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[发明专利]基于WSe2-CN202011263509.7有效
发明人：周泽;姜昱丞;周鹏飞;殷凌煜;沈嘉昕;霍炜霄;董悦 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于WSe2/KTaO3范德华异质结的光电探测器及其制备方法，属于光电材料技术领域。本发明提供的基于WSe2/KTaO3范德华异质结构可实现对光照条件开/关的瞬时光电响应，开/关电流之比高达104；同时，在不加偏压时也能产生短路电流，可作为自供能光电探测器使用。这种光电器件结构简单、制备简单、性能优良。本发明技术方案为2D材料/2DEG系统的范德华异质结在高性能光电器件和光电探测器中的应用提供了可能。
基于 wse base sub

[发明专利]一种基于光电神经网络的复合采集处理系统-CN201910982039.0有效
发明人：詹义强;骆佳艳;杨坤隆;袁斯建;郑立荣 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06N3/084 文献下载
摘要：本发明属于大脑启发计算领域，具体为一种基于光电神经网络的复合采集处理系统。本发明系统，采用光电神经网络将传感功能与处理网络合并；采用双模光电突触实现感知记忆功能；采用改进BP算法神经网络使光电突触权重更新取决于输入信号和二进制的BP信号以减少误差；其中双模光电突触采用底栅底接触场效应晶体管，该器件以聚酰亚胺薄膜作柔性基板，以聚（9,9‑二辛基芴‑共‑二硫代‑苯）作为光吸收材料、单壁碳纳米管作为导电通道，组成光电材料复合物；本发明系统光电转换效率高，设备面积小，可极大地降低成本，并且可以进行数据的并行传输
一种基于光电神经网络复合采集处理系统

[实用新型]新型断料报警系统-CN201820704063.9有效
发明人：郑申;陶冶;张吉福;张少华;李剑;薛炳善 -专利权人：泰山石膏（威海）有限公司
申请日： 2018-05-12 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： B28B17/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种涉及纸面石膏板生产领域，尤其涉及一种应用于纸面石膏板的原辅材料断料报警系统，包括进料口和固定在进料口上的夹子，还包括夹子上的光电感应开关，光电感应开关与电源连接，进料口处设置有活动支架，活动支架上固定有小叶轮，活动支架垂直面固定连接有光电感应棒，光电感应棒为细长型，光电感应棒端头部分超过进料口，小叶轮由轻质木板制成，光电感应棒位于活动支架上靠近光电感应开关的一侧。本实用新型原辅材料断料可以及时的发现并处理，保证了产品质量及生产的顺利进行，小叶轮还可以保证原料添加的稳定性，确保了混料均匀。
光电感应活动支架光电感应开关进料口小叶轮本实用新型纸面石膏板断料报警原辅材料夹子电源连接进料口处轻质木板原料添加棒端头垂直面细长型断料混料保证应用发现生产

[实用新型]环形光电一体化灯板、光电模组及吸顶灯-CN202021609748.9有效
发明人：牛占彪 -专利权人：宁波公牛光电科技有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： F21S8/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种环形光电一体化灯板、光电模组及吸顶灯，涉及照明技术领域。本申请中的环形光电一体化灯板具有环形部和拼接部，两个环形光电一体化灯板通过拼接部拼接后两个环形部位于同一个圆的圆周上，且两个环形光电一体化灯板关于该圆的圆心中心对称。环形光电一体化灯板上设置有LED灯珠。一块圆形的电路板材料可以分成两个完全相同的环形电路板，在满足光效的同时能够最大限度的利用材料从而降低成本。本申请同时还提供了一种光电模组和吸顶灯。
环形光电一体化模组吸顶灯

[发明专利]基于二维硒化钴薄膜的室温宽光谱光电探测器及制备方法-CN202010651962.9有效
发明人：吴幸;梁芳;王超伦 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维硒化钴薄膜的室温宽光谱光电探测器及制备方法，利用双离子束溅射技术在衬底上溅射生长一定厚度的钴膜，在此基础上，以氯化钴粉末、硒粉为反应源，以氩气为载气，利用化学气相沉积法制备硒化钴薄膜在硒化钴薄膜上设置与其欧姆接触的金属电极为源漏电极，构成二维硒化钴薄膜基光电探测器。所得的硒化钴薄膜基光电探测器在室温下首次可实现450纳米到10.6微米激光的宽光谱响应波段，其响应率高达2.58瓦/安。本发明提供了一种新型高性能二维材料基室温宽光谱光电探测器，拓展了二维硒化钴材料在光电领域及磁光领域的应用。
基于二维硒化钴薄膜室温光谱光电探测器制备方法

[发明专利]一种光电探测器-CN201711381838.X有效
发明人：刘江涛 -专利权人：贵州民族大学
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明提供了一种光电探测器，包括：光电探测层和第一电极层，第一电极层设置于光电探测层一侧表面，得到光电探测结构；光电探测层由二维材料或二维材料异质结构制备而成。由二维材料或二维材料异质结构对光敏感的同时极薄（厚度小于1nm（纳米）），以此与辐射粒子发生反应的几率极小，误触发几率极小；另外，二维材料平面内原子间作用力较强，结构稳定，辐射粒子产生的损伤较小。
一种光电探测器

[发明专利]一种中间能带太阳能电池及其光电转换薄膜材料-CN201110433672.8无效
发明人：张振宇;崔萍;蓝海平;曾长淦 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：本发明提供一种中间能带太阳能电池，所述电池包括：衬底；设在衬底上的背电极；设在背电极上的互补型薄膜；设在所述互补型薄膜上的光电转换薄膜材料；其中，所述光电转换薄膜材料为具有中间能带的光电转换层；所述具有中间能带的光电转换层的母体材料采用TiO2、ZnO、Si或III-V族半导体材料；以及金属电极。本发明提供一种转换效率高、电池稳定以及制造成本合理的太阳能电池及其组成该电池的光电转换薄膜材料。
一种中间能带太阳能电池及其光电转换薄膜材料

[发明专利]一种偏振光探测器及其制备方法-CN202210636581.2在审
发明人：汪国平;张豫鹏;黎德龙;龚佑宁;陈昊 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开一种偏振光探测器及其制备方法，所述探测器包括光电转换层和相对设置在光电转换层上的两个电极，两个电极均与光电转换层形成部分接触，两个电极的材料均为PtSe2，光电转换层的材料为单晶SnSe二维纳米片，两个电极与光电转换层接触的部分形成SnSe/PtSe2异质结。本发明中，在两个电极与光电转换层接触的部分构建了SnSe/PtSe2异质结作为偏振光探测材料实现光电信号的转换，两个电极与光电转换层未接触的部分作为PtSe2同时作为偏振光探测材料和电极材料，在有效促进光生载流子的分离、增强光电流、提高器件效率的同时不存在电极材料和偏振光探测材料表面功函数失配的问题
一种偏振光探测器及其制备方法

[发明专利]一种采用价带谱进行X射线光电子能谱校正的方法-CN202010960652.5有效
发明人：刘建;郝俊英;刘维民 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所;青岛市资源化学与新材料研究中心(中国科学院兰州化学物理研究所青岛研究发展中心)
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G01N23/2273 文献下载
摘要：一种采用价带谱进行X射线光电子能谱校正的方法，包括以下步骤：(1)采用X射线光电子能谱仪对材料进行特征X射线光电子能谱及价带谱的扫描，得到高分辨的谱图测试特征X射线光电子能谱及价带谱；(2)从所述的测试特征X射线光电子能谱及价带谱谱图上识别出材料中各元素特征峰的位置，并以切线相交方式从步骤(1)检测的价带谱得到材料的测试带隙数值；(3)查阅文献及书籍，得到材料的标准带隙数值；(4)将所述的标准带隙数值减去所述的测试带隙值得到的差值进行移动，得到材料真实的特征X射线光电子能谱。本发明采用价带谱进行X射线光电子能谱校正，发展了X射线光电子能谱校正的方法，得到了材料真实的特征X射线光电子能谱。
一种采用价带进行射线光电子校正方法

[发明专利]一种动态有机室温磷光过冷液体及其制备方法和应用-CN202310346435.0在审
发明人：安众福;史慧芳;徐梓轩;王昭宇;黄维 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C07D279/30 文献下载
摘要：本发明属于有机室温磷光过冷液体材料的制备和应用领域，具体公开一种动态有机室温磷光过冷液体及其制备方法和应用。本发明通过引入末端羟基实现过冷液体的形成，引入酰胺键实现有机室温磷光的产生，最终实现该类材料在安全加密和柔性光电器件领域中的应用。本发明材料具有以下特点：(1)有机反应的原材料廉价、合成步骤少、生物毒性低；(2)材料的量子产率高；(3)材料具备有机材料的柔性特点；(4)基于过冷液体具有极高的可加工性能，可实现信息加密、生物成像、柔性光电器件中的应用因此，本发明基于液态的有机室温磷光材料具有巨大商业化潜力。
一种动态有机室温磷光过冷液体及其制备方法应用

[发明专利]9-羟基-9′-含芳香共轭取代芴类聚合物材料及其制备和应用方法-CN201110120321.1无效
发明人：解令海;黄维;林进义;张超;林宗琼;仪明东 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C08G61/02 文献下载
摘要：9-羟基-9′-含芳香共轭取代芴类聚合物材料及其制备和应用方法属于光电材料与有机信息显示科技领域，具体为一种9-羟基-9′-含芳香共轭取代芴的均聚或共聚共轭聚合物及其制备方法，并将该类材料应用于有机发光显示等有机电子领域，该材料具有如下结构：该材料具有：(1)合成步骤简单、条件温和；(2)保持了高热稳定性和玻璃化温度等优点；(3)超分子作用使材料呈现形态多样性，具有丰富的光学特性。可以预期，该类材料将成为具有商业化潜力的有机光电功能材料。
羟基芳香共轭取代类聚材料及其制备应用方法

[发明专利]一种稀土掺杂的光伏薄膜材料及其制备方法-CN201910477147.2有效
发明人：崔少博;石明吉;秦佳琼;王运锋;唐晓燕;郭爽 -专利权人：南阳理工学院
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能技术领域，具体来说是一种稀土掺杂的光伏薄膜材料及其制备方法，将MO与D2O3混合，并于1200‑1600℃烧结得到多晶材料，然后利用磁控溅射法将多晶材料溅射到硅基材料表面上，并在氩气氛围于200‑800℃退火得到表面生成化合物量子点的结晶硅基‑多晶材料，最后利用离子注入法在结晶硅基‑多晶材料的多晶材料表面注入稀土离子的氧化物，并在氩气氛围于1000‑1100℃再次退火，得到稀土掺杂的光伏薄膜材料。本发明通过在硅基材料表面溅射多晶材料以及注入稀土离子氧化物得到光伏薄膜材料，能比现有的光伏材料实现更好的光电转换，有效提高光电转化效率，光电转化率达到31％，具有美好的应用前景。
一种稀土掺杂薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种提高钙钛矿材料湿度稳定性的方法-CN201810563019.5有效
发明人：叶谦;章琎;郭鹏飞;王洪强 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高钙钛矿湿度稳定性的方法，也就是通过引入氟碳疏水链分子RNH₂对钙钛矿材料进行表面修饰来提高钙钛矿材料的湿度稳定性，包括钙钛矿材料的制备以及钙钛矿材料与氟碳疏水链分子混合改性两个步骤本发明中使用疏水链分子对钙钛矿材料进行改性，氨基与钙钛矿相结合能够使其表面缺陷减少和载流子寿命增长，烷基链和C‑F官能团能提高材料表面的疏水性，最终使钙钛矿材料的光电性能和湿度稳定性能均得到了明显改善，同时延长了钙钛矿基光电器件的使用寿命，使得钙钛矿材料在光电领域的实际应用中具有美好的发展前景。
钙钛矿材料湿度稳定性疏水链氟碳氨基载流子寿命表面缺陷表面修饰钙钛矿基钙钛矿相光电领域光电器件光电性能混合改性使用寿命稳定性能钙钛矿疏水性烷基链改性制备引入应用

[发明专利]一种光电探测器及其制造方法-CN202011168064.4在审
发明人：陈钢;李俊杰 -专利权人：南京迪钛飞光电科技有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种光电探测器及其制造方法，光电探测器包括薄膜晶体管、光电转换器、透明电极层、第一触控金属层、有机绝缘层以及绝缘层；所述光电转换器包括均与源极和漏极接触的N型半导体材料层、位于N型半导体材料层上的I型半导体材料层以及位于I型半导体材料层上的P型半导体材料层。本发明光电探测器的光电转换器兼顾半导体层的功能，使得薄膜晶体管为耗尽型的薄膜晶体管；沟道区被光电转换层的N型半导体材料层覆盖，减少工艺步骤，减少掩膜版，实现半导体层的最大利用，实现光电转换器和薄膜晶体管功能的合并
一种光电探测器及其制造方法

[发明专利]用于相位检测自动聚焦的双光电二极管-CN201810419509.8有效
发明人：郑荣友;熊志伟;渡边一史 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种相位检测自动聚焦图像传感器包含安置在半导体材料中的多个光电二极管中的第一光电二极管及所述多个光电二极管中的第二光电二极管。第一钉扎阱安置在所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间，并且所述第一钉扎阱包含第一沟槽隔离结构，其从所述半导体材料的第一表面延伸到所述半导体材料中达第一深度。第二沟槽隔离结构安置在所述半导体材料中并且环绕所述第一光电二极管及所述第二光电二极管。所述第二沟槽隔离结构从所述半导体材料的所述第一表面延伸到所述半导体材料中达第二深度，并且所述第二深度大于所述第一深度。
光电二极管半导体材料沟槽隔离结构第一表面相位检测钉扎安置自动聚焦图像自动聚焦传感器延伸环绕