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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种划片刀的流转结构-CN202223097066.6有效
发明人：陈昱;马百福;刘学民;董俊男 -专利权人：赛尔科技（如东）有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B65D19/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种划片刀的流转结构，涉及磨具技术领域，包括流转架、设于流转架内部的安装杆、套装于安装杆上的划片刀，所述划片刀的下方一一对应设有托板，所述托板的上下表面均形成有可同时与划片刀的基体上下表面相适配的阶梯式让位结构，所述阶梯式让位结构的四周形成有防护槽，所述划片刀的刀刃落入对应托板的上方防护槽中且与防护槽的内壁面间隔。本实用新型在简化结构，方便划片刀的装配的同时，大幅度地提升了划片刀在运输中的放置平稳性，有效地提高了对于划片刀的刀刃的保护效果，在此基础上，本实用新型中利用防护槽对于划片刀的刀刃进行限位防护，进一步保护了划片刀的刀刃
一种划片流转结构

[实用新型]一种硅晶电池划片定位装置-CN202320763523.6有效
发明人：侯波 -专利权人：北京金研半导体有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B23K26/70 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅晶电池划片定位装置，包括底板，所述底板顶部固定安装有真空吸盘，且真空吸盘顶部固定安装有框体，所述框体顶部两端表面均开设有滑槽，所述滑槽内滑动连接有滑块，所述滑块顶部通过螺丝安装有移动板，且移动板顶部表面开设有划片槽，所述底板一端固定安装有固定座，且固定座顶部固定安装有真空泵，所述真空泵抽气端通过管道连接真空吸盘。本实用新型一种硅晶电池划片定位装置，在将硅晶电池固定后，可以将移动板的划片槽移动至硅晶电池的待划片区域，划片机的激光通过划片槽对硅晶电池进行划片，而当划片机的激光位置错误后激光就无法到达硅晶电池，以避免硅晶电池划片后报废
一种电池划片定位装置

[发明专利]一种半导体晶圆双膜切割方法-CN202210737268.8在审
发明人：张猛 -专利权人：伯恩半导体（河南）有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶片加工技术领域，并公开了一种半导体晶圆双膜切割方法，包括以下步骤，在半导体晶圆正、背面相同位置分别进行经纬标准线划定，使用金刚石双切刀的Z1主轴划片刀分别对晶圆正、背面经纬标准线进行开槽，并分别沿经纬线沿一定步距向两侧进行开槽，在晶圆的正面粘附两层划片膜，两层划片膜由内至外依次为内层划片膜与外层划片膜，且内层划片膜填充在晶圆正面的槽内，使用金刚石双切刀的Z2轴划片刀沿晶圆背面经线槽切穿晶圆，刀片每次切割均切割到内层划片膜，使用金刚石双切刀的Z2轴划片刀沿晶圆背面纬线槽切穿晶圆，刀片每次切割均切割到外层划片膜且不切透外层划片膜，本发明的切割方法可以有效减少晶圆在切割过程背崩的发生。
一种半导体晶圆双膜切割方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202210434954.8在审
发明人：陈宏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：利用同一光罩对介质层执行光刻工艺，形成位于切割道区的划片凹槽和位于芯片功能区的窗口，窗口暴露出部分顶层金属层作为焊盘。形成隔离层，隔离层至少覆盖划片凹槽的侧壁。本发明利用同一光罩，形成划片凹槽和窗口，节省了一道光罩。在切割道区形成划片凹槽，使切割的切口更小；沿着划片凹槽的深度方向切割半导体器件以完成划片，尽可能避免划片时机械应力损伤到芯片功能区，降低了划片时由于切割机械应力产生芯片崩边及芯片破损的概率。隔离层至少覆盖划片凹槽的侧壁，防止介质层中的元素扩散造成污染。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]降低芯片遭到物理应力损伤的激光划片方法-CN201310423337.9有效
发明人：王光振 -专利权人：上海华虹集成电路有限责任公司
申请日： 2013-09-17 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低芯片遭到物理应力损伤的激光划片方法，采用如下技术方案实现从晶圆背面入射激光，首次激光扫描聚焦于晶圆划片道的正表面；选择设定强度的激光源能量，使得晶圆划片道表面晶体间的共价键能被充分的断键形成无定形层，以降低机械应力的传递能力；在同一划片道内的多次激光扫描，扫描激光聚焦深度依次由深到浅；扫描激光聚焦点间的间距设置应确保聚焦点的间距小于等于所用激光源的有效断键区半径。本发明能够极大地减少激光划片对划片道小于20μm的Flash产品的损伤，使激光划片能在划片道小于20μm的Flash产品上得到量产应用。本发明适用于划片道小于20μm的Flash产品。
降低芯片遭到物理应力损伤激光划片方法

[发明专利]背照式晶圆晶边划片深度量测方法-CN201811255917.0有效
发明人：陈超;许向辉;郭贤权;姬峰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种背照式晶圆晶边划片深度量测方法，包括：采用预设方式对划片晶圆晶边进行扫描，获得划片晶圆晶边的光学影像，获取划片晶圆晶边台阶结构直角边造成散射信号通道的分界线，量测各个晶圆晶边位置分界线所在的角度位置，建立划片后晶圆晶边轮廓模型，通过建立的轮廓模型获得划片深度和分界线角度位置的关系函数，将量测得到的角度位置带入关系函数中，计算得到各个晶边位置的划片深度。本发明可以在不破坏晶圆的情况下，高效地量测背照式晶圆在整个圆周上的晶边划片深度，为研发初期划片工艺调整提供可靠的数据支持，加快研发进度，提高产品良率。
背照式晶圆晶边划片深度方法

[发明专利]划片槽及图像传感器晶圆-CN201711423363.6有效
发明人：饶金华;肖海波;刘远良 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及划片槽及图像传感器晶圆。其中划片槽包括激光扫描区域，所述激光扫描区域包括光斑中心区域和位于所述光斑中心区域的两侧并与所述光斑中心区域连接的光斑边缘区域，所述光斑中心区域和所述光斑边缘区域均沿所述划片槽的长度方向延伸，其中，所述划片槽上覆盖有伪金属层，所述伪金属层具有沿所述划片槽的长度方向延伸的开口，所述开口设置于所述光斑边缘区域。在利用激光划片工艺对划片槽进行切割时，可以减少或避免光斑边缘区域的伪金属层被激光熔化后产生金属颗粒。进一步的，在光斑中心区域和划片槽边缘区域均覆盖有伪金属层，从而对半导体芯片工艺稳定性的影响较小。本发明另外还提供了包括上述划片槽的图像传感器晶圆。
划片图像传感器

[实用新型]一种用于芯片划片解离的加工设备-CN202022158160.2有效
发明人：黄祥恩;匡嘉乐 -专利权人：桂林芯隆科技有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： B23K26/70 文献下载
摘要：本实用新型涉及芯片划片设备技术领域，且公开了一种用于芯片划片解离的加工设备，包括工作台和激光划片仪，工作台的顶部开设有定位槽，激光划片仪位于定位槽的正上方，且激光划片仪的底部固定连接有压板，压板的底部开设有多个横纵设置的切割口，激光划片仪的前后两侧壁均固定连接有活动杆，且活动杆的一端贯穿工作台的上侧壁并向外延伸，工作台的底部设有连接板，且连接板的侧壁与多个活动杆的侧壁固定连接设置，工作台的底部还设有与连接板相匹配的驱动机构。本实用新型能够使压板对晶圆片进行压紧和保护，提高激光划片仪划片的效果，且能够对晶圆片的位置进行定位，保证且划片位置的准确性。
一种用于芯片划片解离加工设备

[实用新型]一种电池片划片装置及串焊机-CN202022817153.9有效
发明人：李文;季斌斌;林凯;姜高峰;杜波 -专利权人：无锡奥特维科技股份有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： B23K26/364 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电池片划片装置及串焊机，电池片划片装置包括电池片输入机构、第一搬运机构、检测机构、第二搬运机构、划片机构及电池片调整机构，其中：电池片输入机构用于输入电池片；第一搬运机构用于将电池片搬运至检测机构；所述检测机构用于检测电池片是否合格；第二搬运机构用于将检测合格的电池片搬运至划片机构；划片机构用于对检测合格的电池片进行划片处理，以得到电池片分片；电池片调整机构位于划片机构的后道工位，电池片调整机构用于从划片机构上拾取电池片分片本实用新型在完成电池片划片切分后，实现了对电池片分片的自动调整，提升了生产效率、降低了生产成本。
一种电池划片装置串焊机

[实用新型]一种太阳能电池片高速划片装置-CN202220262995.9有效
发明人：韦孟娣;徐红帅;王雅;吴霏霏;李锦翔 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本申请涉及太阳能电池片加工设备的领域，尤其是涉及一种太阳能电池片高速划片装置，包括：座体；划片机构，划片机构连接于座体上，划片机构具有划片端，划片端上形成有加工工位；以及取像机构，取像机构包括：取像组件光源组件调节加工工位上的光源辐射范围，有利于成像质量，从而提高电池片定位和划片位置的精度。解决了现有技术中电池片划片位置的精度低的技术问题；达到提高电池片划片位置精度的技术效果。
一种太阳能电池高速划片装置

[发明专利]一种降低太阳能电池片划片效率损失的方法-CN202010930751.9在审
发明人：张登科;杨立友;贾慧君;杨文豹 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低太阳能电池片划片效率损失的方法，包括以下步骤，(1)取太阳能电池片进行激光划片，并且在划片前测试太阳能电池片的效率；(2)在太阳能电池片划片后的断裂面上均匀喷涂0.01‑0.4mol/L的碘酒溶液，每个断裂面喷涂时间为0.4‑0.6s；(3)测试经过步骤(2)处理的划片后太阳能电池片的效率，并计算效率损失。本发明通过在划片断裂面喷涂碘酒溶液，能够有效减少划片后效率损失，提高生产效率。
一种降低太阳能电池划片效率损失方法

[发明专利]用来对用于平板显示器的基板划片的装置-CN200610098471.6有效
发明人：金永敏;李旻炯 -专利权人：塔工程有限公司
申请日： 2006-07-07 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种用来将用于平板显示器的基板划分成分立基板的装置，包括：支撑板；磁力发生单元，设置在支撑板上，利用控制单元提供的电流产生磁力，产生沿磁力发生单元长度方向上的线性力；上升/下降块，固定在磁力发生单元上，依靠磁力发生单元产生的线性力上下移动；划片轮，设置在上升/下降块上，对基板划片；以及距离测量单元，其感测上升/下降块的行进距离，并将行进距离信息传递给控制磁力发生单元操作的控制单元。
用来用于平板显示器划片装置

[发明专利]一种划片机刀具状态检测装置、方法及划片机-CN201210296515.1在审
发明人：孙敏;高阳;杨云龙;周建生 -专利权人：北京中电科电子装备有限公司
申请日： 2012-08-20 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：发明提供了一种划片机刀具状态检测装置、方法及划片机，通过设置用于按预设采集周期及采集数量，采集通过划片机刀具刃口的光纤信号的光纤信号采集模块；用于将所述光纤信号采集模块采集的光纤信号转换为对应的离散数字信号的数据转换模块；用于根据所述数据转换模块获取的离散数字信号数据，计算获取划片机刀具磨损状态参数，并基于磨损状态参数，确定划片机刀具的磨损状态的数据处理模块；用于当所述数据处理模块确定刀具的磨损状态参数超过对应的预设门限值时，执行报警动作，并停止划片机工作的报警模块。从而在不影响划片机正常工作的情况下，实现对划片机刀具的快速检测，具有检测精度高、抗干扰强等优点。
一种划片刀具状态检测装置方法

[发明专利]用于芯片标记的方法及装置、服务器、存储介质-CN202111399871.1在审
发明人：欧阳睿;李凯亮;陈凝 -专利权人：紫光同芯微电子有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请涉及芯片识别技术领域，公开一种用于芯片标记的方法，包括：获取晶圆内各芯片的芯片检测结果，所述芯片检测结果用于表征芯片是否为良品芯片；根据所述检测结果确定晶圆划片轨迹；将所述晶圆划片轨迹导入划片机，触发所述划片机对所述晶圆进行划片时对非良品芯片进行标记。这样，根据芯片是否为良品芯片确定晶圆划片轨迹，使得划片机通过划片的方式对非良品芯片进行标记，该标记是物理结构不存在脱落、变浅的风险，使得在拾片阶段能够准确的对非良品芯片进行识别，提高拾片准确率。
用于芯片标记方法装置服务器存储介质

[发明专利]一种适用于IGBT半导体器件的划片道方法-CN202110025607.5有效
发明人：夏华忠;黄传伟;李健;诸建周;吕文生;谈益民 -专利权人：江苏东海半导体股份有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于IGBT半导体器件的划片道方法，包括如下步骤:（1）准备好已经在表面完成初次划片道的晶圆；（2）在所述晶圆的表面形成氮化硅；（3）把所述晶圆和所述玻璃基板键合在一起；（4）在所述的晶圆上涂覆光刻胶体；（5）把所述光刻胶体位于划片道区域内的部分去除；（6）把所述晶圆位于划片道区域内的部分去除；（7）将所述光刻胶体去除；（8）将所述晶圆和所述玻璃基板分离；从而完成半导体器材的划片道芯片半成品。本发明，结构简单，降低划片的成本，加快生产速度，缩小划片道的宽度，节省了划片道占用的空间。
一种适用于 igbt 半导体器件划片方法

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