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[发明专利]光学邻近修正的方法-CN201110109857.3有效
发明人：杨青;刘娟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种光学邻近修正的方法，包括：提供测试图形，所述测试图形与待曝光图形对应；根据所述待曝光图形，提供至少两组光学邻近修正参数；利用光学邻近修正参数对所述测试图形进行光学邻近修正模拟，获得至少两组模拟图形；将所述至少两组模拟图形分别与所述测试图形比较，获得至少两个偏差值，每个偏差值分别与每组光学邻近修正参数对应；选择所述至少两个偏差值中最小的偏差值，将所述最小的偏差值对应的光学邻近修正参数作为最优光学邻近修正参数；利用所述最优光学邻近修正参数对所述待曝光图形进行光学邻近修正。本发明实施例减小了光学邻近修正的循环时间，节省了半导体代工厂的生产成本。
光学邻近修正方法

[发明专利]用于后光学邻近修正修复的方法-CN201510018670.0有效
发明人：杜杳隽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种用于后光学邻近修正修复的方法。所述方法包括：第一步骤：基于所述后光学邻近修正修复之前的光学邻近修正过程所产生的错误标记形成局部修正区域；以及第二步骤：在所述局部修正区域内实施局部光学邻近修正，直到不再产生错误标记。本发明所提供的用于后光学邻近修正修复的方法基于局部修正区域进行后光学邻近修正，可以大大减少运算量，提高效率。
用于光学邻近修正修复方法

[发明专利]光学邻近修正模型、光学邻近修正方法-CN201910041423.0有效
发明人：杜杳隽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正模型、光学邻近修正方法，所述光学邻近修正模型含有曲率校正项，所述曲率校正项适于表征物理晶圆上的图形轮廓上各位置在应力作用下的曲率变化量。本发明所述曲率校正项适于表征物理晶圆上的图形轮廓上各位置在应力作用下的曲率变化量，因此，通过所述OPC模型获得模拟图形后，即可在模拟图形中显示曲率异常的现象，以提高通过光学邻近修正模型所获得的模拟图形与物理晶圆上实际图形的匹配度，相应的，在对晶圆版图进行光学邻近修正时，能够根据模拟图形轮廓上各位置的实际曲率情况进行相应修正，从而提高了光学邻近修正的精准度。
光学邻近修正模型方法

[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法-CN202111294787.3在审
发明人：陈术;严中稳;朱皖骄 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，其中，光学邻近修正方法包括：获取初始版图；对初始版图进行曝光处理，获取初始曝光版图；当在初始曝光版图中检测到缺陷时，以预设最小移动步长，对初始版图进行n次探测光学邻近迭代修正；在所述n次探测光学邻近迭代修正后，获取与若干第n探测待修正边一一对应的若干最佳移动步长，最佳移动步长大于或等于所述预设最小移动步长；根据若干最佳移动步长，对第n探测版图进行m次第一光学邻近迭代修正，获取第一修正版图从而，减少光学邻近修正过程中发生缺陷的风险，有效提升了光学邻近修正的效率。
光学邻近修正方法掩膜版制作方法

[发明专利]光学邻近修正方法-CN201310505098.1有效
发明人：王辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种光学邻近修正方法，提出同时对光学模型与可变曝光参考阈值的光刻胶模型进行拟合，以获得测试掩膜版图形的最佳修正参数值。本发明提供的光学邻近修正方法中，光刻胶模型不依赖并不准确的光学模型搭配固定曝光参考阈值光刻胶模型所获得的光学模型参数，从而保证了光学邻近修正模型的物理性，因而所获得的结果更接近实际光学邻近修正，采用上述结果进行光学邻近修正的效果更好
光学邻近修正光刻胶模型光学模型掩膜版图形参考曝光物理性可变拟合搭配测试修正保证

[发明专利]光学邻近修正方法、掩膜板及显示面板-CN202310016759.8在审
发明人：段淼;朱钦富;李林霜;陈黎暄 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种光学邻近修正方法、掩膜板及显示面板，该光学邻近修正方法包括：获取目标刻蚀图形；对所述目标刻蚀图形进行补偿修正，得到补偿图形；获取所述补偿图形对应的初始掩膜板图形，对所述初始掩膜板图形进行光学邻近修正该光学邻近修正方法能够提高光刻工艺的分辨率且低成本。该光学邻近修正方法能够对玻璃基板上的高分辨率图案区域进行光学邻近校正。
光学邻近修正方法掩膜板显示面板

[发明专利]光学邻近修正方法-CN201510005960.1有效
发明人：王兴荣;张迎春 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学邻近修正方法，通过在对待校正图形执行第一光学邻近修正获得第一校正图形后，采用从制程所对应的工艺窗口模型中所选择的具有最大间距值的模型和具有最小线宽值的模型对第一校正图形进行校验，确定易偏离点，并对该易偏离点进行目标修正后，执行第二光学邻近修正获得第二校正图形，并采用上述工艺窗口模型对该第二校正图形进行检验，在光学邻近修正期间穿插对第一校正图形的修改，从而保障了易偏离点能够及时的发现和修正，减轻了后续光学邻近修正进行冗余运算的数据量，缩短了掩膜数据的运算时间，因无需额外重新确定光学邻近修正的目标图形进行循环修正，从而缩短了光学邻近修正的周期，进而提高了生产效率。
光学邻近修正方法

[发明专利]用于评估光学邻近修正模型的精度的方法-CN201510418429.7有效
发明人：杜杳隽 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种用于评估光学邻近修正模型的精度的方法，所述方法包括：将光学邻近修正模型映射到由光学邻近修正模型的拟合参数所构成的向量空间，以构建由第一向量所表示的第一模型；确定向量空间内的第一方向，光学邻近修正模型所计算的阈值沿第一方向变化最快；将第一模型沿着第一方向移动预定量以构建由第二向量所表示的第二模型；以及针对不同的给定节距计算用于第一模型的第一关键尺寸和用于第二模型的第二关键尺寸的差，以得到光学邻近修正模型的精度。本发明所提供的用于评估光学邻近修正模型的精度的方法可以对光学邻近修正模型的精度进行有效地评估，从而可以实现更为可靠的光学邻近修正。
用于评估光学邻近修正模型精度方法

[发明专利]一种用于接触孔图形设计的光学邻近修正的方法-CN201210398044.5有效
发明人：王辉;王伟斌 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种用于接触孔图形设计的光学邻近修正的方法，包括：提供具有接触孔图形的设计版图；对所述设计版图中的接触孔图形实施第一光学邻近修正；判断经过所述第一光学邻近修正后的接触孔图形是否满足掩膜规则检验的要求，如果不满足掩膜规则检验的要求，则对经过所述第一光学邻近修正后的接触孔图形实施第二光学邻近修正时，在经过所述第一光学邻近修正后的接触孔图形之间添加另一图形使两个邻近的接触孔图形相连接成为一图形单元；对所述图形单元进行光刻投影模拟根据本发明，对接触孔图形进行的光学邻近修正不会受到掩膜规则检验的限制，从而使修正后的接触孔图形能够完全补偿光刻模拟时光的干涉和衍射所引起的接触孔图形的变形。
一种用于接触图形设计光学邻近修正方法

[发明专利]基于模型的校验光学邻近修正的方法-CN200810105305.3有效
发明人：刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-04-28 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种基于模型的校验光学邻近修正的方法，包括如下步骤：提供经过光学邻近修正后的待曝光图形；对待曝光图形进行校验，找出弱点；以待曝光图形上的弱点为中心，选定扩展区域；对弱点进行光学邻近修正；对扩展区域内的待曝光图形进行校验本发明在校验光学邻近修正的过程中，仅需校验扩展区域内的待曝光图形，节省了校验光学邻近修正所用的时间。
基于模型校验光学邻近修正方法

[发明专利]光学邻近修正方法-CN201010118841.4有效
发明人：洪齐元 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-03-05 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法，包括：提供待曝光图形；对所述待曝光图形进行校验，确定弱点；确定修正区，所述修正区包括所述弱点；对所述修正区内的待曝光图形进行光学邻近修正。本发明缩短了光学邻近修正过程的时间，提高了生产效率，降低了生产成本。
光学邻近修正方法

[发明专利]光学邻近修正、光掩膜版制作及图形化方法-CN201910838032.1在审
发明人：王健 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正、光掩膜版制作及图形化方法，其中，光学邻近修正方法包括：分别对第一初始图形中的第一子图形和第二子图形设置第一容忍度和第二容忍度，且第一容忍度小于第二容忍度；对第一初始图形进行光学邻近修正，修正过程中，若第一边缘放置误差小于等于第一容忍度，且第二边缘放置误差小于等于第二容忍度，则光学邻近修正完成，获得第一修正图形。本发明提供的光学邻近修正方法可以提高修正精度和修正效率。
光学邻近修正光掩膜版制作图形方法

[发明专利]光学邻近修正模型的获取方法-CN201310505289.8有效
发明人：王辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正模型的获取方法，包括：获取用户目标图形，对所述用户目标图形进行光学邻近修正，获得修正后掩膜版图形；得到修正后掩膜版图形的光强信息；若光学邻近修正模型数据库内不存在与修正后掩膜版图形的光强信息相一致的已有掩膜版图形的光强信息，则将上述修正后掩膜版图形的光强信息、修正后掩膜版图形及其周围相干半径记录入光学邻近修正模型数据库。如此，采用光强信息比较方式，增加了光学邻近修正模型数据库中的掩膜版图形，对于客户新的电路设计图形，数据库可以实现完全覆盖。
掩膜版图形光学邻近修正光强信息修正模型数据库用户目标电路设计相干数据库客户记录

[发明专利]光学模型的优化方法以及光学邻近修正方法-CN201911380331.1在审
发明人：陈蓓;陈权 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学模型的优化方法以及光学邻近修正方法，光学模型的优化方法包括：提供光掩膜基板和初始光学模型；确定光掩膜基板中的缺陷的位置和尺寸；获取任一缺陷位置处和正常位置处的光强比，用于作为光强修正因子，光强修正因子与所对应的缺陷的位置和尺寸相关；将光强修正因子添加至初始光学模型中，获得光学模型。本发明的光强修正因子能够表征由缺陷的存在所引起的实际光强的变化，从而使得光学模型的精度更高，光学模型用于建立光学邻近修正模型，因此，能够根据实际光强建立较佳的光学邻近修正模型，以弥补光掩膜基板的缺陷所带来的影响，进而提高光学邻近修正的精准度。
光学模型优化方法以及邻近修正

[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法-CN201911386643.3在审
发明人：陈术 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，提供参考版图，所述参考版图包括若干参考图形；根据所述参考版图获取图形修正数据库；提供待修正版图，所述待修正版图包括若干待修正图形；对所述待修正版图进行分类，获取每个所述待修正图形的第一分类数据；根据所述待修正图形的第一分类数据与所述图形修正数据库进行对比，获取每个所述待修正图形的第一光学邻近修正数据。由于在半导体制程中，对伪结构层的光学邻近修正精度要求较低，因此可以采用比对获取所述待修正图形的第一光学邻近修正数据的方法来进行修正处理，通过这种光学邻近修正流程能够有效的减少对所述待修正图形的计算时间，进而有效的提升了对所述待修正图形的修正效率。
光学邻近修正方法掩膜版制作方法

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