专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]基于电可调太赫兹滤波器-CN201621495429.3有效
  • 史叶欣 - 中国计量大学
  • 2016-12-29 - 2017-08-22 - H01P1/20
  • 它包括信号输入端、第一金属光子晶体层、第二金属光子晶体层、缺陷层、第三金属光子晶体层、第四金属光子晶体层、信号输出端、偏置电压;第一金属光子晶体层、第二金属光子晶体层、缺陷层、第三金属光子晶体层、第四金属光子晶体层、自上而下顺序排列、信号从信号输入端垂直入射到第一金属光子晶体层,依次经过第二金属光子晶体层、缺陷层、第三金属光子晶体层、第四金属光子晶体层和信号输出端垂直输出;通过调节施加在第一金属光子晶体层和第四金属光子晶体层之间的偏置电压
  • 基于可调赫兹滤波器
  • [发明专利]一种光子晶体光纤磨抛工艺方法-CN201410023312.4有效
  • 宋武;汪飞琴;黄韬;郑国康;李晶 - 北京航天时代光电科技有限公司
  • 2014-01-17 - 2014-05-14 - G02B6/25
  • 本发明公开了一种光子晶体光纤磨抛工艺方法包括:光子晶体尾纤磨抛前准备;光子晶体尾纤的装卡;光子晶体光纤端面的粗磨;光子晶体光纤端面的细磨;光子晶体光纤端面的精磨;光子晶体光纤端面的抛光;光纤端面检查。由于本发明中的磨抛工艺方法采用湿法腐蚀光刻工艺或划切工艺在光纤固定块上形成V型槽以及在常规光子晶体端面磨抛基础上引入了光子晶体光纤端面的抛光平面为与光纤横截面成一定角度的CMP技术,采用该工艺方法制备的光子晶体光纤能够确保尾纤具有较小的损耗,可用于全内反射型光子晶体光纤和光子带隙型光子晶体光纤端面角度的磨抛。
  • 一种光子晶体光纤工艺方法
  • [实用新型]一种光子晶体平板波导装置-CN201720752552.7有效
  • 许江勇;谢磊;王文龙;谭福奎;周波 - 兴义民族师范学院
  • 2017-06-18 - 2018-03-13 - G02B6/02
  • 本实用新型属于光子晶体技术领域,公开了一种光子晶体平板波导装置,所述光子晶体平板波导装置设置有光纤接头和光子晶体光纤;光纤接头上端安置有粘贴带;光纤接头内部横穿光子晶体光纤;光子晶体光纤包括保护套,空气孔,光纤芯和硅玻璃材料;光子晶体光纤的外层为保护套;光子晶体光纤的内部填充硅玻璃材料;硅玻璃材料中均匀的排列空气孔;光子晶体光纤中央为光纤芯。本实用新型为光子晶体平板波导装置,该光子晶体光纤使用方便,安装更加稳固,传输速度更快,设置粘贴带使光纤安装更加稳固,避免折损,提高使用率。
  • 一种光子晶体平板波导装置
  • [发明专利]光子晶体膜、液晶显示模组和显示装置-CN201910173301.7有效
  • 刘冰洋;陈东川;钱学强 - 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
  • 2019-03-07 - 2021-05-04 - G02B1/00
  • 本发明提供了光子晶体膜、液晶显示模组和显示装置。该光子晶体膜包括多个层叠设置的子光子晶体膜,多个层叠设置的子光子晶体膜包括至少一层第一子光子晶体膜;至少三层第二子光子晶体膜,第一子光子晶体膜的厚度大于第二子光子晶体膜的厚度,相邻两个子光子晶体膜的折射率不同,第一子光子晶体膜的厚度为200nm~700nm,第二子光子晶体膜的厚度为50nm~200nm,第一子光子晶体膜具有相对的第一表面和第二表面,且至少一层第一子光子晶体膜的第一表面上设置有至少一层第二子光子晶体膜,第二表面上设置有至少两层所述第二子光子晶体膜。该光子晶体膜可对光进行反射,在应用于液晶显示模组时,可减窄光源的发射光谱,进而使液晶显示模组实现广色域显示。
  • 光子晶体液晶显示模组显示装置
  • [发明专利]利用光子晶体方向带隙实现的光隔离器-CN201410190384.8无效
  • 王晨;李志远 - 山东省科学院激光研究所
  • 2014-05-07 - 2014-07-30 - G02B27/00
  • 一种利用光子晶体方向带隙实现的光隔离器,包括硅板上由光子晶体排布而成的第一光子晶体区和第二光子晶体区,第一光子晶体区和第二光子晶体区形成一个长方形光子晶体矩阵;设置于第一光子晶体区左侧的第一入出射硅波导,设置于第二光子晶体区右侧的第二入出射硅波导,所述光子晶体为正方晶格,晶格常数为a,第一光子晶体区的空气孔半径为r1,第二光子晶体区的空气孔半径为r2,满足0<2r1<2r2<a<500nm;第一光子晶体区与第二光子晶体区分界线与第一入出射硅波导的水平中心线的夹角为45度;第一光子晶体区与第二光子晶体区未连接波导的上下两面均作吸光处理
  • 利用光子晶体方向实现隔离器
  • [发明专利]基于光子晶体谐振腔的两级缩束系统-CN201110452774.4无效
  • 王维彪;梁中翥;梁静秋;崔乃迪 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 2011-12-30 - 2012-04-18 - G02B27/09
  • 本发明涉及一种基于光子晶体谐振腔的两级缩束系统,该系统由一级光子晶体波导、光子晶体谐振腔、二级光子晶体波导和纳米线波导顺序密接排列构成;所述二级光子晶体波导为W1型光子晶体波导,其通光宽度小于一级光子晶体波导;光子晶体谐振腔采用在光子晶体中加入点缺陷构成,并且光子晶体谐振腔与一级光子晶体波导衔接处分布一行介质柱,该行介质柱构成耦合区;光子晶体谐振腔与W1型光子晶体波导衔接处,且与点缺陷对应位置分布有耦合介质柱本发明采用两级压缩结构,光束的压缩比高,出射光斑小;采用光子晶体谐振腔作为中介,耦合效率高,损耗低;整个系统集成在一个基底上,体积小、集成度高。
  • 基于光子晶体谐振腔两级系统
  • [发明专利]基于光子晶体微腔的动态调Q装置和方法-CN201810487958.6有效
  • 吴俊芳;李潮;王博 - 华南理工大学
  • 2018-05-18 - 2023-07-18 - H01S3/115
  • 本发明公开了基于光子晶体微腔的动态调Q装置,包括波长可调谐脉冲激光器、p‑i‑n结电光调制器以及光子晶体微腔‑波导结构;所述光子晶体微腔‑波导结构由前侧光子晶体波导、多模光子晶体微腔、后侧光子晶体波导组成;所述前侧光子晶体波导位于多模光子晶体微腔的左侧,后侧光子晶体波导位于多模光子晶体微腔的右侧。本发明还公开了基于光子晶体微腔的动态调Q方法。本发明结构简单,易于实现和集成,可以通过对多模光子晶体微腔的形状、结构和尺寸的精细设计来自由操控低Q值腔模和超高Q值腔模的谐振频率和Q值大小,使多模光子晶体微腔具有较大的动态调Q范围及较大的工作带宽。
  • 基于光子晶体动态装置方法
  • [发明专利]一种周期极化反转铌酸锂光波导-CN201110139041.5无效
  • 孙军强;周钰杰;冯力群 - 华中科技大学
  • 2011-05-26 - 2011-08-31 - G02B6/122
  • 本发明提供了一种周期极化反转铌酸锂光波导,包括衬底、位于衬底上的波导层、上光子晶体和下光子晶体,下光子晶体生长于衬底与波导层之间,上光子晶体生长于波导层上,所述上光子晶体和下光子晶体能够使周期极化反转铌酸锂光波导的基频光波长和倍频光波长均处在光子禁带内所述的上光子晶体和下光子晶体为一维、二维或三维光子晶体。该周期极化反转铌酸锂光波导在波导层的上包层和下包层均制备了光子晶体,将周期极化反转铌酸锂光波导与光子晶体结合,使得光波导损耗低、转换效率高。
  • 一种周期极化反转铌酸锂光波导

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