专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种光子晶体滤波镜片及其制备方法-CN201410210549.3有效
  • 李萍;邵国帅;张兰兰;雷茂生;宋霄薇;樊婷 - 河南科技大学
  • 2014-05-19 - 2014-08-27 - G02B5/20
  • 一种光子晶体滤波镜片,所述光子晶体滤波镜片包括平板玻璃基板和镀在平板玻璃基板一侧的光子晶体膜,所述光子晶体膜由底层、中间层和外层构成,底层由碲化镉层、二氧化硅层交替铺设,中间层为五氧化二钽层,五氧化二钽层与底层的二氧化硅层相连接本发明根据治疗肝癌、胃癌等癌症的特定波长的光源需要,基于光子晶体理论研究出最佳的光子晶体周期结构和光子晶体膜层厚度,该种光子晶体滤波镜片可以仅让980nm的近红外光通过,大大提高照射光的色纯度,并且光的透射率也达到99%以上;将该光子晶体滤波镜片镶嵌在光动力治疗仪的光源的输出端口,缩短了光动力治疗仪的治疗时间,提高对肝癌、胃癌等癌症的治疗效果。
  • 一种光子晶体滤波镜片及其制备方法
  • [发明专利]加速度计结构及其制备方法、加速度测量方法-CN202110437872.4有效
  • 任恒江;罗杰 - 深圳市共轭科技有限公司
  • 2021-04-22 - 2022-06-10 - G01P15/03
  • 本发明提供一种加速度计结构及其制备方法、基于所述加速度计结构的加速度的测量方法,其中,所述加速度计结构包括:具有凹槽结构的基底,悬浮在凹槽结构上的测试质量块、纳米系链及纳米光子晶体测量单元,纳米光子晶体测量单元中形成有光子晶体谐振腔,以基于光子晶体谐振腔的共振频率表征测试质量块受到的加速度。本发明提供一种基于光弹性的光‑微机械加速度计结构,使用基于光子晶体纳米腔(光子晶体谐振腔)的腔谐振张力传感器来测量施加于芯片的加速度对光子晶体纳米腔的张力,质量块受加速度产生位移并由位移产生张力,张力集中在光子晶体纳米腔,测量精准,分辨率效果好,且基于光子晶体纳米腔还可以增加光弹性光‑机械耦合。
  • 加速度计结构及其制备方法加速度测量方法
  • [发明专利]基于二维光子晶体带隙及自准直效应的光分插滤波器-CN200910111931.8无效
  • 强则煊;白继博;王君琴;蒋俊贞;倪波;邱怡申 - 福建师范大学
  • 2009-06-09 - 2009-12-30 - G02B6/34
  • 本发明属于光分插滤波器,特别是涉及一种基于二维光子晶体的超小型光分插滤波器。其特征在于光分插滤波器包括了上端直波导、下端直波导以及自准直环区,耦合上下端直波导中电磁场能量的由光子晶体自准直环进一步形成谐振腔;光子晶体自准直工作频率或波长范围,应被上端波导工作区所覆盖。上端直波导和下端直波导由具有线缺陷的正方晶格排列的介质柱型二维光子晶体阵列组成,还可以由具有线缺陷的三角晶格排列或具有线缺陷的二维平板排列的光子晶体阵列组成。光子晶体自准直环区是通过调整环区光子晶体半径大小,并在外面光子晶体带隙的限制下形成光子晶体自准直微环。本发明结构更加紧凑、设计更加简单,适用于光通信及光传感系统。
  • 基于二维光子晶体效应光分插滤波器
  • [发明专利]一种二维光子晶体结构GaN基LED的制备方法-CN201110148202.7无效
  • 吴小锋;徐智谋;刘文;孙堂友;李程程;赵文宁;王双保 - 华中科技大学
  • 2011-06-02 - 2011-10-12 - H01L33/00
  • 本发明公开了一种二维光子晶体结构GaN基LED的制备方法,包括首先在目标上旋涂一层紫外光刻胶,利用紫外软纳米压印将模板的二维光子晶体结构复制到光刻胶表面,刻蚀去掉残胶,在光子晶体紫外胶上蒸渡一层SiO2或Cr膜,经刻蚀在目标片上得到这种光子晶体图形,将所得的GaN经去胶、清洗、烘干处理即得光子晶体目标片,将所得的目标片进行后续工艺处理,即可完成器件的制作,得到高光提取效率的光子晶体GaN基LED。本发明的方法可以提高刻蚀的选择比,一定范围内可调节光子晶体得占空比,可克服LED芯片表面的不平整问题,较好地通过纳米压印技术制备光子晶体图案,适用于工业生产的GaN基光子晶体LED的制备。
  • 一种二维光子晶体结构ganled制备方法
  • [发明专利]光子晶体边耦合双通道光波导传输系统-CN201210021943.3无效
  • 王维彪;梁静秋;梁中翥;周建伟 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 2012-01-31 - 2012-07-18 - G02B6/28
  • 光子晶体边耦合双通道光波导传输系统,涉及光学技术领域中的一种微结构光子晶体元件,解决了现有光子晶体波导因粗糙度偏高带来的散射大的问题,提供一种能实现光子晶体波导和传统光学器件或外置光源间高效耦合系统,该系统包括波导层、低折射率埋层和衬底层,波导层位于低折射率埋层上部,低折射率埋层下部与衬底层相连;采用多光子晶体谐振腔并联的方式,通过波导二区的耦合区将电磁波耦合进光子晶体波导缺陷区,耦合效率高;由于光子晶体谐振腔上部与点缺陷对应位置处分布有耦合介质柱整个光子晶体波导集成在同一基片上,不需要外置的光学元件,使得光子晶体波导结构更紧凑、体积更小,并具有更高的集成度。
  • 光子晶体耦合双通道波导传输系统
  • [实用新型]一种用于薄膜太阳能电池的光子晶体陷光结构-CN201620439232.1有效
  • -
  • 2016-05-16 - 2017-01-11 - H01L31/0232
  • 本实用新型一种用于薄膜太阳能电池的光子晶体陷光结构,其特征是:主要由二维光子晶体陷光层以及一维光子晶体反射结构组成;其中:所述二维光子晶体陷光层由分别设置在薄膜太阳能电池吸收层上、下方的二维光子晶体组成,两层二维光子晶体的结构参数相同。本实用新型的双层二维光子晶体陷光结构充分利用了二维光子晶体大倾角散射入射光的光学特性,上下两层二维光子晶体将入射光以大倾角反射到电池吸收层内部,大大的延长了光子的传输路径,同时,大倾角反射光会在电池吸收层分界面上发生全反射再次反射回吸收层
  • 一种用于薄膜太阳能电池光子晶体结构
  • [发明专利]一种光子带隙可调型聚乙烯亚胺功能化光子晶体薄膜的制备-CN201910298748.7有效
  • 孟磊;徐娜;刘众虎;兰承武 - 吉林化工学院
  • 2019-04-15 - 2021-07-27 - C08J7/04
  • 本发明提供了一种光子带隙可调型聚乙烯亚胺功能化光子晶体薄膜的制备。首先配置一定浓度的聚乙烯亚胺水溶液,并滴涂在聚合物光子晶体薄膜上,鼓风并且在30~40℃下烘干后得到聚乙烯亚胺功能化聚合物光子晶体薄膜。然后通过改变聚乙烯亚胺滴涂的层数,线性调节聚乙烯亚胺功能化聚合物光子晶体薄膜的光子带隙。得到光子带隙可调型聚乙烯亚胺功能化光子晶体薄膜。本发明所制备的光子晶体薄膜衍射峰对应的最短波长为505~510 nm,衍射峰对应的最长波长为555~560 nm。通过改变聚乙烯亚胺滴涂层数,其光子带隙可在2.2~2.4 eV之间连续调节。本发明所制备的光子晶体薄膜在pH 1.0~pH 10.0、30 min连续紫外光照射、1 nM~1 M离子浓度、25℃~50℃温度条件下,衍射峰位置基本保持不变。
  • 一种光子可调聚乙烯亚胺功能晶体薄膜制备

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