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[实用新型]高功率半导体激光器防止反射光损伤装置-CN201020641086.3在审
发明人：王智勇;秦文斌;曹银花;刘友强 -专利权人：山西飞虹激光科技有限公司
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高功率半导体激光器防止反射光损伤装置，属于激光技术领域。本装置包括偏振分光镜、λ/4波片和吸收体。本实用新型在半导体激光发光芯片的出射光路中依次放置偏振分光镜和λ/4波片，利用半导体激光束是线偏振光的特性，通过λ/4波片改变工件反射光束的偏振特性，再采用偏振分光镜将反射光从半导体激光阵列的出射光束中分离出去，使得反射光无法沿照射到半导体激光发光芯片的表面，防止了半导体激光器在激光材料加工过程中反射光的损伤。
功率半导体激光器防止反射光损伤装置

[发明专利]半导体陶瓷组合物-CN200880122787.1无效
发明人：岛田武司 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2008-12-24 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：本发明提供一种包括BaTiO3的半导体陶瓷组合物，其中BaTiO3的一部分Ba用Bi-Na代替。该半导体陶瓷组合物能够实现跃变特性的任意控制，同时保持低的室温电阻率。该半导体陶瓷组合物包括BaTiO3，其中BaTiO3的一部分Ba用Bi-Na代替，该组合物在晶粒边界处具有P型半导体。在此情况下，并且通过改变P型半导体的存在率，例如通过改变煅烧条件、添加剂的添加量、烧结条件等等来改变P型半导体的存在率，从而任意地控制室温电阻率，同时保持高的跃变特性。
半导体陶瓷组合

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的测量方法-CN201610594012.0有效
发明人：佐藤忠彦 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置以及半导体装置的测量方法。其易于与外部相连接，且能分别测量各半导体芯片的特性。此外，在半导体装置(100)中，第一接触部(131a)经由从侧面延伸出的第一连系部(131b)来从侧面延伸出，第二接触部(141a)经由从侧面延伸出的第二连系部(141b)从侧面延伸出，第一连系部(131b由此，在半导体装置(100)中，包含并联连接的第一半导体芯片(115)和第二半导体芯片(116)，能作为半导体装置(100)来进行工作。进一步地，在半导体装置(100)中，能得到第一半导体芯片(115)和第二半导体芯片(116)各自的电特性。
半导体装置以及测量方法

[发明专利]半导体稳压器件及其制造方法-CN200710043260.7有效
发明人：武鸿基 -专利权人：上海维恩佳得数码科技有限公司
申请日： 2007-06-29 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L29/866 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电压半导体稳压器件及其制造方法，简化传统结构并提高反向漏电特性和击穿电压的一致性。其技术方案为：该稳压器件包括：由第一导电性半导体构成的衬底基片并由此形成的具有第一导电性的第一半导体区；建构于第一半导体区表面的具有第二导电性的第二半导体区；建构于第一半导体区表面的具有第二导电性的且杂质固浓度高的多晶硅层；建构于所述第一半导体区表面并由多晶硅层覆盖的MIS结构；其中，对具有第一导电性半导体构成的衬底和具有第二导电性的第二半导体区间形成的PN结上施加反向偏置和MIS结构在反向偏置下感应产生的第一半导体区的表面耗尽和电场分散，共同产生稳压器件的理想稳压特性。本发明应用于半导体器件制造领域。
半导体稳压器件及其制造方法

[发明专利]利用芯片上电阻存储器阵列的不可克隆特性的独特芯片标识符-CN202180006606.4在审
发明人：赵星贤;H·纳扎里安;桑·阮;J·盖伊;Z·李 -专利权人：科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置，其包括多个双端电阻开关装置(420)，其中与电阻开关层(324)接触的电极(322)具有大于2nm的均方根表面粗糙度(425、427)，并且两个电阻开关装置的本征特性的相关系数在‑半导体芯片上的电阻开关装置的随机物理特性可以用于产生用于该半导体芯片的电子识别的独特数据，以验证与该半导体芯片的通信或产生加密密钥。
利用芯片电阻存储器阵列不可克隆特性独特标识符

[发明专利]利用芯片上电阻存储器阵列的不可克隆特性的独特芯片标识符-CN202210660592.4在审
发明人：赵星贤;H·纳扎里安;桑·阮;J·盖伊;Z·李 -专利权人：昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置，其包括多个双端电阻开关装置(420)，其中与电阻开关层(324)接触的电极(322)具有大于2nm的均方根表面粗糙度(425、427)，并且两个电阻开关装置的本征特性的相关系数在‑半导体芯片上的电阻开关装置的随机物理特性可以用于产生用于该半导体芯片的电子识别的独特数据，以验证与该半导体芯片的通信或产生加密密钥。
利用芯片电阻存储器阵列不可克隆特性独特标识符

[发明专利]利用芯片上电阻存储器阵列的不可克隆特性的独特芯片标识符-CN202210673630.X在审
发明人：赵星贤;H·纳扎里安;桑·阮;J·盖伊;Z·李 -专利权人：昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置，其包括多个双端电阻开关装置(420)，其中与电阻开关层(324)接触的电极(322)具有大于2nm的均方根表面粗糙度(425、427)，并且两个电阻开关装置的本征特性的相关系数在‑半导体芯片上的电阻开关装置的随机物理特性可以用于产生用于该半导体芯片的电子识别的独特数据，以验证与该半导体芯片的通信或产生加密密钥。
利用芯片电阻存储器阵列不可克隆特性独特标识符

[发明专利]利用芯片上电阻存储器阵列的不可克隆特性的独特芯片标识符-CN202210683856.8在审
发明人：赵星贤;H·纳扎里安;桑·阮;J·盖伊;Z·李 -专利权人：昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置，其包括多个双端电阻开关装置(420)，其中与电阻开关层(324)接触的电极(322)具有大于2nm的均方根表面粗糙度(425、427)，并且两个电阻开关装置的本征特性的相关系数在‑半导体芯片上的电阻开关装置的随机物理特性可以用于产生用于该半导体芯片的电子识别的独特数据，以验证与该半导体芯片的通信或产生加密密钥。
利用芯片电阻存储器阵列不可克隆特性独特标识符

[发明专利]利用芯片上电阻存储器阵列的不可克隆特性的独特芯片标识符-CN202210660594.3在审
发明人：赵星贤;H·纳扎里安;桑·阮;J·盖伊;Z·李 -专利权人：昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置，其包括多个双端电阻开关装置(420)，其中与电阻开关层(324)接触的电极(322)具有大于2nm的均方根表面粗糙度(425、427)，并且两个电阻开关装置的本征特性的相关系数在‑半导体芯片上的电阻开关装置的随机物理特性可以用于产生用于该半导体芯片的电子识别的独特数据，以验证与该半导体芯片的通信或产生加密密钥。
利用芯片电阻存储器阵列不可克隆特性独特标识符

[发明专利]一种半导体尺寸的测量计算方法、装置及计算机存储介质-CN202110744197.X有效
发明人：禇汉友;张雪娜;洪峰;李卓;张丽娟;袁方琼;王岚 -专利权人：深圳市埃芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G06F17/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体尺寸的测量计算方法、装置及计算机存储介质，涉及测量技术领域。该测量计算方法包括：获取半导体的特性参数；基于特性参数和严格耦合波分析法，构建耦合波方程组；基于帕德近似法，对耦合波方程组进行求解，以得到半导体的结构尺寸。通过这种方式，能够加快对该耦合波方程的求解，进而提高半导体尺寸的测量计算速度。
一种半导体尺寸测量计算方法装置计算机存储介质

[发明专利]半导体元件的接合方法及接合结构-CN201280050852.0有效
发明人：水野英范;牧田纪久夫 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供在界面确保优良的导电性及透明性并将半导体元件接合的方法以及基于该接合方法的接合结构。提供在界面确保优良的导电性并且能够进行有利于元件特性的光学特性的设计的半导体元件的接合方法以及基于该接合方法的接合结构。将未被有机分子覆盖的导电性纳米粒子无光学损失地配置于半导体元件的表面，使另一个半导体元件压接于该导电性纳米粒子上。
半导体元件接合方法结构

[发明专利]并苯噻吩半导体-CN200480023410.2有效
发明人：克里斯多佛·P·格拉赫 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2004-06-25 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： C07D333/06 文献下载
摘要：本发明公开了可用作有机半导体的并苯噻吩化合物。这类化合物，当在有机薄膜晶体管中用作半导体层时显示出可与并五苯器件特性相比的器件特性，如电荷载体流动性和电流开/关比。还描述了含有至少一种本发明化合物的半导体器件；以及含有所述半导体器件的制品，如薄膜晶体管或晶体管阵列，及场致发光灯。
噻吩半导体

[发明专利]具有涂有聚合物的铜线的半导体封装及其制造方法-CN200780000715.5无效
发明人：吴周锡;金义德;朴琦锡;辛承桓 -专利权人：韩华石油化学株式会社
申请日： 2007-05-03 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及具有铜线或铜合金线的半导体封装，所述铜线或铜合金线保持优良的可靠性和防止电特性劣化的特性。半导体封装包括半导体芯片焊盘、端子和用于连接半导体芯片焊盘和端子的涂有聚合物的线。
具有聚合物铜线半导体封装及其制造方法

[发明专利]具有叠层有源层的薄膜晶体管及其制备方法-CN201610020616.4有效
发明人：宁洪龙;曾勇;刘贤哲;郑泽科;姚日晖;兰林锋;王磊;徐苗;邹建华;陶洪;彭俊彪;吴为敬 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述具有叠层有源层的薄膜晶体管由至少两组子有源层依次叠设沉积构成有源层，子有源层包括一层导体/半导体层和一层绝缘层，绝缘层沉积于所述导体/半导体层上。导体/半导体层为具有导体特性或者半导体特性的三元氧化物ABO，绝缘层为具有绝缘体特性的二元氧化物AO，其中A、B分别代表金属元素；三元氧化物ABO中A元素为Al、Zr、Hf、La或Lu，B元素为Zn或In
具有有源薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管的半导体层用氧化物和溅射靶以及薄膜晶体管-CN201180037189.6有效
发明人：森田晋也;三木绫;岩成裕美;钉宫敏洋;安野聪;朴在佑;李制勋;安秉斗 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在保护膜形成后也可以稳定获得良好的特性的薄膜晶体管半导体用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物含有Zn、Sn和Si。
薄膜晶体管半导体氧化物溅射以及