[发明专利]晶片上减少阻抗的覆晶焊垫配置有效
| 申请号： | 01144461.4 | 申请日： | 2001-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1357921A | 公开（公告）日： | 2002-07-10 |
| 发明（设计）人： | 吕学忠;张文远;黄明坤 | 申请（专利权）人： | 威盛电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种晶片上减少阻抗的覆晶焊垫配置,至少包含晶片核心导电凸块阵列;由内而外有四圈导电凸块圈,其中第一圈的每一导电凸块连接至电源环(powerring);第二圈导电凸块圈内的导电凸块连接至接地环(groundring);信号输出入端,则主要连接至第三圈导电凸块圈及第四圈导电凸块圈;此外为减少电感抗,第三圈导电凸块的每一导电凸块,与该第四圈导电凸块圈内的导电凸块呈左右交错排列以减少电导线的弯折;此外,覆晶晶片的再分布导体层形成于护层下、最上层导体层上方,并依据晶片的最上层导体层输出入缓冲区及接地、电源汇流排而定义再分布导体层以减少信号输出端与外围两圈导电凸块圈的导电凸块电导线(conductivetrace)长度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 减少 阻抗 覆晶焊垫 配置 | ||
【主权项】：
1.一种晶片上减少阻抗的覆晶焊垫配置，其特征是：至少包含：晶片核心导电凸块阵列；第一圈导电凸块圈，包围该晶片核心导电凸块阵列，该第一圈导电凸块圈内多数的导电凸块，分别用以连接至电源环(powerring)或接地环(groundring)；第二圈导电凸块圈，包围该第一圈导电凸块圈，该第二圈导电凸块圈内多数的导电凸块连接至信号输出入端。
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