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[发明专利]一种纳米碳酸钙晶须/六方氮化硼纳米复合材料的制备方法-CN201710549440.6有效
发明人：李炫华;朱金萌;张媛媛;魏秉庆 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米碳酸钙晶须/六方氮化硼纳米复合材料的制备方法，首先采用简单的超声方法将六方氮化硼剥离。而后将剥离好的前驱体加入到氯化钙溶液中。通过简单的溶液法合成纳米碳酸钙晶须/六方氮化硼纳米材料。制备过程简单安全、成本低、所需温度低、合成的碳酸钙晶须直径50纳米左右且整体均匀性较好。更重要的是，该方法合成的纳米碳酸钙晶须/六方氮化硼纳米材料中纳米碳酸钙晶须的长径比为25‑50，符合工业应用的要求。另外，利用六方氮化硼的强抗氧化性、耐高温性以及良好的机械性，该材料的性能在应用中可被进一步提高。
六方氮化硼纳米碳酸钙晶须纳米复合材料碳酸钙晶须纳米材料制备剥离合成氯化钙溶液工业应用合成纳米简单安全抗氧化性耐高温性制备过程长径比机械性均匀性前驱体溶液法超声应用

[发明专利]六方晶氮化硼粉末、其制造方法、树脂组合物及树脂片-CN201780005454.X有效
发明人：大冢雄树;深泽贤 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明提供下述六方晶氮化硼粉末、其制造方法以及包含该六方晶氮化硼粉末的树脂组合物和树脂片，上述六方晶氮化硼粉末中的一次粒子的平均长径(L)为10μm以下，平均厚度(D)为0.20μm以上，平均长径(L)相对于平均厚度(D)的比〔L/D〕为3.0以上且5.0以下，并且长径(l)相对于厚度(d)的比〔l/d〕为3.0以上且5.0以下的一次粒子的含有率为25％以上，与以往的六方晶氮化硼粉末相比，其树脂组合物或树脂片的取向各向异性被抑制
六方晶氮化粉末制造方法树脂组合

[发明专利]树脂组合物、预浸料、覆金属箔层叠板、树脂片及印刷电路板-CN201780005157.5有效
发明人：中住宜洋;植山大辅;高野健太郎 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： C08L79/00 文献下载
摘要：本发明的树脂组成物包含：氰酸酯化合物(A)和/或马来酰亚胺化合物(B)、以及无机填充材料(C)，前述无机填充材料(C)包含：含有六方晶氮化硼一次颗粒、且该六方晶氮化硼一次颗粒的(0001)面彼此重叠而成的氮化硼颗粒聚集体
六方晶氮化硼无机填充材料一次颗粒马来酰亚胺化合物氰酸酯化合物氮化硼颗粒树脂组成物树脂组合物印刷电路层叠板金属箔聚集体树脂片预浸料

[发明专利]一种钻杆接头耐磨带及其制备方法-CN201910384952.0有效
发明人：康嘉杰;岳文;苏娟;付志强;朱丽娜;佘丁顺;王成彪;梁健;翁炜;田斌;黄飞 -专利权人：中国地质大学（北京）
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： E21B17/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种钻杆接头耐磨带，包括：钻杆接头基体；设置在所述钻杆接头基体表面的多层结构的六方氮化硼质量含量不同的涂层；所述六方氮化硼质量含量不同的涂层的成分为Fe基非晶合金和六方氮化硼；所述多层结构的六方氮化硼质量含量不同的涂层中六方氮化硼质量含量从内部到表面逐渐增加与现有技术相比，本发明采用冷喷涂可避免钻杆接头产生高温相变及热应力；FeCrMoBYC非晶合金具有很高的硬度，具有耐磨效果；HBN的层状结构，具有减摩效果，将二者结合制备成梯度涂层，可以极大地增强耐磨带的综合耐磨性能
一种钻杆接头耐磨及其制备方法

[发明专利]绝缘散热片-CN201980006593.3有效
发明人：和田光祐;山县利贵;金子政秀 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：绝缘散热片，其由下述有机硅组合物形成，所述有机硅组合物以六方晶氮化硼的含有率为40～70体积％、有机硅树脂的含有率为30～60体积％的范围含有所述六方晶氮化硼和有机硅树脂，其中，六方晶氮化硼的频率粒度分布在35～100μm的区域、以及10～25μm的区域及/或0.4～5μm的区域具有极大峰，六方晶氮化硼的平均粒径在30～80μm的范围内。
绝缘散热片

[发明专利]立方晶氮化硼烧结体工具-CN202180062205.0在审
发明人：原田高志;久木野晓;渡部直树 -专利权人：住友电工硬质合金株式会社
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B23B27/14 文献下载
摘要：立方晶氮化硼烧结体工具至少在刀尖具有第一烧结体，第一烧结体包含多个cBN颗粒。位于上述刀尖的表面的cBN颗粒包含由cBN的晶体结构构成的立方晶氮化硼相和由hBN的晶体结构构成的六方晶氮化硼相。对于上述刀尖的表面的cBN颗粒，通过TEM‑EELS法，对与硼的K壳层电子的激发相伴的能量损失进行测定，由此求出源自六方晶氮化硼相中的hBN的π键的π*峰的强度与源自六方晶氮化硼相中的hBN的σ键以及立方晶氮化硼相中的
立方氮化烧结工具

[发明专利]氮化硼及其制造方法-CN97197074.2无效
发明人： F·福斯提努斯;谷真佐人;铃江正义 -专利权人：大塚化学株式会社
申请日： 1997-08-06 - 公布日： 1999-09-01 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：(1)一种由纳米尺寸的微晶组成的六方氮化硼多晶体。(2)一种六方氮化硼，其特征在于该氮化硼的平均粒径为20～200nm，并且80wt%以上的颗粒包含在平均粒径±30%范围内。(3)一种微细六方氮化硼粉末，其特征在于该六方氮化硼粉末的形状为椭圆盘状或者圆盘状，并且短轴La、长轴Lb以及厚度t满足下式50nm≤La≤Lb≤400nm20nm≤t≤150nmt≤La0.5≤La/
氮化及其制造方法

[发明专利]氮化硼粉末、氮化硼粉末的制造方法、树脂材料以及树脂材料的制造方法-CN202080066950.8在审
发明人：田原大辅;增冈弘之;松崎晃 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C08K9/04 文献下载
摘要：本发明提供一种与树脂的密合性优异的氮化硼粉末。一种氮化硼粉末，所述氮化硼粉末具有六方晶结构，在上述氮化硼粉末的表面存在羧基，上述氮化硼粉末的表面的羧基与氮原子的摩尔比为0.001以上。
氮化粉末制造方法树脂材料以及

[发明专利]一种六方氮化硼及其制备方法和应用-CN202010201381.5在审
发明人：侯广生;褚宗富;黄小红 -专利权人：山东晶亿新材料有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明涉及六方氮化硼的技术领域，具体涉及一种六方氮化硼及其制备方法和应用。本发明提供的六方氮化硼的制备方法，首先在水蒸气环境下，将含氮化合物、含硼化合物和结晶助剂混合发生反应，生成了含有结晶助剂的氮‑硼中间产物，然后在非氧化气氛下，将所述含有结晶助剂的氮‑硼中间产物进行烧结，得到所述六方氮化硼；本发明添加结晶助剂，在非氧化气氛下起到了氮化硼六角网络层间秩序促进剂的作用。由实施例和应用例的结果可知，本发明制备得到的六方氮化硼晶型完整，呈现层片状结构，尺寸大，结晶度高，纯度大于99.5％；作为导热填料时，填充率最高为62％，导热率最高为3.4W/mK。
一种氮化及其制备方法应用

[发明专利]氮化硼块状粒子、其制造方法及使用了其的导热树脂组合物-CN201780057395.0有效
发明人：竹田豪;谷口佳孝 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明的主要目的在于提供传导率优异、且粒子强度高的氮化硼粉末。一种氮化硼粉末，其是由一次粒子为鳞片状的六方晶氮化硼凝集成块状而得的块状氮化硼形成的，所述氮化硼粉末满足以下的(A)～(C)的特征。(A)鳞片状的六方晶氮化硼的一次粒子的长边长度的平均值为1.5μm以上且3.5μm以下，标准偏差为1.2μm以下；(B)块状氮化硼的块状粒子的累积破坏率为63.2％时的粒子强度为8.0MPa以上，并且累积破坏率为20.0％时的粒子强度为4.5MPa以上；(C)氮化硼粉末的平均粒径为20μm以上且100μm以下。所述氮化硼粉末的制造方法及使用了其的导热树脂组合物。
氮化块状粒子制造方法使用导热树脂组合

[发明专利]一种制备六方氮化硼薄膜的方法-CN201410062801.0有效
发明人：卢光远;吴天如;宋阳曦;王浩敏;谢晓明;江绵恒 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-02-24 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种制备六方氮化硼薄膜的方法，包括如下步骤：先制备铜镍合金箔作为衬底，将所述衬底置于压强为20～5000Pa的化学气相沉积腔室中，使所述衬底的温度保持在950～1090℃，并通入温度为50～100℃的源物质，同时通入保护气体生长10分钟～3小时，从而在所述铜镍合金箔衬底表面制备形成六方氮化硼薄膜。该方法通过控制生长参数可以在铜镍合金衬底上制备不同尺寸六方氮化硼晶畴以及不同厚度的连续膜。制备的六方氮化硼晶畴边长最大可达上百微米，而且结晶性好，制备条件简单、成本低，生长所需条件参数的窗口较宽、重复性好，为六方氮化硼薄膜在石墨烯器件等领域的广泛应用打下了基础。
一种制备氮化薄膜方法

[发明专利]一种异形孔聚晶金刚石拉丝模坯的制造方法-CN201610175012.7在审
发明人：鲍梅玲;马姗姗;尚秋元;张春林;方海江 -专利权人：河南四方达超硬材料股份有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种异形孔聚晶金刚石拉丝模坯的制造方法，该方法首先将六方氮化硼加工成截面异形的柱体，再将六方氮化硼柱体放入由金刚石微粉与粘结剂混合的混合料中并烧结，在特定温度和压力条件下即可烧结形成聚晶金刚石拉丝模坯本发明通过将六方氮化硼柱体放入金刚石微粉和粘结剂粉的混合料的中心，在高温高压下合成，实现了模孔预成型，通过将六方氮化硼柱体加工成各种形状，实现了孔型的多样化。
一种异形孔聚晶金刚石拉丝制造方法

[发明专利]立方氮化硼磨料颗粒的生产方法-CN02810207.X有效
发明人：大坪裕彦;井原荣治;大久保卓也;笠原真;饭塚诚 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2002-05-21 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： C04B35/5831 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制备砂轮等的立方氮化硼磨料颗粒的生产方法以及该立方氮化硼磨料颗粒。该方法包括在可使立方氮化硼维持热力学稳定的压力和温度下保持含有六方氮化硼和立方氮化硼籽晶的混合物，其特征在于，该籽晶含有立方氮化硼孪晶。
立方氮化磨料颗粒生产方法

[发明专利]一种大尺寸原子层厚六方氮化硼单晶的制备方法-CN201410246280.4在审
发明人：郭万林;殷俊;李雪梅 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种大尺寸原子层厚六方氮化硼单晶的制备方法，选用单晶Ge或单晶Si为基底，将基底清洗后升温，单晶Ge升温至800～930℃，单晶Si升温至1000～1400℃，使用化学气相沉积法在基底表面生长大尺寸原子层厚六方氮化硼单晶本发明利用Ge、Si等单晶表面生长的六方氮化硼的晶粒取向对基底晶向的依赖关系，使得不同晶粒长大后边界拼接相匹配，形成大面积高质量六方氮化硼单晶。
一种尺寸原子层厚六方氮化硼单晶制备方法

[发明专利]一种晶圆级单晶石墨烯异质结及其直接生长方法-CN202211424792.6在审
发明人：张甲;胡平安;张欣;李松霖;梁帅;吴博轩;李洋 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级单晶石墨烯异质结及其直接生长方法，属于二维材料异质结制备技术领域。本发明解决了现有晶圆级单晶石墨烯/六方氮化硼/石墨烯异质结薄膜制备困难的问题。本发明采用化学气相沉积法，在单晶金属催化剂表面，先生长六方氮化硼，然后在其上表面和下表面分别生长石墨烯，形成单晶石墨烯/六方氮化硼/石墨烯异质结薄膜，且生长的六方氮化硼和石墨烯均为单晶结构，且层数从单层到多层均可以控制，石墨烯异质结尺寸由金属催化剂的尺寸决定，可达晶圆级。
一种晶圆级单晶石墨烯异质结及其直接生长方法