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[发明专利]化合物半导体衬底的制造方法-CN02105475.4无效
发明人：宫嶋孝夫;富谷茂隆;碓井彰 -专利权人：索尼公司;日本电气株式会社
申请日： 2002-04-05 - 公布日： 2002-11-20 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：借助于在单晶衬底上制作结晶缺陷较少的高质量化合物半导体层,并清除单晶衬底而不引起对化合物半导体层的损伤,制造了化合物半导体衬底。此方法包含下列步骤通过晶体生长,在单晶衬底(蓝宝石衬底)上制作化合物半导体层(第一、第二和第三化合物半导体层),使化合物半导体层与单晶衬底之间局部具有间隔;以及借助于利用通过单晶衬底并在化合物半导体层中被吸收以熔化单晶衬底与化合物半导体之间的界面的激光束,从蓝宝石衬底侧辐照化合物半导体层,而从蓝宝石衬底清除化合物半导体层。
化合物半导体衬底制造方法

[发明专利]一种制备配位化合物单晶或无定型物的方法-CN201911039675.6在审
发明人：王健君;范庆瑞;周昕;吕健勇 -专利权人：中国科学院化学研究所;中国科学院大学
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明涉及单晶制备技术领域，具体是涉及一种制备配位化合物单晶或无定型物的方法。所述方法以溶液冻结诱导配位化合物的成核与结晶，在溶液的冻结过程中实现溶解的配位化合物的结晶，快速有效的制备配位化合物的单晶或无定型物。同时，解决传统配位化合物单晶制备与培养中难以结晶分子的单晶或无定型物制备问题。所述方法首次实现极低溶液浓度下配位化合物单晶或无定型物的获取；还解决了高浓度下由于配位化合物的聚集过快而导致的单晶形成不易控制、易形成多晶，孪晶等问题。所述方法适用范围广，对于现有的配位化合物均适用。
配位化合物单晶无定型物制备单晶制备结晶分子溶液冻结成核多晶孪晶溶解诱导冻结

[发明专利]化合物半导体衬底的制造方法-CN200810170558.9无效
发明人：宫孝夫;富谷茂隆;碓井彰 -专利权人：索尼株式会社;日本电气株式会社
申请日： 2002-04-05 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物半导体衬底的制造方法，其借助于在单晶衬底上制作结晶缺陷较少的高质量化合物半导体层，并清除单晶衬底而不引起对化合物半导体层的损伤，制造了化合物半导体衬底。此方法包含下列步骤：通过晶体生长，在单晶村底(蓝宝石衬底)上制作化合物半导体层(第一、第二和第三化合物半导体层)，使化合物半导体层与单晶衬底之间局部具有间隔；以及借助于利用通过单晶衬底并在化合物半导体层中被吸收以熔化单晶衬底与化合物半导体之间的界面的激光束，从蓝宝石衬底侧辐照化合物半导体层，而从蓝宝石衬底清除化合物半导体层。
化合物半导体衬底制造方法

[发明专利]聚阴离子型正极材料及其制备方法、钠离子电池-CN202310761293.4在审
发明人：林新丽;徐家樑;吕江英 -专利权人：深圳盘古钠祥新能源有限责任公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：所述聚阴离子型正极材料由以下组份组成：单晶搭多晶聚阴离子化合物、导电剂、聚偏二氟乙烯和有机溶剂；按质量比计，单晶搭多晶聚阴离子化合物：导电剂：聚偏二氟乙烯＝(8‑9.5)：(0.25‑1)：(0.25‑1)；所述有机溶剂占聚阴离子型正极材料总体固含量的50％；所述单晶搭多晶聚阴离子化合物包括单晶大颗粒聚阴离子化合物、单晶小颗粒聚阴离子化合物、多晶大颗粒聚阴离子化合物、多晶小颗粒聚阴离子化合物和类单晶聚阴离子化合物
聚阴离子正极材料及其制备方法钠离子电池

[发明专利]化合物单晶及其制备方法-CN202011136473.6有效
发明人：陆明;李锡祯;欧霄 -专利权人：中山大学
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明提供一种化合物单晶及其制备方法。所述化合物单晶的制备方法包括以下步骤：1)熔融化合物，获取过冷熔体，向所述过冷熔体中引入化合物目标晶型的晶种，或使所述过冷熔体自发成核，得化合物目标晶型的多晶样品；2)以0.1‑100℃/min的升温速率第一次升温，将所述化合物目标晶型的多晶样品升温至T3，所述T3比Tm低0.5‑8℃，然后以0.1‑20℃/min的升温速率第二次升温，直至获得1‑10颗化合物目标晶型的单晶晶核；3)降温培养，得单晶。上述制备方法，从过冷熔体中选择性培养出化合物目标晶型的大尺寸、高质量单晶，成功解析出多种业界多年来无法解析的单晶结构。
化合物及其制备方法

[发明专利]化合物半导体单晶薄膜层的转移方法及单晶GaAs-OI复合晶圆的制备方法-CN201910703731.5有效
发明人：代京京;王智勇;兰天 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种化合物半导体单晶薄膜层的转移方法及单晶GaAs‑OI复合晶圆的制备方法，包括：在第一衬底上制备石墨过渡层；在石墨过渡层上生长化合物半导体单晶薄膜层；在化合物半导体单晶薄膜层上制备第一介质层；在第二衬底上制备第二介质层；通过第一介质层和第二介质层的键合，使第一衬底和第二衬底相结合；施加一个横向的外部压力，使化合物半导体单晶薄膜层与第一衬底在石墨过渡层处横向分裂，将化合物半导体单晶薄膜层转移到第二衬底上本发明可将外延生长的高质量化合物半导体单晶薄膜层通过介质层键合的方式转移到Si基衬底上，可以实现高质量、大面积、低成本化合物半导体单晶薄膜层在SOI衬底上的制备。
化合物半导体薄膜转移方法 gaas oi 复合制备

[发明专利]氮化镓单晶基板及其制造方法-CN200480006280.1无效
发明人：平松和政;三宅秀人;坊山晋也;前田尚良;小野善伸 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2004-03-04 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有降低了位错密度的III－V族化合物半导体单晶的外延基板的制造方法，其特征在于，在制造具有作为由通式In_xGa_yAl_zN(式中x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)表示的III－V族化合物半导体单晶，降低了位错密度的III－V族化合物半导体单晶的外延基板时，具有第一工序和第二工序，其中所述第一工序，使用具有多个突起状形状的该III－V族化合物半导体单晶，用由与该III－V族化合物半导体异种材料制成的掩模覆盖得仅使该结晶端部附近形成开口部分；所述第二工序，以该开口部分的III－V族化合物半导体单晶作为种晶，使该III－V族化合物半导体单晶沿着横向生长；能够制造位错密度小、弯曲少的氮化物系III－V族化合物半导体单晶的自立基板。
氮化镓单晶基板及其制造方法

[发明专利]氮化物单晶和其生产方法-CN200410069892.7有效
发明人：上松康二;中畑成二 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2004-07-15 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种生产氮化物单晶的方法包括在氮化物晶体(11)的表面上形成含有稀土元素的化合物的材料运输介质层(12)的步骤和和使种晶(13)、和材料运输介质层(12)接触在种晶(13)上生长氮化物单晶(14)的步骤材料运输介质层(12)包含稀土元素的化合物和选自由铝化合物、碱土化合物和过渡金属化合物组成的组中至少一种化合物。用这个生产方法，得到晶体尺寸至少为10mm的大的氮化物单晶。
氮化物生产方法

[发明专利]一种制备单晶二维过渡金属硫族化合物的方法-CN201911065167.5有效
发明人：刘开辉;王金焕;徐小志 -专利权人：北京大学
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备单晶二维过渡金属硫族化合物的方法，所述方法包括以特定晶向的a‑plane三氧化铝作为衬底，高温下生长大面积单晶二维过渡金属硫族化合物，其中，所述特定晶向为11‑20/0001。所述二维过渡金属硫族化合物包含二硒化钼、二硫化钼、二硒化钨等所有过渡金属硫族化合物。所述方法解决了化学气相沉积法制备二维过渡金属硫族化合物单晶尺寸小的问题。通过简单、高效的方法，实现了单晶二维过渡金属硫族化合物的制备。
一种制备二维过渡金属化合物方法

[发明专利]直接用于X射线单晶衍射分析的二甲氧基紫杉烷类化合物单晶晶体的制备方法-CN201110321866.9有效
发明人：陈磊;郑伟;李隆;王琼;徐信保 -专利权人：江苏红豆杉生物科技有限公司
申请日： 2011-10-20 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C07D305/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种直接用于X射线单晶衍射分析的二甲氧基紫杉烷类化合物单晶晶体的制备方法，属于化合物结构表征样品制备技术领域。取二甲氧基紫杉烷类化合物加入到良性溶剂中，加入量为每500mg二甲氧基紫杉烷类化合物加入0.5-500mL，随后边搅拌边加入不良溶剂，直至其有浑浊生成，加热使浑浊消失，室温下静置结晶，即得单晶晶体。本发明制备的二甲氧基紫杉烷类化合物单晶晶体可直接用于X射线单晶衍射分析，简单明了，准确性高。
直接用于射线衍射分析二甲紫杉化合物晶体制备方法

[发明专利]化合物单晶及其制备方法-CN201911011075.9在审
发明人：陆明;李锡祯;欧霄 -专利权人：中山大学
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明提供一种化合物单晶及其制备方法。所述化合物单晶的制备方法包括以下步骤：1)熔融化合物，获取过冷熔体，向所述过冷熔体中引入化合物目标晶型的晶种，或使所述过冷熔体自发成核，得化合物目标晶型的多晶样品；2)以0.1‑100℃/min的升温速率将所述化合物目标晶型的多晶样品升温至
晶型过冷熔体制备化合物单晶多晶解析熔点高质量单晶熔融化合物选择性培养变化调整单晶结构恒温培养自发成核单晶晶核晶种引入成功

[发明专利]过渡金属硫族化合物单晶及其制备方法-CN202110452422.2有效
发明人：时玉萌 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本申请属于材料制备技术领域，尤其涉及一种过渡金属硫族化合物单晶及其制备方法。其中，过渡金属硫族化合物单晶的制备方法，包括步骤：获取生长基板，将所述生长基板置于半封闭夹具中，进行退火处理，得到退火后的生长基板；基于气相沉积法，在所述退火后的生长基板表面生成单向排列的过渡金属硫族化合物晶粒，得到取向一致的过渡金属硫族化合物单晶。本申请过渡金属硫族化合物单晶的制备方法，将生长基板置于半封闭夹具中进行高温退火处理，提高生长基板表面原子的重排效率，产生所需的阶梯结构，提高生长基板表面的平整度和有序性，有利于过渡金属硫族化合物晶粒在衬底表面单向排列生长，形成大面积相同取向的面内晶向过渡金属硫族化合物单晶。
过渡金属化合物及其制备方法

[发明专利]化合物单晶及其制备方法-CN202011137678.6有效
发明人：陆明;黄思咏;李锡祯;欧霄 -专利权人：中山大学
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C07D333/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物单晶及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：1)熔融化合物，至获得直径为100μm‑5mm的过冷熔体小液滴；2)使过冷熔体小液滴在T1温度下自发成核，获得一颗所述化合物目标晶型的单晶晶核，TgT1Tm；若未获得一颗化合物目标晶型的单晶晶核，将温度从T2，T1T2Tm，直至获得一颗所述化合物目标晶型的单晶晶核；3)将含有一颗所述化合物目标晶型的单晶晶核的过冷熔体小液滴培养成单晶。
化合物及其制备方法

[发明专利]化合物单晶及其制备方法-CN201911010725.8在审
发明人：陆明;黄思咏;李锡祯;欧霄 -专利权人：中山大学
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： C07D333/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物单晶及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：1)熔融化合物，至获得直径为100μm‑5mm的过冷熔体小液滴；2)使过冷熔体小液滴在T1温度下自发成核，获得一颗所述化合物目标晶型的单晶晶核base:Sub>g<T1<Tm，Tg为所述化合物目标晶型的玻璃化转变温度，Tm为所述化合物目标晶型的熔点；3)若未获得一颗化合物目标晶型的单晶晶核，将温度从T1升高至T2，保持T1<T2<Tm，直至获得一颗所述化合物目标晶型的单晶晶核
化合物及其制备方法

[发明专利]具有单晶声学谐振器/滤波器的异质集成宽带高电子迁移率晶体管功率放大器-CN202180028660.9在审
发明人： J-H·兰;R·达塔;金钟海 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H03H9/05 文献下载
摘要：该3D IC芯片包括具有化合物半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)有源器件(410)的管芯(440)。该化合物半导体HEMT有源器件由单晶化合物半导体层上的化合物半导体层(420)组成。该3D IC芯片还包括集成在该单晶化合物半导体层中的声学器件(430)。该3D IC芯片还包括无源器件，该无源器件集成在该单晶化合物半导体层上的该管芯的后段制程层(450)中。
具有声学谐振器滤波器集成宽带电子迁移率晶体管功率放大器

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