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- [发明专利]晶片上减少阻抗的覆晶焊垫配置-CN01144461.4有效
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吕学忠;张文远;黄明坤
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威盛电子股份有限公司
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2001-12-18
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2002-07-10
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H01L23/50
- 一种晶片上减少阻抗的覆晶焊垫配置,至少包含晶片核心导电凸块阵列;由内而外有四圈导电凸块圈,其中第一圈的每一导电凸块连接至电源环(powerring);第二圈导电凸块圈内的导电凸块连接至接地环(groundring);信号输出入端,则主要连接至第三圈导电凸块圈及第四圈导电凸块圈;此外为减少电感抗,第三圈导电凸块的每一导电凸块,与该第四圈导电凸块圈内的导电凸块呈左右交错排列以减少电导线的弯折;此外,覆晶晶片的再分布导体层形成于护层下、最上层导体层上方,并依据晶片的最上层导体层输出入缓冲区及接地、电源汇流排而定义再分布导体层以减少信号输出端与外围两圈导电凸块圈的导电凸块电导线(conductivetrace)长度。
- 晶片减少阻抗覆晶焊垫配置
- [实用新型]晶片上减少阻抗的覆晶焊垫配置-CN01278766.3无效
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吕学忠;张文远;黄明坤
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威盛电子股份有限公司
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2001-12-18
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2002-11-20
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H01L23/50
- 一种晶片上减少阻抗的覆晶焊垫配置,至少包含晶片核心导电凸块阵列;由内而外有四圈导电凸块圈,其中第一圈的每一导电凸块连接至电源环(powerring);第二圈导电凸块圈内的导电凸块连接至接地环(groundring);信号输出入端,则主要连接至第三圈导电凸块圈及第四圈导电凸块圈;此外为减少电感抗,第三圈导电凸块的每一导电凸块,与该第四圈导电凸块圈内的导电凸块呈左右交错排列以减少电导线的弯折;此外,覆晶晶片的再分布导体层形成于护层下、最上层导体层上方,并依据晶片的最上层导体层输出入缓冲区及接地、电源汇流排而定义再分布导体层以减少信号输出端与外围两圈导电凸块圈的导电凸块电导线(conductivetrace)长度。
- 晶片减少阻抗覆晶焊垫配置
- [实用新型]强磁扭腰盘-CN201420209525.1有效
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朱德青
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朱德青
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2014-04-21
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2014-09-10
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A63B22/14
- 一种强磁扭腰盘,是在塑料外壳中,米字形旋转架的中部设有中圈和端圈,在中圈和端圈的下面设有中凸圈和下凸圈,中凸圈、下凸圈和下盘体是连体,在中圈、端圈和米字形旋转架的交点处设有钢珠,在钢珠的下面设有中凸圈和下凸圈,钢珠上面与上盖下面的中凸圈和上凸圈的钢珠凹面结合,中凸圈、上凸圈与上盖是连体,上盖上设有一对脚印,脚印由许多小圆头圆柱组成,在脚印中间设有眉目凸块、菱形凸块、腰形凸块和圆形凸块,在凸块内都设有强磁圆块,中心轴通过轴圈对上盖、米字形旋转架和下盘体进行固定。
- 强磁扭腰盘
- [发明专利]凸块制程-CN200810095842.4有效
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余瑞益;戴丰成
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日月光半导体制造股份有限公司
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2008-04-30
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2008-09-17
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H01L21/60
- 本发明提供一种凸块制程,是提供一晶片,该晶片具有一主动表面且该主动表面上具有至少一接垫,再覆盖一保护层于晶片的主动表面上,并裸露出接垫,接着形成一凸块下金属层于接垫上,再配置一胶膜于保护层上,并覆盖凸块下金属层接着对胶膜进行选择性的曝光,使得位于凸块下金属层上方的胶膜受到曝光,并移除胶膜的曝光部分,使得凸块下金属层裸露。分布一锡膏于凸块下金属层上,并移除晶片上剩余的胶膜,再借助回焊制程使锡膏形成一金属凸块。
- 凸块制程
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