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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]接合装置、接合系统及接合方法-CN201210337874.7有效
发明人：冈田慎二;白石雅敏;出口雅敏;吉高直人;杉原绅太郎;松永正隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供接合装置、接合系统及接合方法。用于抑制在与支承基板接合后的晶圆上产生翘曲、变形。用于将被处理晶圆（W）和支承晶圆（S）接合起来的接合装置（30）包括：处理容器（100），其能够使内部密闭；接合部（113），其以使粘接剂介于被处理晶圆（W）和支承晶圆（S）之间的方式对被处理晶圆（W）和支承晶圆（S）进行按压而将被处理晶圆（W）和支承晶圆（S）接合起来；交接臂（120），其作为重合基板温度调节部，用于对利用接合部（113）接合而成的重合晶圆（T）进行温度调节，接合部（113）及交接臂（120）配置在处理容器（100）内。
接合装置系统方法

[发明专利]基板处理方法-CN200910007671.X无效
发明人： 白石雅敏;寺田尚司;麻生丰;大西辰己;真锅英二 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-02-20 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法，其是在溶解光致抗蚀剂图案而形成所希望的抗蚀剂图案的回流处理中，能够提高生产效率，降低成本的基板处理方法。在溶解在基板(G)上形成的光致抗蚀剂图案(206)，形成新的光致抗蚀剂图案的基板处理方法中实行以下步骤：将作为底膜的蚀刻掩模使用的上述光致抗蚀剂图案(206)在纯水(W)中暴露规定时间的步骤；向上述基板(G)上吹付空气，除去上述纯水(W)的步骤；和将上述光致抗蚀剂图案(206)暴露于溶剂气氛中进行溶解，对规定区域进行掩模的步骤。
处理方法

[发明专利]回流处理方法以及TFT的制造方法-CN200810003524.0无效
发明人：麻生丰;白石雅敏;田中志信 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-01-18 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及回流处理方法以及TFT的制造方法。以源电极用抗蚀剂掩膜(210)(漏电极用抗蚀剂掩膜(211))的单位长度L平均的体积V₁相对布线用抗蚀剂掩膜(231)的单位长度L平均的体积V₂为1.5～3倍的方式设定线宽W₁以及W₂，由此，可确保源电极用抗蚀剂掩膜(210)(漏电极用抗蚀剂掩膜(211))进行变形而得到的变形抗蚀剂(212)的线宽W₃为充分覆盖凹部(220)的宽度，并且，将布线用抗蚀剂掩膜(231)变形而得到的变形抗蚀剂(232)的线宽W₄抑制得很小。
回流处理方法以及 tft 制造

[发明专利]软溶处理装置以及软溶处理方法-CN200810002678.8无效
发明人：麻生丰;白石雅敏;田中志信 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-01-14 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在软溶处理单元(REFLW)(50)中，使辊(51)旋转，在X方向上输送基板(G)，基板(G)通过中空筒状的软溶处理器(53)的内部时，将包含溶剂的气体从溶剂供给部(55)的溶剂供给口(69)朝向基板(G)的表面供给，而且，从溶剂吸入部(57)的溶剂吸入口(75)吸入所供给的气体。向软溶处理空间(S)排出的包含溶剂的气体形成朝向溶剂吸入口(75)的单方向的流动，软溶处理空间的气氛中的溶剂被基板(G)表面的抗蚀剂吸收，由此，抗蚀剂软化而流动化，形成变形抗蚀剂图案。
处理装置以及方法

[发明专利]基板处理方法-CN200710101648.8无效
发明人：麻生丰;白石雅敏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-03-02 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法，能够在腔室内溶解光致抗蚀剂图形而形成所希望抗蚀剂图形的回流处理中，抑制随腔室内溶剂气氛的置换抗蚀剂图形的变形，防止图形不合格的发生。包括：将腔室(10)内的气压从基准压力减压到比该基准压力低的第一目标压力P1的步骤；将溶剂气氛导入到腔室内、使腔室(10)内的气压返回到基准压力的步骤；由溶剂气氛溶解腔室(10)内的光致抗蚀剂图形的步骤；和将腔室(10)内减压到设定为比所述基准压力并且比所述第一目标压力P1高的第二目标压力P2，排出腔室(10)内的溶剂气氛的步骤。
处理方法

[发明专利]基板处理方法-CN200710086123.1无效
发明人：麻生丰;白石雅敏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-03-02 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法，该方法在溶解抗蚀剂图形、形成所希望的图形的回流处理中，能够防止发生断线等不良问题，对于希望遮掩的规定区域能够有效地形成具有充分的均匀性的图形。其包括从具有厚膜部和薄膜部的抗蚀剂图形(206)，利用再显影处理除去薄膜部的步骤；和溶解由上述再显影处理在基底膜(205)上形成的抗蚀剂(206)，使之通过形成在基底膜(205)的边缘部上的台阶部(205a)，遮掩规定区域(Tg)的步骤，在遮蔽规定区域(Tg)的步骤中，在基底膜(205)上，在第一溶解速度模式下，溶解上述光致抗蚀剂(206)，在所溶解的光致抗蚀剂到达台阶部(205a)后，在溶解速度比第一溶解速度模式慢的第二溶解速度模式下，溶解上述光致抗蚀剂(206)。
处理方法

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