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[发明专利]分栅式存储器制造方法以及分栅式存储器-CN201110103156.9有效
发明人：李冰寒;孔蔚然;江红 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-04-25 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供了一种分栅式存储器制造方法以及分栅式存储器。根据本发明的分栅式存储器制造方法包括：光刻步骤，用于定义浅沟槽隔离区域；浅沟槽隔离区域刻蚀步骤，其中降低了分栅式存储器的单元阵列的字线区域的浅沟槽隔离的高度；阻挡层去除步骤，用于去除未被光阻覆盖的区域上的阻挡层；浮栅多晶硅刻蚀步骤，用于对未被光阻覆盖的浮栅多晶硅进行刻蚀；以及浮栅和字线刻蚀步骤，用于刻蚀浮栅和字线。根据本发明的分栅式存储器制造方法所制造而成的分栅式存储器单元的浮栅顶端的高度降低，浮栅和字线之间的电容也就减小，而浮栅FG和选择线路之间的电容保持不变，因此电容耦合率也相应减小，这有助于提高编程的效率，
分栅式存储器制造方法以及

[发明专利]分栅式闪存及其形成方法、控制方法-CN201810483313.5有效
发明人：刘宪周 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明涉及分栅式闪存及其形成方法、控制方法，所述分栅式闪存包括分开布置有第一存储区和第二存储区的半导体衬底以及在第一存储区和第二存储区之间形成的字线结构，所述字线结构包括沿半导体衬底表面依次叠加的字线氧化层、读栅、介质氧化层和擦除栅，其中读栅和擦除栅均可以作为所述分栅式闪存的字线以执行读操作和擦除操作，在执行擦除操作时，施加在擦除栅上的电压对下方半导体衬底的影响较低，有利于降低半导体衬底内沟道区的漏电流，从而字线氧化层的厚度可以相应地减小，有利于减小漏电流，抑制短沟道效应，并且擦除栅仅涉及字线的一部分，从而相对于传统的分栅式闪存，擦除栅和浮栅之间的耦合系数减小，可以提高擦除效率。
分栅式闪存及其形成方法控制

[发明专利]改善分栅式闪存性能的方法-CN201910060168.4有效
发明人：徐杰;李志国;黄冲;胡海天 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善分栅式闪存性能的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成并列排布的多个分栅式闪存单元，所述多个分栅式闪存单元之间形成有间隙，每个所述分栅式闪存单元包括在所述半导体衬底中设置的源极区和分别位于所述源极区两侧的两个漏极区，所述半导体衬底上对应于同一所述分栅式闪存单元的所述源极区和所述漏极区之间形成有字线；第一介质层填充间隙并覆盖字线，通过调节第一介质层的形成温度以减小所述字线所受的压应力。本发明通过通过调节第一介质层的形成温度以减小所述字线所受的压应力，有利于改善分栅式闪存的擦除操作以及编程操作的工艺窗口，从而提高分栅式闪存单元内沟道中电子的迁移率，提高分栅式闪存的性能。
改善分栅式闪存性能方法

[发明专利]一种沟槽式分栅功率器件及其制造方法-CN201510156930.0有效
发明人：王鹏飞 -专利权人：复旦大学
申请日： 2015-04-04 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体涉及一种沟槽式分栅功率器件及其制造方法。本发明的沟槽式分栅功率器件的制造方法，是先进行控制栅凹槽和控制栅的刻蚀，再利用自对准的方式刻蚀衬底外延层以形成分栅凹槽，然后再在分栅凹槽内形成分栅。本发明方法，控制栅凹槽和分栅沟槽的图形使用同一块掩模版，采用自对准工艺刻蚀分栅凹槽，可以降低器件加工的复杂度；可以减小控制栅与漏区之间的寄生电容，降低器件的动态功耗并提高开关速度；可以减少分栅凹槽所占的截面面积
一种沟槽式分栅功率器件及其制造方法

[发明专利]实现自动调节出风比例及温度的浴霸装置-CN202210021534.7在审
发明人：罗茂峰;郭辉;高守勇 -专利权人：西蒙电气（中国）有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： F24D13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种实现自动调节出风比例及温度的浴霸装置，包括风机及风扇、风腔、多栅平移式风门、多栅交替式分向风道，所述的风机及风扇安装在风腔的一端，所述的多栅平移式风门安装在风腔的另一端，所述的多栅平移式风门外安装有多栅交替式分向风道，所述的多栅平移式风门与多栅交替式分向风道的进气口相对接，所述的装置通过多栅平移式风门的平移，调整多栅交替式分向风道的出风比例。
实现自动调节比例温度装置

[发明专利]分栅式闪存及其形成方法-CN201310145492.9有效
发明人：曹子贵 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供一种分栅式闪存及其形成方法，其中分栅式闪存的形成方法包括，在刻蚀控制栅层形成控制栅后，在控制栅裸露的侧壁上形成一层钝化层，从而在所述控制栅的侧壁形成侧墙前，将控制栅中的掺有导电离子的多晶硅材料与空气相隔绝，避免所述控制栅中掺杂的导电离子与空气反应而造成控制栅腐蚀，从而影响分栅式闪存的性能。
分栅式闪存及其形成方法

[发明专利]分栅式闪存单元以及分栅式闪存装置-CN201210191282.9在审
发明人：顾靖 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供了一种分栅式闪存单元以及分栅式闪存装置。分栅式闪存单元包括：源极和漏极，位于源极和漏极之间的分栅结构，所述分栅结构包括布置在衬底上的介质层上的层叠的第一浮栅和第一控制栅极，其中第一浮栅和第一控制栅极之间布置了介质层，所述分栅结构还包括布置在衬底上的介质层上的层叠的第二浮栅和第二控制栅极，其中第二浮栅和第二控制栅极之间布置了介质层，并且第一浮栅和第一控制栅极的叠层与第二浮栅和第二控制栅极的叠层并排布置。位线区域布置在第一浮栅和第一控制栅极的叠层与第二浮栅和第二控制栅极的叠层之间。第一擦除栅极处于源极上方，第二擦除栅极处于漏极上方，第一擦除栅极和第二擦除栅极与衬底之间布置了介质层。
分栅式闪存单元以及装置

[发明专利]分栅式闪存的擦除方法-CN201310261455.4有效
发明人：顾靖 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：一种分栅式闪存的擦除方法，所述分栅式闪存包括第一控制栅、第二控制栅、源极区域、漏极区域和字线，所述擦除方法包括在第一时刻与第二时刻之间，施加第一负电压至所述第一控制栅和第二控制栅；在所述第二时刻与第三时刻之间，施加第二负电压至所述第一控制栅和第二控制栅，所述第二负电压的绝对值大于所述第一负电压的绝对值，所述第二时刻与第三时刻之间的时间占所述第一时刻与第三时刻之间的时间的10%至20%；在所述第一时刻与第三时刻之间本发明技术方案提供的分栅式闪存的擦除方法，能够减缓所述分栅式闪存中隧穿氧化层的退化速度，提高所述分栅式闪存的耐久性。
分栅式闪存擦除方法

[发明专利]容栅式数字千分表杨氏弹性模量测定仪-CN200910060186.9无效
发明人：汪仕元;徐琛;沈闽超;付航;王超;曾小杭;黄龙香;罗维;缪宇;何垚磊;李国强;亢曦 -专利权人：四川大学
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： G01N3/06 文献下载
摘要：一种容栅式数字千分表杨氏弹性模量测定仪，它主要包括钢丝活动夹头、工作台、仪表架和容栅式数字千分表，活动夹头在工作台导向槽内，工作台上方安装仪表架，容栅式数字千分表固定在仪表架上，千分表的测量杆端头和活动夹头上端面良好接触，当钢丝所受拉力改变后，钢丝长度随之变化，钢丝活动夹头产生位移，容栅式数字千分表测量杆也会产生相同的位移，容栅式数字千分表显示出相应的读数，测量人员记下拉力改变前后的容栅式数字千分表读数，其差值就是钢丝的长度变化量
容栅式数字千分表弹性模量测定

[实用新型]容栅式数字千分表杨氏弹性模量测定仪-CN200920083006.4无效
发明人：汪仕元;徐琛;沈闽超;付航;王超;曾小杭;黄龙香;罗维;缪宇;何垚磊;李国强;亢曦 -专利权人：四川大学
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： G01N3/06 文献下载
摘要：一种容栅式数字千分表杨氏弹性模量测定仪，它主要包括钢丝活动夹头、工作台、仪表架和容栅式数字千分表，活动夹头在工作台导向槽内，工作台上方安装仪表架，容栅式数字千分表固定在仪表架上，千分表的测量杆端头和活动夹头上端面良好接触，当钢丝所受拉力改变后，钢丝长度随之变化，钢丝活动夹头产生位移，容栅式数字千分表测量杆也会产生相同的位移，容栅式数字千分表显示出相应的读数，测量人员记下拉力改变前后的容栅式数字千分表读数，其差值就是钢丝的长度变化量
容栅式数字千分表弹性模量测定

[发明专利]一种分栅式存储器的制造方法-CN202011052501.6有效
发明人：于涛 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种分栅式存储器的制造方法，包括：在衬底上依次形成氧化层、浮栅层和分立的硬掩膜层；依次形成介质层和控制栅层；形成第一侧墙并刻蚀控制栅层；形成第二侧墙和第三侧墙，刻蚀介质层、浮栅层和氧化层并停止在衬底上通过先在浮栅层上形成硬掩膜层，再在硬掩膜层上形成介质层和控制栅层，使得后续控制栅在第一侧墙和第四侧墙之间，如此在形成插塞以对控制栅引出连接线时，可以直接从第一侧墙和第四侧墙之间的控制栅层上引出，而无需从第四侧墙外引出，减少了第四侧墙外的空间，进而可以缩小分栅式存储器的尺寸，解决了分栅式存储器中由于控制栅引出端凸出在侧墙之外，导致分栅式存储器的尺寸无法缩小的问题。
一种分栅式存储器制造方法

[发明专利]分栅式闪存结构及其制造方法-CN201310270995.9有效
发明人：张雄;方亮 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种分栅式闪存结构及其制造方法。分栅式闪存结构包括：并排布置的两个分栅单元；所述并排布置的两个分栅单元中的每一个都包括依次层叠的栅极氧化物层、浮栅层、控制栅极氧化物层和控制栅极层；并排布置的两个分栅单元中的每一个都整体上被氧化物覆盖，而形成有氧化物侧壁；在两个分栅单元并排布置的方向上，所述浮栅层的尺寸与控制栅极层的尺寸相同；两个分栅单元之间布置有选择线多晶硅区域；在每个分栅单元的外侧的氧化物侧壁上形成有层叠的多晶硅连接区和氧化物隔离区，分栅单元的外侧是分栅单元的相对于选择线多晶硅区域的另一侧；多晶硅连接区的高度与浮栅层的上表面的高度齐平；在层叠的多晶硅连接区和氧化物隔离区外侧形成有多晶硅字线。
分栅式闪存结构及其制造方法

[发明专利]一种大数据容量的声表面波射频电子标签-CN201711108464.4在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：成都才智圣有科技有限责任公司
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： G06K19/14 文献下载
摘要：本发明提供一种大数据容量的声表面波射频电子标签，包括压电基片、叉指换能器和分布式反射栅阵，所述的叉指换能器与分布式反射栅阵位于所述的压电基片之上，其特征在于，所述的第一叉指换能器和第一分布式反射栅阵的传播路径之间设置有第二叉指换能器；所述的第一分布式反射栅阵的脉冲信号的无编码间隔的脉冲间隔之间设置有第二分布式反射栅阵，该第二分布式反射栅阵用于与第二叉指换能器组成针对另一频率的声表面波电子标签。本发明在单个频率叉指换能器和分布式反射栅阵结构的基础上，利用声波传播路径和脉冲信号的无编码间隔，添加第二组另一频率叉指换能器和反射栅阵，在不增加射频电子标签尺寸的基础上，大幅扩充电子标签的编码容量。
一种数据容量表面波射频电子标签

[发明专利]一种大数据容量的声表面波射频电子标签-CN201010171976.7有效
发明人：李红浪;程利娜;刘久玲;何世堂 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2010-05-07 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明涉及一种大数据容量的声表面波射频电子标签，包括：压电基片、叉指换能器和分布式反射栅阵，所述的叉指换能器与分布式反射栅阵位于所述的压电基片之上，其特征在于，所述的第一叉指换能器和第一分布式反射栅阵的传播路径之间设置有第二叉指换能器；所述的第一分布式反射栅阵的脉冲信号的无编码间隔的脉冲间隔之间设置有第二分布式反射栅阵，该第二分布式反射栅阵用于与第二叉指换能器组成针对另一频率的声表面波电子标签。本发明在单个频率叉指换能器和分布式反射栅阵结构的基础上，利用声波传播路径和脉冲信号的无编码间隔，添加第二组另一频率叉指换能器和反射栅阵，在不增加射频电子标签尺寸的基础上，大幅扩充电子标签的编码容量。
一种数据容量表面波射频电子标签

[实用新型]一种大数据容量的声表面波射频电子标签-CN201020188790.8有效
发明人：李红浪;程利娜;何世堂 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2010-05-07 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种大数据容量的声表面波射频电子标签，包括：压电基片、叉指换能器和分布式反射栅阵，所述的叉指换能器与分布式反射栅阵位于所述的压电基片之上，其特征在于，所述的第一叉指换能器和第一分布式反射栅阵的传播路径之间设置有第二叉指换能器；所述的第一分布式反射栅阵的脉冲信号的无编码间隔的脉冲间隔之间设置有第二分布式反射栅阵，该第二分布式反射栅阵用于与第二叉指换能器组成针对另一频率的声表面波电子标签。本实用新型在单个频率叉指换能器和分布式反射栅阵结构的基础上，利用声波传播路径和脉冲信号的无编码间隔，添加第二组另一频率叉指换能器和反射栅阵，在不增加射频电子标签尺寸的基础上，大幅扩充电子标签的编码容量。
一种数据容量表面波射频电子标签

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