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[发明专利]半导体基板的处理方法-CN200910137337.6有效
发明人：吴孟修;陈永芳;戴煜暐;王嘉庆;温志中;洪傅献;邱颂盛 -专利权人：新日光能源科技股份有限公司
申请日： 2009-04-24 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种半导体基板的处理方法，其应用在光电转换模块，处理方法包括下列步骤：提供一半导体基板，其具有两个表面；对半导体基板的至少一个表面进行结构化处理；对半导体基板的所述表面进行扩散；涂布一抗反射层在半导体基板的所述表面；以及机械表面处理半导体基板的两个表面的至少一个表面，且机械表面处理半导体基板的两个表面的至少一个表面的步骤施行在上述任两个连续的步骤之间。因此，经过机械表面处理后的半导体基板的表面能更加粗糙，且同时使原本存在半导体基板内部的缺陷能聚集在半导体基板的表面，并通过后续处理以一并地对聚集在半导体基板的表面的缺陷移除，以提高半导体基板整体的光电转换效率
半导体处理方法

[发明专利]半导体基板及其表面研磨方法-CN201811261184.1有效
发明人：李荣军 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体基板及其表面研磨方法，其中，所述半导体基板表面研磨方法包括：在半导体基板的正面设置一层保护层；将所述半导体基板放置在研磨装置中，并用研磨液和第一研磨粉对所述半导体基板的背面进行研磨；对所述半导体基板进行洁净处理；将所述半导体基板放置在所述研磨装置中，并用研磨液和第二研磨粉对所述半导体基板的背面进行研磨；对所述半导体基板进行洁净处理；去除所述半导体基板上的所述保护层，将所述半导体基板放置在所述研磨装置中，并用研磨液和第三研磨粉对所述半导体基板的正面进行研磨。本发明能够提高半导体基板表面的研磨精度。
半导体及其表面研磨方法

[发明专利]光伏器件及其制造方法-CN200880011759.2有效
发明人：山崎舜平;荒井康行 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-03-17 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：一种光伏器件使用与单晶半导体基板或多晶半导体基板分离的单晶或多晶半导体层作为光电转换层，并且具有SOI结构，在该结构中，半导体层与具有绝缘表面的基板或绝缘基板接合。单晶半导体层是单晶半导体基板的分离的表面层部分并被转移，该单晶半导体层被用作光电转换层，且包含在光入射表面或者相背表面加入了氢或卤素的杂质半导体层。将该半导体层固定于具有绝缘表面的基板或绝缘基板。
器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置和电子设备-CN201980055411.1在审
发明人：三桥生枝;岩渕寿章 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明的半导体装置包括第一半导体基板、第二半导体基板以及具有第一保护元件、第二保护元件和第三保护元件的至少一个保护结构。第一半导体基板和第二半导体基板在第一半导体基板的表面和第二半导体基板的表面之间的接合界面处彼此接合。第一保护元件在第一半导体基板中并且通过第一半导体基板的一部分与第三保护元件间隔开，第二保护元件在第二半导体基板中通过第二半导体基板的一部分与第三保护元件间隔开，并且第三保护元件包括在第一表面和第二表面中的用于将第一半导体基板接合到第二半导体基板的部分
半导体装置电子设备

[发明专利]半导体分隔装置-CN201910549165.7有效
发明人： I·D·裘兰德;D·里奇;G·哈里斯 -专利权人：朗美通技术英国有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本文描述一种半导体基板堆，其包括：在堆中布置的多个半导体基板，其中半导体基板包括多个相对的面对表面，其中相邻的半导体基板的所述面对表面由间隙隔开，每个半导体基板在所述堆的暴露边缘处具有边缘表面。间隔件附接到至少一个半导体基板中的每一者的多个面对表面中的一者上，并在相邻的半导体基板之间延伸以限定所述间隙并掩蔽每个各自半导体基板的中心部分。
半导体分隔装置

[发明专利]堆叠式半导体结构及其制造方法-CN201410122664.5有效
发明人：沈家贤;颜瀚琦;刘盈男;李维钧 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种堆叠式半导体结构及其制造方法。堆叠式半导体结构包括第一基板、第二基板、第一半导体芯片、第二半导体芯片及表面黏贴元件。第一基板具有上表面。第二基板具有下表面。第一半导体芯片设于第一基板的上表面。第二半导体芯片设于第二基板的下表面。第一表面黏贴元件设于第一基板的上表面与第二基板的下表面之间并电性连接第一基板与第二基板。由于第一表面黏贴元件位于第一基板与第二基板之间，如此可缩小半导体结构的尺寸。
堆叠半导体结构及其制造方法

[发明专利]堆叠式半导体结构及其制造方法-CN201710524769.7有效
发明人：沈家贤;颜瀚琦;刘盈男;李维钧 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种堆叠式半导体结构及其制造方法。堆叠式半导体结构包括第一基板、第二基板、第一半导体芯片、第二半导体芯片及表面黏贴元件。第一基板具有上表面。第二基板具有下表面。第一半导体芯片设于第一基板的上表面。第二半导体芯片设于第二基板的下表面。第一表面黏贴元件设于第一基板的上表面与第二基板的下表面之间并电性连接第一基板与第二基板。由于第一表面黏贴元件位于第一基板与第二基板之间，如此可缩小半导体结构的尺寸。
堆叠半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造工艺以及电子装置-CN201210052600.3有效
发明人：长田昌也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造工艺以及电子装置。所述半导体器件包括包括半导体的半导体基板；形成在所述半导体基板内的第一表面侧上的电极层；层叠在所述半导体基板的第一表面上的框体层；导体层，形成在通过使所述电极层在所述半导体基板的第一表面上暴露出来的方式加工所述半导体基板和所述框体层而形成的开口部分中；纵孔，形成为从所述半导体基板的第二表面穿透所述半导体基板直到所述导体层；和配线层，在所述纵孔的端部处经由所述导体层电气地连接至所述电极层，并延伸至所述半导体基板的第二表面。
半导体器件及其制造工艺以及电子装置

[发明专利]太阳能电池-CN200710096766.4无效
发明人：朴相昱 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2007-04-06 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种太阳能电池，包括：半导体基板，具有第一部分和第二部分；半导体基板的发射体部分，设置在半导体基板的前表面上，并且延伸到半导体基板的第一部分的后表面；第一电极，电连接到半导体基板的发射体部分，并且设置在半导体基板的后表面上；和第二电极，电连接到半导体基板，并且设置在半导体基板的后表面上。半导体基板的第一部分薄于半导体基板的第二部分。
太阳能电池

[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法-CN201710976438.7有效
发明人：长田昌也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：半导体基板，包括半导体；玻璃基板，在所述半导体基板的上方；电极层，形成在所述半导体基板的第一表面侧上；导体层，形成在至少所述半导体基板的所述第一表面上；孔，形成为从所述半导体基板的第二表面穿过所述半导体基板和所述电极层至所述导体层；以及配线层，其形成于所述孔中，通过在所述半导体基板的所述第一表面上的所述导体层电连接至所述电极层，所述配线层通过设置在所述配线层和所述电极层之间的绝缘层从所述电极层物理分离。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体基板以及半导体基板的制造方法-CN201480071089.9在审
发明人：今冈功;内田英次;须田淳 -专利权人：株式会社丰田自动织机;须田淳
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体基板及其制造方法。本发明提供一种多种半导体层露出于表面的半导体基板。半导体基板具备：支承基板、被配置于支承基板的表面的单晶的第1半导体层、被配置于第1半导体层的表面的一部分的单晶的第2半导体层、以及被配置于第1半导体层的未配置有第2半导体层的表面的单晶的第3半导体层。第3半导体层的晶体取向与第1半导体层一致，并由与第1半导体层相同材料形成。
半导体以及制造方法

[发明专利]半导体装置及制造方法-CN201780033306.9有效
发明人：吉田崇一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，具备：半导体基板；晶体管部，其设置于半导体基板，且在半导体基板的上表面侧具有第一导电型的发射区，在半导体基板的下表面侧具有第二导电型的集电区；二极管部，其设置于半导体基板，且在半导体基板的下表面侧具有第一导电型的阴极区；边界部，其在半导体基板设置于晶体管部与二极管部之间，在半导体基板的上表面侧不具有发射区，在半导体基板的背面侧具有集电区，晶体管部具有一个以上的栅极沟槽部，所述栅极沟槽部从半导体基板的上表面起设置到比发射区深的位置为止，且被施加栅极电位，在二极管部和边界部的一部分区域，在半导体基板的上表面侧设置有上表面侧寿命减少区，在与半导体基板的上表面平行的面的与晶体管部的栅极沟槽部重叠的区域，未设置上表面侧寿命减少区。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体元件的制程方法-CN201010130563.4无效
发明人：陈永芳;王嘉庆;吴孟修;林思佑;戴煜暐 -专利权人：新日光能源科技股份有限公司
申请日： 2010-03-11 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种半导体元件的制程方法，包括下列步骤：提供一半导体基板；清洗半导体基板；将半导体基板的第一表面进行结构化处理；将半导体基板的第一表面进行扩散；涂布一抗反射层在半导体基板的第一表面上；形成至少一电极层在半导体基板的第一表面上并构成一半导体元件；以及提供可改变气体的环境，致使气体原子或离子可与半导体元件表面和内部起反应，而提升光电转换效率。
半导体元件方法

[发明专利]半导体基板供给方法及半导体基板供给装置-CN201410445924.2有效
发明人：德山秀树;高瀬慎二 -专利权人：东和株式会社
申请日： 2014-09-03 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供向半导体封装模具的半导体基板供给方法及半导体基板供给装置，使用通常的半导体基板运送机构，向具备浇口块模具结构的半导体封装模具中的半导体基板放置用凹处供给并放置半导体基板。在上下两模的合模时将半导体基板运送至待机在固定操作空间位置的半导体基板接收部的位置上，接着将半导体基板固定在半导体基板接收部上，接着向浇口块的伸出部位的上下移动操作空间侧移送半导体基板接收部，接着使半导体基板接收部上固定的半导体基板的表面(半导体元件安装面)与浇口块的伸出部位接合并设定为浇口块的树脂通道用凹槽与半导体基板的表面不接触，接着将上下两模合模并将半导体基板供给并放置在半导体封装模具中的半导体基板放置用凹处。
半导体供给方法装置

[发明专利]半导体装置和使用它的电子设备及半导体装置的制造方法-CN200980134247.X无效
发明人：佐野光 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-11-30 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种能够提高耐湿性的半导体装置。本发明的半导体装置具有：半导体基板(1)；在半导体基板(1)的表面上设置的受光元件(2)；在半导体基板(1)的表面的上方设置的透光性基板(4)；在半导体基板(1)的表面和透光性基板(4)的表面之间设置的、在半导体基板(1)上固定透光性基板(4)的粘接剂层(5)；和覆盖上述粘接剂层(5)的不与透光性基板(4)以及半导体基板(1)连接的侧面的绝缘膜(8)。
半导体装置使用电子设备制造方法

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