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[发明专利]一种超细晶组织薄壁锥形件的精确制备方法-CN202111436078.4有效
发明人：吴洋;宋阳曦;舒大禹;陈文;苏柳;詹红;胡传凯;肖寒;宁海青 -专利权人：中国兵器工业第五九研究所
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B21C25/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种超细晶组织薄壁锥形件的精确制备方法，依次进行多道次冷挤压成形、冷热协同表面细晶化、精确整形；所述多道次冷挤压成形是将坯料置于三向压应力作用下进行多道次挤压变形；所述冷热协同表面细晶化是激光表面处理并采用液氮雾化气体进行防氧化保护与快速冷却；精确整形是在三向压应力进行多道次整形。本发明使制备的薄壁锥形件内表面晶粒组织超细晶化，且尺寸精度高、几何对称性好。通过该方法获得沿构件厚度方向分布的超细晶梯度组织，且沿母线方向组织分布均匀，提供了薄壁锥形构件综合使用性能。
一种超细晶组织薄壁锥形精确制备方法

[发明专利]一种电磁防护组件-CN202310143308.0在审
发明人：隆丰声;宋阳曦;龙沛 -专利权人：重庆大及电子科技有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电磁防护组件，包括壳体，壳体一侧为接口面板，另一侧设有相互分离的电源隔离室和信号隔离室；信号隔离室被分隔为主腔室和若干个副腔室，主腔室以及副腔室分别与接口面板上的采集输入接口以及其他接口的位置相对应；主腔室被接地板分隔为电磁隔离的防护腔室和滤波腔室，副腔室与所述滤波腔室连通；采集输入接口与防护腔室中的防护电路连接，并穿过接地板与滤波腔室中对应的滤波电路连接；其他接口和与之对应的副腔室中的防护电路连接，再与滤波腔室中对应的滤波电路连接；滤波腔室中的滤波电路均与壳体外侧的第一接口连接。本发明能够有效解决多路不同信号及相互之间的电磁兼容性问题。
一种电磁防护组件

[发明专利]一种药型罩用细晶弱织构组织坯料的制备方法-CN202111446715.6有效
发明人：吴洋;宋阳曦;舒大禹;赵祖德;詹红;苏柳;陈强;张菲玥 -专利权人：中国兵器工业第五九研究所
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C22F1/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种药型罩用坯料的制备方法，依次进行多向往复、超低温大变形挤压；所述多向往复镦挤是对六面方坯的具有同一顶点的三个面依次进行往复镦挤，单次挤压比≥1.5，完成2～4道次循环多向往复镦挤；所述超低温大变形挤压是将坯料进行深冷处理60～150min，正挤压模具挤压工作部分内锥角度90°～140°，挤压速率10～20mm/s。本发明可实现细晶、弱织构组织，提高药型罩的各向同性、高屈强比和高延性。
一种药型罩用细晶弱织构组织坯料制备方法

[发明专利]一种锥形薄壁构件剧烈塑性成形方法-CN202111445868.9在审
发明人：吴洋;宋阳曦;舒大禹;苏柳;詹红;屈俊岑;赵祖德;王长朋;陈文 -专利权人：中国兵器工业第五九研究所
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种锥形薄壁构件剧烈塑性成形方法，包括连续挤轧大塑性变形、多道次冲压成形、低温去应力热处理，所述连续挤轧大塑性变形中坯料加热温度100～220℃，所述多道次冲压成形是在三向压应力作用下经过多道次冲压成形；所述低温去应力热处理的温度150～260℃。本发明克服了常规制备方法获得组织不均匀、尺寸精度不高、内部质量差等技术难题，使制备的薄壁构件组织细晶化、尺寸精确化、表面光亮化、性能稳定化，提升聚能战斗部的侵彻威力、稳定性。同时还具有生产效率高、工艺稳定性好、易于实现工业化生产等优点。
一种锥形薄壁构件剧烈塑性成形方法

[发明专利]一种钽合金双曲面空间结构件的高性能高效率制备方法-CN202111435899.6在审
发明人：舒大禹;宋阳曦;陈文;吴洋;苏柳;詹红;胡传凯;肖寒;宁海青 -专利权人：中国兵器工业第五九研究所
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： B23P23/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种钽合金双曲面空间结构件的制备方法，其特征在于：采用多道次径向分流成形与冷挤压成形相结合；所述多道次径向分流成形包括等温等压步骤及成形步骤，所述等温等压步骤是将模具和钽合金坯料加热至650℃±15℃，且真空度达到5×10‑2Pa，多道次径向分流成形的挤压道次为2～5次使坯料沿曲面呈放射状流线组织。本发明首次提出真空等温径向分流成形方法，使钽合金双曲面空间结构件通过塑性变形获得要求的组织性能；并结合冷挤压、少余量精密切削加工技术，实现钽合金双曲面空间结构件曲面不加工、表面质量满足设计要求，显著提升钽合金构件综合使用性能，并降低制造成本。
一种合金双曲面空间结构件性能高效率制备方法

[发明专利]一种高温抗烧蚀低碳中低合金钢及其制备方法-CN202010729327.8有效
发明人：李忠盛;陈汉宾;吴护林;宋阳曦;沈蕾芳;车路长;张隆平;杨九州;李立 -专利权人：中国兵器工业第五九研究所
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C22C38/44 文献下载
摘要：一种高温抗烧蚀低碳中低合金钢，其特征在于：所述低碳中低合金钢的化学成分按重量百分比计为0＜C＜0.2%、Cr：2.5~3.5%、Mo：0.5~1.4%、Ni：1.6~2.0%、W：0.2~0.5%、V：0.3~0.8%、Nb：0.03~0.08%，其余成分为Fe。本发明通过不提高合金含量，而是优化合金元素的方法提高低碳中低合金钢抗烧蚀性能，具有合金量低、成本低、工艺简单可行，本发明方法在同时保证了优异的强度和韧性的基础上，有效提高了合金钢的高温抗烧蚀性能，烧蚀坑最大直径为5mm，最大深度为3mm。
一种高温抗烧蚀低碳中低合金钢及其制备方法

[发明专利]一种基于电流能场辅助的新型金属薄板改性系统及方法-CN202110064571.1在审
发明人：肖寒;宋阳曦;陈强;夏祥生;宁海青;柴舒心;王艳彬;肖兴茂 -专利权人：中国兵器工业第五九研究所
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： C21D8/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电流能场辅助的新型金属薄板改性系统及方法，包括：金属薄板改性加载平台、载荷平台、第一导电轧辊组、第二导电轧辊组和电源；金属薄板改性加载平台包括上层绝缘辊组和下层绝缘辊组，上层绝缘辊组包括多个上层绝缘辊，下层绝缘辊组包括多个下层绝缘棍；上层绝缘辊和下层绝缘辊相间分布且呈线性排列；上层绝缘辊组和下层绝缘辊组之间用于弯曲金属薄板；上层绝缘辊组和下层绝缘辊组的相对位置通过所述载荷平台调整；金属薄板穿过所述第一导电轧辊组、金属薄板改性加载平台和第二导电轧辊组，金属薄板和第一导电轧辊组、第二导电轧辊组、电源形成电流加热回路。本发明解决了现有技术耗能高、成本高、效率低的问题。
一种基于电流辅助新型金属薄板改性系统方法

[外观设计]装甲车（新型）-CN201930739640.8有效
发明人：王兴强;李登波;周力辉;宋阳曦 -专利权人：重庆铁马工业集团有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： 12-13 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：装甲车（新型）。2.本外观设计产品的用途：用于装甲车。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.本外观设计产品的底面为使用时不容易看到的部位，省略仰视图;后视图无设计要点，省略后视图。
装甲车新型

[发明专利]一种氮化硼纳米管的制备方法-CN201410091384.2有效
发明人：李斌;张长瑞;宋阳曦;王思青;曹英斌;刘荣军;刘海宽 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：一种氮化硼纳米管的制备方法，是在化学气相沉积炉中，以碳纳米管为模板，用载气和稀释气将单组元先驱体硼吖嗪带入沉积炉膛内，在一定真空度、沉积温度条件下，使硼吖嗪在沉积炉内分解出氮化硼并沉积于碳纳米管表面；经氧化去除碳，即得到氮化硼纳米管。本发明仅通过控制沉积炉膛真空度、沉积温度、载气和稀释气的流量，以满足不同的应用需求，工艺简单，操作方便，除碳外不引入其他杂质元素；而碳在空气或氧气中可进行氧化去除，从而可获得纯度≥98%的氮化硼纳米管；同时，可以通过采用不同规格的模板碳纳米管，来控制氮化硼纳米管的尺寸、管径等。
一种氮化纳米制备方法

[发明专利]一种制备六方氮化硼薄膜的方法-CN201410062801.0有效
发明人：卢光远;吴天如;宋阳曦;王浩敏;谢晓明;江绵恒 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-02-24 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种制备六方氮化硼薄膜的方法，包括如下步骤：先制备铜镍合金箔作为衬底，将所述衬底置于压强为20～5000Pa的化学气相沉积腔室中，使所述衬底的温度保持在950～1090℃，并通入温度为50～100℃的源物质，同时通入保护气体生长10分钟～3小时，从而在所述铜镍合金箔衬底表面制备形成六方氮化硼薄膜。该方法通过控制生长参数可以在铜镍合金衬底上制备不同尺寸六方氮化硼晶畴以及不同厚度的连续膜。制备的六方氮化硼晶畴边长最大可达上百微米，而且结晶性好，制备条件简单、成本低，生长所需条件参数的窗口较宽、重复性好，为六方氮化硼薄膜在石墨烯器件等领域的广泛应用打下了基础。
一种制备氮化薄膜方法

[发明专利]基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法-CN201310352264.9有效
发明人：王浩敏;谢红;吴天如;孙秋娟;王慧山;宋阳曦;刘晓宇;唐述杰;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法，所述单元至少包括衬底；所述衬底上自下而上依次包括底栅电极、第一电介质层、底层石墨烯、绝缘阻挡层、顶层石墨烯、第二电介质层及顶栅电极；所述底层石墨烯及所述顶层石墨烯为带状石墨烯或石墨烯纳米带；所述带状石墨烯的宽度大于100nm；所述石墨烯纳米带的宽度范围为1~100nm。本发明通过在底层石墨烯及顶层石墨烯之间引入绝缘阻挡层，这样底层石墨烯及顶层石墨烯中载流子浓度可以分别通过加在底栅电极和顶栅电极上的电压进行调节，从而实现器件的较高的开关比。同时顶栅电极和底栅电极可以进行精确的单元选址，实现大规模器件集成运用。
基于石墨场效应单元阵列及其形成方法

[发明专利]一种陶瓷先驱体无碳聚硼硅氮烷及其合成方法-CN201110004937.2有效
发明人：李斌;张长瑞;曹峰;王思青;李俊生;宋阳曦 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2011-01-12 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种陶瓷先驱体无碳聚硼硅氮烷及其合成方法。无碳聚硼硅氮烷是同时含有Si-N键和B-N键的聚合物，裂解后得到纯净的硅氮硼陶瓷。本发明所得的无碳聚硼硅氮烷粘度低，流动性好，适用于先驱体浸渍—裂解工艺；陶瓷产率高达83%，裂解产物为纯净的硅氮硼陶瓷，适用于制备高温透波材料；本发明中的无碳聚硼硅氮烷的合成方法，操作简单，反应缓和稳定，可控性强。
一种陶瓷先驱体无碳聚硼硅氮烷及其合成方法

[发明专利]一种耐高温宽频透波陶瓷基复合材料及其制备方法-CN201010603526.0有效
发明人：王思青;张长瑞;曹峰;李斌;胡海峰;邹晓蓉;宋阳曦 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：一种耐高温宽频透波陶瓷基复合材料及其制备方法。本发明耐高温宽频透波陶瓷基复合材料增强相为空芯石英纤维，基体为无碳的氮化硼，空芯石英纤维的体积分数为20%～35%，氮化硼的体积分数为35%～45%，其余为孔隙。其制备方法包括以下步骤：（1）将高纯空芯石英纤维编织成2.5维或三维结构织物预制件或制备成毡体预制件；（2）用丙酮对空芯石英纤维预制件进行预处理；（3）氮化硼先驱体浸渍-裂解转化。本发明之耐高温宽频透波陶瓷基复合材料具有强度高、介电常数低、热物理性能优异等特点，其制备工艺简单，能耗低，成本低。
一种耐高温宽频陶瓷复合材料及其制备方法

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