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[发明专利]氮化硼球形粒粉体以及它们的使用方法-CN200710004476.2有效
发明人： V·K·普加里;W·T·科林斯;J·J·库茨克 -专利权人：圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
申请日： 2002-07-23 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： C04B35/5833 文献下载
摘要：本发明涉及制备六方晶氮化硼及其浆料的方法。该方法涉及约0.5～5重量％的表面活性剂与约30重量％的六方晶氮化硼粉体在有利于形成六方晶氮化硼浆料条件下于介质内混合。本发明还涉及制备球形粒氮化硼粉体的方法，以及采用六方晶氮化硼浆料制备六方晶氮化硼糊料的方法。本发明另一方面涉及六方晶氮化硼糊料，它包含约60～80重量％的固体六方晶氮化硼。本发明还有一方面涉及球形氮化硼粉体，包含聚合物与球形六方晶氮化硼粉体的聚合物混合物，以及包含该聚合物混合物的体系。
氮化球形粒粉体以及它们使用方法

[发明专利]高固含量六方晶氮化硼浆料、糊料、球形粒粉体,以及它们的制备与使用方法-CN02815595.5有效
发明人： V·K·普加里;W·T·科林斯;J·J·库茨克 -专利权人：圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
申请日： 2002-07-23 - 公布日： 2004-10-20 - 主分类号： B32B5/16 文献下载
摘要：本发明涉及制备六方晶氮化硼及其浆料的方法。该方法涉及约0.5～5重量％的表面活性剂与约30重量％的六方晶氮化硼粉体在有利于形成六方晶氮化硼浆料条件下于介质内混合。本发明还涉及制备球形粒氮化硼粉体的方法，以及采用六方晶氮化硼浆料制备六方晶氮化硼糊料的方法。本发明另一方面涉及六方晶氮化硼糊料，它包含约60～80重量％的固体六方晶氮化硼。本发明还有一方面涉及球形氮化硼粉体，包含聚合物与球形六方晶氮化硼粉体的聚合物混合物，以及包含该聚合物混合物的体系。
含量六方晶氮化浆料糊料球形粒粉体以及它们制备使用方法

[发明专利]大尺寸六方氮化硼的制备方法以及大尺寸六方氮化硼-CN202211181131.5在审
发明人：田兆波;李昊楠;曾航 -专利权人：深圳市宝硼新材料科技有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C04B35/5833 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸六方氮化硼的制备方法以及大尺寸六方氮化硼，所述大尺寸六方氮化硼的制备方法包括步骤：制备六方氮化硼晶种，然后在所述六方氮化硼晶种的基础上迭代生长，制得大尺寸六方氮化硼。本发明采用迭代生长的方式，在制得的六方氮化硼晶种的基础上继续生长，最终得到大尺寸的六方氮化硼；保证了制得的大尺寸六方氮化硼晶粒的质量稳定性，使得大尺寸六方氮化硼能够满足高导热低介电绝缘氮化硼复合材料的市场需求；以所述六方氮化硼晶种为生长基础继续生长，降低了形核能，降低了大尺寸六方氮化硼形核的温度，进而降低了生产过程中的能量消耗，使得本发明所述大尺寸六方氮化硼的制备方法操作难度低且节能高效。
尺寸氮化制备方法以及

[发明专利]无色透明聚晶立方氮化硼、制备方法及其应用、包含该无色透明聚晶立方氮化硼的刀具-CN201710991290.4有效
发明人：马宁;王彬彬;李丙文;解亚军;陈培 -专利权人：富耐克超硬材料股份有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明涉及超硬材料领域，具体而言，提供了一种无色透明聚晶立方氮化硼、制备方法及其应用、包含该无色透明聚晶立方氮化硼的刀具。所述无色透明聚晶立方氮化硼采用高纯六方氮化硼制备得到，高纯六方氮化硼中C元素的含量和O元素的含量均低于10²¹atoms/cm³。无色透明聚晶立方氮化硼的制备方法包括以下步骤：首先，对六方氮化硼粉体依次进行提纯和超净化，得到高纯六方氮化硼；然后对高纯六方氮化硼进行烧结即可得到无色透明聚晶立方氮化硼；超净化包括以下步骤：将六方氮化硼粉体依次在氨气上述制备方法得到的聚晶立方氮化硼呈无色透明状态，且硬度和耐磨性更高。
无色透明立方氮化制备方法及其应用包含刀具

[发明专利]氮化物外延结构、外延生长方法及其应用-CN202310410667.8在审
发明人：徐建喜;徐俞;王钰宁;王建峰;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物外延结构、外延生长方法及其应用。所述氮化物外延结构包括依次层叠设置的六方氮化硼层、单层非晶氮化硼层以及氮化物半导体层；氮化物半导体层是由所述六方氮化硼层经过远程外延作用生长形成的。所述外延生长方法包括：在衬底上生长六方氮化硼层；生长单层非晶氮化硼层；生长氮化物半导体层。本发明所提供的一种基于原位生长单层非晶氮化硼/六方氮化硼复合插入层的氮化物半导体层的外延生长方法，以多层六方氮化硼为极性底层配合单层非晶氮化硼层，实现了在任意衬底上远程外延生长低晶界缺陷、低失配位错、低应力的高质量单晶氮化物薄膜；此外，外延层剥离后的六方氮化硼/外延衬底可以反复利用，能够降低材料成本。
氮化物外延结构生长方法及其应用

[发明专利]石墨烯/六方氮化硼的高度晶向匹配堆叠结构及其制备方法-CN201410174485.6有效
发明人：王多明;张广宇;时东霞 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯/六方氮化硼的高度晶向匹配堆叠结构及其制备方法。该方法包括：形成石墨烯/六方氮化硼的初步堆叠结构；对初步堆叠结构进行热处理，以得到石墨烯/六方氮化硼的高度晶向匹配堆叠结构。基于热处理时石墨烯会在六方氮化硼晶体上发生旋转，有利于两者的晶向匹配，从而得到了具有高度完美晶向匹配的石墨烯/氮化硼堆叠结构。该方法避免了现有技术中的机械对准方式所存在不确定性，且与石墨烯及六方氮化硼的边界晶向无关，即使无规则边界的石墨烯和六方氮化硼也能进行高度匹配。此外，该方法加工及操纵技术成熟，不仅适用于石墨烯/六方氮化硼堆叠结构，还可以延伸到制备其它类似的结构中，如石墨烯/石墨体系。
石墨烯六方氮化硼堆叠结构晶向匹配制备热处理不确定性高度匹配机械对准氮化硼无规则石墨延伸成熟加工

[发明专利]六方晶氮化硼薄膜及其制造方法-CN201880006202.3有效
发明人：吾乡浩树;河原宪治;内田勇气;仲村渠翔;田中大地 -专利权人：国立研究开发法人科学技术振兴机构
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明提供一种适于电子学应用等工业利用的新颖的六方晶氮化硼薄膜的制造方法及六方晶氮化硼薄膜，该六方晶氮化硼薄膜的制造方法能够廉价地制造大面积、具有1nm以上的均匀的厚度且晶界少的六方晶氮化硼薄膜。本发明的六方晶氮化硼薄膜，其特征在于，厚度为1nm以上，通过拉曼光谱得到的E2g峰的半峰宽的平均值为9～20cm‑1。
六方晶氮化薄膜及其制造方法

[发明专利]一种六方氮化硼材料及其制备方法和用途-CN201710725751.3有效
发明人：张红玲;张晶;庆朋辉;唐海燕;徐红彬;曹宏斌;张懿 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： B01J20/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种六方氮化硼材料及其制备方法和用途。所述六方氮化硼材料为由多孔氮化硼晶须和多孔氮化硼片层组成的组装结构，或多孔氮化硼晶须结构，分布有介孔和大孔，比表面积可达420m
一种氮化材料及其制备方法用途

[发明专利]一种六方氮化硼纳米晶及其固相制备方法-CN202110888019.4有效
发明人：翁群红;韩玉信 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料制备技术领域，具体涉及一种六方氮化硼纳米晶及其固相制备方法。制备方法包括：将三聚氰胺与硼酸搅拌反应后冷却共结晶或蒸发水分并干燥得硼酸‑三聚氰胺前驱体；将硼酸‑三聚氰胺前驱体铺设成厚度不超过2cm的反应床，并在空气条件下进行热处理，获得六方氮化硼固体；将所述六方氮化硼固体采用乙醇、去离子水多次离心洗涤并进行滤膜过滤，或将所述六方氮化硼固体分散在去离子水中经透析和滤膜过滤，获得六方氮化硼纳米晶分散液；将六方氮化硼纳米晶分散液冷冻干燥获得六方氮化硼纳米晶粉末。该方法工艺和设备简单，制备得到的h‑BN纳米晶颗粒粒径平均值小于20nm，粒度均一性高、结晶度高，且合成产率较高。
一种氮化纳米及其制备方法

[发明专利]六方晶氮化硼粉末、及树脂组合物-CN202280019117.7在审
发明人：竹田豪;绪方重臣;田中玲伟 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本公开文本的一个方面提供六方晶氮化硼粉末，其包含六方晶氮化硼的一次粒子，所述六方晶氮化硼粉末的比表面积为2.5m2/g以下，石墨化指数为2.0以下，纯度为99质量
六方晶氮化粉末树脂组合

[发明专利]一种提升六方氮化硼材料质量的外延生长方法-CN202111164189.4在审
发明人：李传皓;李忠辉;彭大青 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升六方氮化硼材料质量的外延生长方法，属于半导体外延材料技术领域。本方法对单晶衬底采用表面氮化处理形成一薄层非晶氮化层，为后续六方氮化硼材料生长提供高密度的成核格点，采用源的分时输运工艺在非晶氮化层表面生长六方氮化硼材料，同时引入表面活性剂，改善材料表面形貌；材料生长结束后采用离位退火技术，对六方氮化硼材料进行重结晶。本方法能够实现表面平整、晶体质量较高的六方氮化硼材料，促进氮化硼基深紫外光电器件、范德华异质结等新型器件性能的提升。
一种提升氮化材料质量外延生长方法

[发明专利]六方晶氮化硼粉末-CN201980052367.9在审
发明人：中川由美;黑田尚臣;片山茂幸;锅岛诚司;宫口雅史 -专利权人：水岛合金铁株式会社
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明提供了一种光亮性优异的六方晶氮化硼粉末。在上述六方晶氮化硼粉末所包含的六方晶氮化硼颗粒中，具有相对于一次颗粒的晶体(1,0,0)面以110°～160°的角度弯折的结构的颗粒的个数比例为30％以上。
六方晶氮化粉末

[发明专利]一种制备晶片级均匀六方氮化硼薄膜的方法-CN201910298770.1在审
发明人：武斌;姚文乾;刘云圻 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备晶片级均匀六方氮化硼薄膜的方法。该方法采用化学气相沉积法，利用大单晶铜基底预先进行电化学抛光，而后放入高温管式炉进行生长六方氮化硼，即可得到晶片级六方氮化硼薄膜。在不同的晶面上氮化硼会形成三角、六方等多种晶型，在同一晶面上六方氮化硼会实现单晶晶型的无缝拼接，最终形成均匀连续晶片级六方氮化硼薄膜，六方氮化硼作为优异的介电材料在光电材料、微电子器件等方面都有极高的潜在应用价值，本发明为六方氮化硼材料的产业化应用提供了进一步可能。
一种制备晶片均匀氮化薄膜方法

[发明专利]六方晶氮化硼粉末、树脂组合物、树脂片以及六方晶氮化硼粉末的制造方法-CN202080006815.4在审
发明人：池田祐一;台木祥太;藤波恭一;绳田辉彦;手岛胜弥;山田哲也 -专利权人：株式会社德山;国立大学法人信州大学
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明的一个方面所涉及的六方晶氮化硼粉末，包含由六方晶氮化硼一次颗粒团聚得到的六方晶氮化硼团聚颗粒，比表面积为0.5m2/g以上且5.0m2/g以下，所述六方晶氮化硼一次颗粒的长径为0.6μm以上且4.0μm以下，并且长宽比为1.5以上且5.0以下。
六方晶氮化粉末树脂组合以及制造方法

[发明专利]一种利用层间耦合与台阶耦合的协同效应制备单晶六方氮化硼的方法-CN201811514047.4有效
发明人：刘开辉;王理;俞大鹏;王恩哥 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用层间耦合与台阶耦合的协同效应制备单晶六方氮化硼的方法。所述方法利用六方氮化硼和单晶铜箔衬底之间耦合作用，与六方氮化硼晶畴边缘和单晶铜箔上台阶边缘耦合作用的协同效应，来实现六方氮化硼单晶的化学气相沉积生长。所述方法解决了化学气相沉积法制备六方氮化硼单晶尺寸小、价格昂贵、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题。通过简单、高效的方法，实现了单晶六方氮化硼的制备。
一种利用耦合台阶协同效应制备单晶六方氮化方法

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