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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有高可靠性的可精细构图的碳纳米管发射体的制造方法-CN200710196272.3有效
发明人：金大俊;宋润镐;郑珍宇 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2007-12-07 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种场发射装置的碳纳米管的制造方法，其中添加了纳米尺寸的金属颗粒，由此大大提高了发射体的可靠性。CNT发射体的制造方法包括(a)在溶剂中分散CNT粉末、有机粘合剂、光敏材料、单体、和纳米尺寸的金属颗粒，由此制造CNT浆料；(b)在基底上方形成的电极上涂覆CNT浆料；(c)曝光涂覆在电极上的CNT浆料
具有可靠性精细构图纳米发射制造方法

[发明专利]正极混合物、非水电解质二次电池、及其制造方法-CN200710307200.1有效
发明人：石井武彦;渡边美树男 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种正极混合物、非水电解质二次电池及其制造方法。根据本发明的用于非水电解质二次电池的正极混合物，包括：具有橄榄石型晶体结构的正极活性物质；以及并不有助于充电和放电的无机氧化物。本发明的非水电解质二次电池的制造方法包括以下步骤：混合并分散具有橄榄石型晶体结构的正极活性物质和并不有助于充电和放电的无机氧化物，以及通过分散的正极活性物质和分散的无机氧化物制造正极。
正极混合物水电二次电池及其制造方法

[发明专利]背照式图像传感器及其制造方法-CN200710153264.0有效
发明人：许慈轩;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-09-29 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明揭示一种背照式图像传感器及其制造方法。所述图像传感器的制造方法包括提供一基底，其具有一第一导电型及一第一电位。在基底内形成具有一第二导电型的一耗尽区。延伸耗尽区。缩减基底的厚度。本发明的背照式图像传感器及其制造方法通过在P^－基底背表面注入P⁺离子之前，缩减P^－基底的厚度而形成用以提供电性接地并降低漏电流的浅P
背照式图像传感器及其制造方法

[发明专利]一种低偏析大型钢锭制造方法-CN200810010341.1有效
发明人：康秀红;陈露贵;夏立军;李殿中;傅排先;李依依 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2008-02-03 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： B22D7/02 文献下载
摘要：本发明涉及低偏析大型钢锭制造技术，具体地说是一种低偏析大型钢锭制造方法。本发明适用于所有规格、所有材质的砂型和金属型的大型钢锭制造。
一种偏析大型钢锭制造方法

[发明专利]内燃机用复合密封件的制造方法-CN200610154756.7有效
发明人：施中堂 -专利权人：舟山市海霖密封件有限公司
申请日： 2006-11-22 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： B29C45/14 文献下载
摘要：本发明提供的内燃机用复合密封件的制造方法，先以金属和/或工程塑料以模制成型工艺制成骨架，再将骨架置于模具内，采用模制成型工艺在骨架上复合合成橡胶密封线，制成以金属和/或工程塑料材料为骨架，以合成橡胶为密封线的复合密封件本发明提供的内燃机用复合密封件的制造方法制得的密封件，其稳定性和耐久性良好，具有已往金属橡胶复合密封件的优势。还由于采用模制工艺，且先制骨架后复合密封线，使原料利用率从理论上讲是100％，能降低资源消耗和以往无石棉密封件、整体制板再冲压制作金属橡胶复合密封件成本过高等问题，并消除了上述两种密封件制造中使用溶剂所致的材料消耗和污染环境问题
内燃机复合密封件制造方法

[发明专利]一种X80管线钢JCOE直缝埋弧焊管的制造方法-CN200710185346.3有效
发明人：王晓香;李延丰;任景辉;张远生;张雷;王刚;陈小伟;郭振其;张涵 -专利权人：华北石油管理局第一机械厂
申请日： 2007-12-10 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： B21C37/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种X80管线钢JCOE直缝埋弧焊管的制造方法，它应用于制造高强度高韧性石油天然气的输送管路。Cu 0.5～0.7％的HTP X80控轧钢板；钢板经铣边、弯边、多道次压下的“JCO”成型工艺、气体保护预焊、内焊、外焊、扩径、超声波检查、X射线检查、水压试验、管端到棱、超声波检查、X射线检查等工序制造成高强度高韧性的石油天然气输送管
一种 x80 管线 jcoe 直缝埋弧焊管制造方法

[发明专利]一种模壳构件成型模具-CN200710186864.7有效
发明人：邱则有 -专利权人：邱则有
申请日： 2004-01-20 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： B28B7/22 文献下载
摘要：这样，拧松拼合装置后，脱模非常方便；同时，在侧模面或者底模面设置有凸形构造或凹形构造，可相应在模壳构件上形成凸形构造或凹形构造；此外，模具还具有结构简单、制造容易、强度高、成本低等特点，适用于制造薄壁管或薄壁盒，尤其适用于制造开口的薄壁管或开口的薄壁盒。
一种构件成型模具

[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置-CN200710196755.3有效
发明人：驹井尚纪;中村卓矢 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-12-06 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，能缓和由半导体衬底与埋入导体层之间的热膨胀差而引起的影响，不需要高精度对准位置就能形成希望的过孔。本发明半导体装置的制造方法在半导体衬底(衬底本体)(21)的第一面(21A)侧设置元件形成层(30)，在与半导体衬底(21)第一面(21A)相对的第二面(21B)侧设置经由过孔而与元件形成层(30)电连接的外部连接端子(48)，该半导体装置的制造方法中，所述过孔经过下面的工序形成：在所述第一面(21A)形成相对半导体衬底(21)电绝缘的埋入导体层(27)的工序、在所述第二面(21B)形成与埋入导体层(27)连络的连络孔
半导体装置制造方法

[发明专利]一种模壳构件成型模具-CN200710194518.3有效
发明人：邱则有 -专利权人：邱则有
申请日： 2004-01-20 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： B28B7/22 文献下载
摘要：这样，拧松拼合装置后，脱模非常方便；同时，在侧模面或者底模面设置有凸形构造或凹形构造，可相应在模壳构件上形成凸形构造或凹形构造；此外，模具还具有结构简单、制造容易、强度高、成本低等特点，适用于制造薄壁管或薄壁盒，尤其适用于制造开口的薄壁管或开口的薄壁盒。
一种构件成型模具

[发明专利]一种模壳构件成型模具-CN200710193947.9有效
发明人：邱则有 -专利权人：邱则有
申请日： 2004-01-20 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： B28B7/22 文献下载
摘要：这样，拧松拼合装置后，脱模非常方便；同时，在侧模面或者底模面设置有凸形构造或凹形构造，可相应在模壳构件上形成凸形构造或凹形构造；此外，模具还具有结构简单、制造容易、强度高、成本低等特点，适用于制造薄壁管或薄壁盒，尤其适用于制造开口的薄壁管或开口的薄壁盒。
一种构件成型模具

[发明专利]线路板及其制造方法-CN201610246590.5有效
发明人：殷方胜 -专利权人：泰和电路科技（惠州）有限公司;惠州泰科立集团股份有限公司
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明涉及电子线路领域，特别是涉及线路板及其制造方法，线路板包括具有多个线路层和多个绝缘层的板体，还包括铜皮和导热涂层，每一铜皮设置于一线路层的边缘区域并与线路层内的接地铜面连接；导热涂层包裹于板体的上表面和下表面的边缘区域线路板的制造方法包括设置、表面处理、销切以及喷涂等步骤。上述线路板及其制造方法，通过导热涂层与线路板的各线路层的接地铜面连接，形成三维散热的方式，增加了散热面积，通过导热涂层将线路板内层线路产生的热量快速传递散发至板体外，降低线路板起泡、分层等不良缺陷，提高线路板可靠性能
线路板及其制造方法

[发明专利]MOS电路制造方法及MOS电路-CN201410790173.8有效
发明人：潘光燃;文燕;王焜;石金成;高振杰 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种MOS电路制造方法及MOS电路，其中方法包括：在衬底上形成阱区，在所述阱区上形成氧化层；在所述氧化层上淀积未掺杂的多晶硅膜层；对所述多晶硅膜层进行第一掺杂；对所述多晶硅膜层进行光刻、刻蚀，本发明提供的MOS电路制造方法及MOS电路中，二极管和电阻仅用两次掺杂工艺即可形成，不需要对二极管和电阻分别设置光刻、掺杂工艺，能够提高MOS电路的制造效率，并且降低工艺成本。
mos 电路制造方法

[发明专利]一种用于拉远的光电综合缆及其制造方法-CN201610234189.X有效
发明人：陈卫峰;季忠;吴建华;李苏盈 -专利权人：江苏通光信息有限公司
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01B11/22 文献下载
摘要：本发明还揭示用于拉远的光电综合缆的制造方法。本发明具有结构简单、易于制造、衰减常数更低、使用更方便灵活、温度适应范围更宽、易制造、投入少等有益效果。
一种用于光电综合及其制造方法

[发明专利]中间带孔硬币及其类似物的压印制造装置及方法-CN200710135054.9有效
发明人：邵继南;檀世明;陆海;李爱民 -专利权人：中国印钞造币总公司
申请日： 2007-11-07 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： A44C21/00 文献下载
摘要：本发明主要涉及一种硬币及其类似物的压印制造装置，同时还涉及相应的制造方法，属于硬币及其类似物制造技术领域。
中间硬币及其类似物压印制造装置方法

[发明专利]激光加工成形制造光内送粉工艺与光内送粉喷头-CN200610116413.1有效
发明人：石世宏;傅戈雁;王安军;张赟;朱鹏飞;胡进 -专利权人：苏州大学
申请日： 2006-09-22 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：一种激光加工成形制造光内送粉工艺与光内送粉喷头，通过圆锥反射镜——圆环形聚焦反射镜扩束变换的方法，获得了圆环锥形聚焦光束，使投射至加工表面的聚焦光束中产生一较大中空无光区。本发明用于金属件激光熔覆快速成形、激光表面加工制造、激光焊接与特种连接、激光修复与再制造等场合。
激光加工成形制造光内送粉工艺喷头

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