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[发明专利]喷墨印头及其制程-CN200510083143.4有效
发明人：李致淳;蔡尚颖;陈佳麟;庄仁贤 -专利权人：国际联合科技股份有限公司
申请日： 2005-07-13 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： B41J2/16 文献下载
摘要：该喷墨印头制程提供一晶圆，而此晶圆具有多个致动元件。在晶圆上形成一图案化光阻层，其中图案化光阻层具有多个腔室与分别连接至这些腔室的多个流道，且这些腔室位于这些致动元件上方。在图案化光阻层上形成一负光阻层，其中负光阻层覆盖这些腔室与这些流道。对于负光阻层进行一曝光制程，然后对于负光阻层进行一显影制程，以形成一图案化负光阻层，其中图案化负光阻层具有多个喷嘴，而这些喷嘴分别与这些腔室连通，且各喷嘴的孔径由图案化负光阻层的上表面往图案化负光阻层的下表面逐渐增加
喷墨及其

[发明专利]光致负阻器件-CN91102261.9无效
发明人：何民才;陈炳若;黄启俊 -专利权人：武汉大学
申请日： 1991-04-13 - 公布日： 1992-11-04 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种单片集成，混合集成或组装的光致负阻器件。它是利用间接耦合光电探测结构的光致负阻效应而发明的一种新型光电器件。能够用于高速光电开关和光控振荡。
光致负阻器件

[发明专利]一种碱性水系显影的负型感光树脂组合物及其制备方法与应用-CN202211129624.4在审
发明人：左立辉;贾斌;唐新颖;范圣男;孙朝景;李涛;杜亚琳;宗文敏 -专利权人：明士（北京）新材料开发有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明公开一种负型感光树脂组合物，由包括如下的组分制成：聚酰亚胺树脂、光致交联剂、光引发剂及阻聚剂；所述阻聚剂具有式(I)或式(II)所示结构；所述光致交联剂由具有双官能度的光致交联剂和具有多官能度的光致交联剂组成本发明提供了所述负型感光树脂组合物的制备方法；本发明还提供所述负型感光树脂组合物在作为光刻材料中的应用。本发明提供的碱性水系显影的负型感光树脂组合物在应用过程中，具有80％以上的留膜率，在曝光前后放置24h后再进行显影，依然可以保持较好的图形和分辨率。
一种碱性水系显影感光树脂组合及其制备方法应用

[发明专利]一种大功率白光LED荧光粉涂覆方法-CN201110173524.7有效
发明人：刘沛;郭伦春;夏鼎智;陈建昌 -专利权人：深圳市九洲光电科技有限公司
申请日： 2011-06-24 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体照明技术领域，具体涉及大功率白光LED封装技术，特别是荧光粉涂覆工艺包括配置基于酚醛树脂的耐高温负型光阻剂、配制基于光阻剂的荧光粉胶：荧光粉胶涂覆、曝光显影坚膜。按照本发明所提供的大功率白光LED荧光粉涂覆方法，以有机成分酚醛树脂为成膜剂、光致产酸剂为感光剂、乳酸乙酯或乙二醇醚等为溶剂制成耐热负型光阻剂，再将此光阻剂与荧光粉及硅胶/环氧树脂按一定比例混合均匀，制成基于酚醛树脂负型光阻剂的荧光粉胶再通过涂覆、曝光、显影、坚膜等工艺过程在LED芯片表面形成厚度均匀一致的荧光粉层，从而改善LED出光均匀度，减小LED空间光色差，同时可使器件不受封装后续工艺高温的影响。
一种大功率白光 led 荧光粉方法

[发明专利]负型光阻混合物及光阻图案形成方法-CN202010187210.1有效
发明人：高攀 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供一种负型光阻混合物及光阻图案形成方法，负型光阻混合物包括香豆素衍生线性聚合物，光阻图案形成方法包括整层涂布负型光阻混合物形成一负型光阻层，使用掩模构件对负型光阻层的遮光部分进行遮光，对负型光阻层未被掩模构件遮住的部分进行曝光，形成曝光部分，曝光部分包括负型光阻层和包裹负型光阻层的体型凝胶，使用显影液对负型光阻层进行蚀刻，去除遮光部分，形成负型光阻图案。
负型光阻混合物图案形成方法

[发明专利]一种负性光阻层的固化方法-CN202310700087.2在审
发明人：李思拥;曾一鑫 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种负性光阻层的固化方法。所述方法包括：提供待固化负性层的基板，清洗所述基板至洁净；在所述基板上均匀涂覆负性光阻，形成负性光阻层；对所述基板和所述负性光阻层进行预烤；使用UV光通过掩膜板对所述负性光阻层进行曝光；使用碱性显影液对所述负性光阻层进行显影以使负性光阻层形成与所述掩膜板的透光区对应的图案；使用1200‑1300mj/cm2能量的UV光照射所述基板60‑70秒，照射温度35‑40℃；对所述负性光阻层进行高温固化。本申请的负性光阻层的固化方法，在基板上对负性光阻层进行固化时，能够显著提高负性光阻层的附着力，提高最终显示产品的质量和良品率。
一种负性光阻层固化方法

[发明专利]一种耐高温黄变及耐高温高湿OC负型光阻剂及其在触摸屏器件制造中的工艺制程方法-CN201310713672.2有效
发明人：李伟;廖江华;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：深圳市查科本显示材料有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐高温黄变及耐高温高湿OC负型光阻剂及其在触摸屏器件制造中的工艺制程方法，负型光阻剂，至少由如下重量份的原料组成：甲基丙烯酸的共聚物树脂 5‑30份，含有烯双键的低聚物交联剂 5‑30份，光致自由基引发剂 0.2‑2份，助剂0.5‑3份，耐热黄变树脂5‑30份，溶剂70‑90份。本发明所述的负型光阻剂在制造电容式触摸屏的绝缘桥时，在200‑230℃镀膜温度下；100℃，85%高湿环境下；线电阻稳定在5.0E＋15‑16欧姆范围，透光率在98%。本发明还通过揭示一种黄光制程工艺来说明对负型光阻剂的使用方法及优异工艺参数。
负型光阻剂耐高温黄变触摸屏器件透光率耐热制造高湿制程电容式触摸屏自由基引发剂共聚物树脂甲基丙烯酸高湿环境黄光制程原料组成保护层低聚物交联剂绝缘桥线电阻重量份溶剂树脂镀膜双键

[发明专利]金属光掩膜的制作方法以及金属光掩膜-CN201711396854.6在审
发明人：蔡丰豪 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属光掩膜的制作方法，其包括步骤：在基板上制作形成正性光阻层；在所述正性光阻层上制作形成多个负性光阻块，相邻的两个所述负性光阻块之间具有间隔；在所述正性光阻层和所述负性光阻块上制作形成金属层；将所述正性光阻层和所述负性光阻块去除，以形成金属光掩膜。本发明的金属光掩膜的制作方法采用正性光阻和负性光阻做基板和金属层的中间介体，在完成金属层的制作之后可以将正负性光阻与金属层完全分离，从而制作过程简单且良率较高。
负性光阻正性光阻光掩膜金属层制作金属基板完全分离制作过程光阻介体良率去除

[发明专利]阵列基板及其制备方法-CN201911005524.9有效
发明人：钟舒婷 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制备方法，其制备方法包括制备金属层，在金属层上制备负性光阻层，对负性光阻层进行曝光显影，对金属层进行刻蚀，去除负性光阻层；该制备方法采用负性光阻对金属层进行图案化处理，利用负性光阻见光保留的特性，曝光时在图案内拐角对应位置的负性光阻曝光量足够，显影时图案内拐角对应位置的负性光阻能全部溶于显影液而无残留，保证了后续金属刻蚀过程中金属内拐角处的刻蚀效果，避免了由于光阻曝光不足导致的金属内拐角圆角的问题
阵列及其制备方法

[发明专利]一种用于对负光阻桥接缺陷的扫描方法-CN201410163872.X在审
发明人：许向辉;何理;郭贤权;陈超 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于对负光阻桥接缺陷的扫描方法，涉及半导体领域。该方法为：对负光阻制程芯片进行划分；根据划分区域采用与所述划分区域对应的入射偏振光逐一对所述划分区域进行扫描，并存储扫描区域的缺陷数据；将所述存储扫描区域的缺陷数据整合以获取所述负光阻制程芯片的桥接缺陷扫描结构本发明通过对负光阻制程芯片进行划分，并根据划分区域采用对应的入射偏振光对划分区域进行扫描，从而获取所述负光阻制程芯片的桥接缺陷扫描结构，实现了对高集成度的复杂芯片负光阻制程桥接缺陷检测精确度的控制和优化，可以检测到相互垂直的图形区所形成的负光阻桥接缺陷，达到了快速高效对负光阻制程芯片可能存在的桥接缺陷进行精确扫描的目的。
一种用于负光阻桥接缺陷扫描方法

[发明专利]一种显示面板及其制备方法、负性光阻材料及其制备方法-CN202010113025.8在审
发明人：刘雪 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种显示面板及其制备方法、负性光阻材料及其制备方法，本发明实施例中的显示面板包括光阻层，所述光阻层包括负性光阻材料，所述负性光阻材料包括具备笼型聚倍半硅氧烷的丙烯酸酯聚合物，利用具备笼型聚倍半硅氧烷的丙烯酸酯聚合物来提高负性光阻材料热性能，从而解决负性光阻热性能差、易形成烘烤升华物产生小分子脱气，影响显示面板产品特性的问题。
一种显示面板及其制备方法负性光阻材料

[发明专利]水溶性负型光阻及其形成光阻图案的方法-CN200310122533.9有效
发明人：何邦庆;陈建宏;高野洋介;卢炳宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;瑞士商科莱恩国际股份有限公司
申请日： 2003-12-08 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种水溶性负型光阻及其形成光阻图案的方法，该水溶性负型光阻至少包括聚合物、光活性化合物、抑制剂、交链剂、以及溶剂。由于此水溶性负型光阻不会与之前形成的光阻层互相混合，在曝光之后即可用去离子水来显影出预定的光阻图案。本发明提供的该形成光阻图案的方法，应用此水溶性负型光阻于构装与解除(Packing AndUnpacking；PAU)的光罩组合的方式，可增加聚焦深度(Depth OfFocus；DOF)，降低光罩误差系数(Mask Error Factor；MEF)，并缩小洞与洞的分离率(Hole－to－separation Ratio)，进而达到提高聚焦深度及降低光罩误差系数的目的。
水溶性负型光阻及其形成图案方法

[发明专利]一种显示面板的制造方法、显示面板及显示装置-CN201910772147.5有效
发明人：蔡奇哲;汪红 -专利权人：咸阳彩虹光电科技有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板的制造方法，包括提供衬底基板；通过第一次曝光在衬底基板上形成具有像素坑的第一光阻层，第一光阻层的材料包括混合有光敏材料的负性光阻材料；对第一光阻层进行第二次曝光形成最终光阻层，最终光阻层包括剩余部分的第一光阻层及位于剩余部分的第一光阻层上的第二光阻层，且第一光阻层和第二光阻层的亲水特性不同。本发明的负性光阻材料中混合有光敏材料，在第二次曝光的过程中，负性光阻材料的上层部分接收光照较多，光敏材料在光照条件下发生反应变成疏水特性，而负性光阻材料的下层部分受光照影响较小仍然是亲水特性，当色阻材料注入至像素坑的时候可有效防止墨水溢出像素坑
一种显示面板制造方法显示装置

[发明专利]半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法-CN201410683305.7有效
发明人：施建根 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法，包括以下步骤：在半导体晶圆上形成金属种子层；在金属种子层上形成负性光阻，且负性光阻的外周面与半导体晶圆的外周面平齐；遮挡负性光阻的边缘，并对负性光阻遮挡区域外的部分进行曝光，形成曝光图案，且被遮挡部分的负性光阻形成为边缘光阻；对边缘光阻内侧的部分进行曝光处理；去除边缘光阻的外侧部分。本发明中在半导体晶圆边缘形成用于电镀治具密封环所需要的无图形光阻以及控制半导体晶圆边缘形成的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域宽度范围，可以有效的防止渗镀，延长电镀治具的预防性维护周期。
半导体制造电镀密封接触区域形成方法

[发明专利]TFT基板的制作方法-CN201810793136.0有效
发明人：朱茂霞 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种TFT基板的制作方法，首先利用半透光光罩对钝化层上的负型光阻材料进行曝光，形成交联部、外露的第一未交联部及由交联部覆盖的第二未交联部，通过第一次显影去除第一未交联部，在钝化层上形成过孔，然后对负型光阻材料进行灰化处理，将负型光阻材料减薄至露出第二未交联部，通过第二次显影去除第二未交联部，在负型光阻材料及露出的钝化层上沉积透明导电材料，形成钝化层上的像素电极，最后用光阻剥离液去除剩余的负型光阻材料及其上的透明导电材料；本发明通过分步显影的方式，解决了利用负型光阻材料形成half tone结构的技术难点，使3mask工艺使用负型光阻材料具有制程上的可行性。
tft 制作方法

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