[发明专利]光子晶体在审
| 申请号： | 201480018436.1 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN105102692A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | S.V.拉迪塞;P.加维佐特蒂;G.斯梅奧内;M.阿巴诺;S.康吉尤;G.卡纳扎;D.科莫雷特托 | 申请（专利权）人： | 索尔维特殊聚合物意大利有限公司 |
| 主分类号： | C30B7/00 | 分类号： | C30B7/00;C08L27/12;C30B29/58;C30B29/60;G02B6/122 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周李军;徐厚才 |
| 地址： | 意大*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 披露了至少包含氟化聚合物的二维或三维光子晶体。这些二维或三维光子晶体具有渗入的蛋白石或反蛋白石结构。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 晶体 | ||
【主权项】：
一种包含至少一种第一介电组分以及至少一种第二组分的二维或三维光子晶体，该第一介电组分包含至少一种氟化聚合物，所述第一介电组分具有折射率n1，该第二组分具有不同于n1的折射率n2，其中：该第一介电组分选自由在该聚合物主链中包含脂环结构的氟化聚合物以及包含氟聚醚链的弹性体组成的组并且其中该晶体包含：或者有规律地安排在二维或三维晶体结构中的由该第二组分构成的多个单分散球体，这些单分散球体限定间隙并且其中该第一介电组分填充这些间隙或者有规律地安排在二维或三维晶体结构中的由该第一介电组分构成的多个单分散球体，这些单分散球体限定间隙并且其中该第二组分填充这些间隙。
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- 李明伟;曹亚超;周川;尹华伟;程旻;胡志涛;王邦国 - 重庆大学
- 2013-01-08 - 2013-04-24 - C30B7/00
- 本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种晶体作三维运动的溶液中生长晶体的方法，根据溶解度公式，配制一定温度的饱和溶液；过滤后，在饱和温度以上20℃过热得生长溶液；将籽晶用胶固定在掣晶杆顶端；胶固化后将其引入到育晶器中，籽晶经微溶和再生过程后进入晶体生长阶段；生长期间，晶体靠掣晶杆带动按如下方式周期性地作三维运动：由左向右，由下向上，由外往里，由右向左，由上向下，由里往外。本发明中，由于晶体每一个晶面在生长过程中反复地轮流地作为迎面、侧面和背面的相对溶液的运动，因此消除了现有方法中包裹物等缺陷易形成的区域，能保持晶体表面大而且较为均匀的过饱和度，是一种快速的全方位的高质量溶液中生长晶体的方法。
- 纳米结构化金属氧化物或半导体型材料的膜或晶片的方法-201080021194.3
- 吉勒·勒龙代尔;洛朗·迪韦 - 特鲁瓦技术大学
- 2010-05-12 - 2012-04-25 - C30B7/00
- 本发明涉及一种纳米结构化材料的膜(2)的方法，其包括如下步骤：将所述材料的膜(2)浸没在水溶液(3)中，其中，向所述膜(2)的至少一个面上应用包括照亮区域(6b)和黑暗区域(6a)的干涉图形(6)。根据本发明的方法，所述材料为半导体无机材料或氧化物，其在光的吸收的作用下能够溶解在水溶液中。通过在干涉图形(6)的照亮区域(6a)中的光溶解和/或在黑暗区域(6b)中的生长，在与水溶液(3)接触的表面上实现了膜(2)的纳米结构化。本发明还涉及根据这样的制备方法得到的纳米结构化涂膜(5)和纳米结构化3D膜。
- 专利分类
