专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种设有的齿-CN201410702196.9在审
  • 沈杰克 - 江苏昊克传动科技股份有限公司
  • 2014-11-28 - 2016-06-22 - F16H55/17
  • 本发明公开了一种设有的齿,包括外部的轮圈和位于轮圈内圆周表面的轮齿齿,其特征在于,所述轮圈外圆周表面设置至少2个定位,所述轮圈的直径和壁厚的比值为20:1-19:1。本发明的2个提高了齿的定位精度,节约了材料,提高了起动机的可靠性,通过控制轮圈的直径和壁厚的比值,使齿不容易产生变形,结构较稳定,使用寿命较长。
  • 一种设有
  • [发明专利]晶片上减少阻抗的覆晶焊垫配置-CN01144461.4有效
  • 吕学忠;张文远;黄明坤 - 威盛电子股份有限公司
  • 2001-12-18 - 2002-07-10 - H01L23/50
  • 一种晶片上减少阻抗的覆晶焊垫配置,至少包含晶片核心导电阵列;由内而外有四导电,其中第一的每一导电连接至电源环(powerring);第二导电圈内的导电连接至接地环(groundring);信号输出入端,则主要连接至第三导电及第四导电;此外为减少电感抗,第三导电的每一导电,与该第四导电圈内的导电呈左右交错排列以减少电导线的弯折;此外,覆晶晶片的再分布导体层形成于护层下、最上层导体层上方,并依据晶片的最上层导体层输出入缓冲区及接地、电源汇流排而定义再分布导体层以减少信号输出端与外围两导电的导电电导线(conductivetrace)长度。
  • 晶片减少阻抗覆晶焊垫配置
  • [实用新型]晶片上减少阻抗的覆晶焊垫配置-CN01278766.3无效
  • 吕学忠;张文远;黄明坤 - 威盛电子股份有限公司
  • 2001-12-18 - 2002-11-20 - H01L23/50
  • 一种晶片上减少阻抗的覆晶焊垫配置,至少包含晶片核心导电阵列;由内而外有四导电,其中第一的每一导电连接至电源环(powerring);第二导电圈内的导电连接至接地环(groundring);信号输出入端,则主要连接至第三导电及第四导电;此外为减少电感抗,第三导电的每一导电,与该第四导电圈内的导电呈左右交错排列以减少电导线的弯折;此外,覆晶晶片的再分布导体层形成于护层下、最上层导体层上方,并依据晶片的最上层导体层输出入缓冲区及接地、电源汇流排而定义再分布导体层以减少信号输出端与外围两导电的导电电导线(conductivetrace)长度。
  • 晶片减少阻抗覆晶焊垫配置
  • [实用新型]强磁扭腰盘-CN201420209525.1有效
  • 朱德青 - 朱德青
  • 2014-04-21 - 2014-09-10 - A63B22/14
  • 一种强磁扭腰盘,是在塑料外壳中,米字形旋转架的中部设有中圈和端,在中圈和端的下面设有中和下,中、下和下盘体是连体,在中圈、端和米字形旋转架的交点处设有钢珠,在钢珠的下面设有中和下,钢珠上面与上盖下面的中和上的钢珠凹面结合,中、上与上盖是连体,上盖上设有一对脚印,脚印由许多小圆头圆柱组成,在脚印中间设有眉目、菱形、腰形和圆形,在内都设有强磁圆,中心轴通过轴对上盖、米字形旋转架和下盘体进行固定。
  • 强磁扭腰盘
  • [实用新型]菊花杀青机中的输送链驱动力控制器-CN201320680289.7有效
  • 陈玲芬 - 桐乡市绿康菊业有限公司
  • 2013-10-31 - 2014-04-16 - B65G23/38
  • 本实用新型的特点是:包括转轴、驱动齿轮、缺口、推拉、手柄、压簧、轴承和支架,转轴安装在支架上,缺口的一侧设置有数个缺口,的外壁设置有一条,该圈套装在转轴上,导向槽和导向条相配合,推拉圈套装在上,推拉的内径小于条的外径,推拉的底部铰接在支架上,手柄的一端固定在推拉上,推拉、缺口和驱动齿轮沿转轴的轴线方向依次排列,和缺口之间存在间隙,压簧套装在转轴上,压簧位于和缺口之间。
  • 菊花杀青中的输送驱动力控制器
  • [发明专利]封装结构及封装方法-CN201210041079.3有效
  • 王之奇;王宥军;俞国庆;王琦;喻琼;王蔚 - 苏州晶方半导体科技股份有限公司
  • 2012-02-22 - 2012-07-18 - H01L21/603
  • 一种封装结构及封装方法,其中,封装方法包括:提供待封装衬底,所述待封装衬底表面具有焊垫,焊垫表面具有;在所述待封装衬底表面形成覆盖所述的异向导电胶层;提供PCB板,所述PCB板具有突出PCB板表面的电极,所述电极位置与位置对应;将PCB板与待封装衬底压合,使得所述电极与所述位置正对并且PCB板表面与异向导电胶层表面接触,其中,位于所述与所述电极间的异向导电胶层受到垂直所述封装衬底表面的压力本发明实施例的封装方法工艺简便,本发明实施例的封装结构封装质量高。
  • 封装结构方法
  • [发明专利]工艺-CN201110423999.7有效
  • 郭志明;戴华安;林政帆;邱奕钏;谢永伟 - 颀邦科技股份有限公司
  • 2011-12-13 - 2013-06-19 - H01L21/60
  • 本发明是有关于一种工艺,其包含提供一硅基板;形成一含钛金属层在该硅基板,且该含钛金属层是具有多个第一区及多个第二区;形成一光阻层在该含钛金属层;图案化该光阻层以形成多个开槽,所述开槽是对应该含钛金属层的所述第一区;形成多个铜在所述开槽;进行一加热步骤;形成多个隔离层在所述铜;形成多个接合层在所述隔离层;移除该光阻层;以及移除该含钛金属层的所述第二区,并使各该第一区形成为一下金属层。
  • 工艺
  • [发明专利]制程-CN200810095842.4有效
  • 余瑞益;戴丰成 - 日月光半导体制造股份有限公司
  • 2008-04-30 - 2008-09-17 - H01L21/60
  • 本发明提供一种制程,是提供一晶片,该晶片具有一主动表面且该主动表面上具有至少一接垫,再覆盖一保护层于晶片的主动表面上,并裸露出接垫,接着形成一下金属层于接垫上,再配置一胶膜于保护层上,并覆盖下金属层接着对胶膜进行选择性的曝光,使得位于下金属层上方的胶膜受到曝光,并移除胶膜的曝光部分,使得下金属层裸露。分布一锡膏于下金属层上,并移除晶片上剩余的胶膜,再借助回焊制程使锡膏形成一金属
  • 凸块制程
  • [发明专利]制程-CN200610064835.9有效
  • 王俊恒 - 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
  • 2006-03-14 - 2007-09-19 - G03F7/20
  • 一种制程包括下列步骤。首先提供一具有多个接点的本体。然后形成具有多个第一开口的一保护层于本体上,其中这些第一开口暴露出本体的多个接点。接着于保护层与这些接点上形成一球底金属层。然后对应这些接点而形成多个于第二开口内,其中这些的远离保护层的表面低于图案化光阻层远离保护层的表面。接着对这些进行蚀刻,以平坦化这些的表面。然后移除图案化光阻层以及移除球底金属层的不为这些所覆盖的部份。
  • 凸块制程

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