘植仁志 -专利权人：东芝松下显示技术有限公司
申请日： 2003-03-05 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：源驱动器电路包含若干单元晶体管634，其中每一个构成一个单一的单元。第0毕特由一个单元晶体管634构成，第一毕特由二个单元晶体管634构成，第二毕特由四个单元单元晶体管634构成，第三毕特由八个单元晶体管634构成，第四毕特由16个单元晶体管634构成，以及第五毕特由32个单元晶体管634构成。各单元晶体管634与晶体管633a一起组成一电流反映电路。调节流经晶体管633a的电流Ib，可让流经诸单元晶体管634的电流改变。通过用单元晶体管构作输出电流电路，并调节参考电流，使得可调节单元晶体管的输出电流来提供具有很小变化的准确源驱动器IC。
用于发光显示屏驱动电路

[发明专利]用于场致发光显示屏的驱动电路-CN03815105.7无效
发明人：高原博司;柘植仁志 -专利权人：东芝松下显示技术有限公司
申请日： 2003-03-05 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：源驱动器电路包含若干单元晶体管634，其中每一个构成一个单一的单元。第0毕特由一个单元晶体管634构成，第一毕特由二个单元晶体管634构成，第二毕特由四个单元单元晶体管634构成，第三毕特由八个单元晶体管634构成，第四毕特由16个单元晶体管634构成，以及第五毕特由32个单元晶体管634构成。各单元晶体管634与晶体管633a一起组成一电流反映电路。调节流经晶体管633a的电流Ib，可让流经诸单元晶体管634的电流改变。通过用单元晶体管构作输出电流电路，并调节参考电流，使得可调节单元晶体管的输出电流来提供具有很小变化的准确源驱动器IC。
用于发光显示屏驱动电路

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