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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN201410443208.0在审
发明人：根来世;村元僚;永井泰彦;大须贺勤;岩田敬次 -专利权人：斯克林集团公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：基板处理方法包括：SPM供给工序，将高温的SPM供给到基板的上表面；DIW供给工序，在SPM供给工序之后，通过将室温的DIW供给到基板的上表面，来冲洗残留在基板上的液体；双氧水供给工序，在SPM供给工序后且在DIW供给工序前，在SPM残留在基板上的状态下，将液温比SPM的温度低且室温以上的双氧水供给到基板的上表面的双氧水供给工序；以与双氧水供给工序并行的方式，将高温的纯水供给到基板的下表面的温度降低抑制工序
处理方法以及装置

[发明专利]玻璃制造方法以及玻璃供给管的预热方法-CN201780086195.8有效
发明人：玉村周作 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C03B5/435 文献下载
摘要：玻璃制造方法包括：玻璃供给工序之前的预热工序，在该预热工序中，预先在将玻璃供给管(7)从玻璃供给路(6a～6d)分离的状态下进行通电加热；以及预热工序之后的玻璃供给路形成工序，在该玻璃供给路形成工序中，连接玻璃供给管(7)而构成玻璃供给路(6a～6d)。预热工序包括利用闭塞构件(16)将玻璃供给管(7)的开口部(7a)的至少一部分封闭的闭塞工序。
玻璃制造方法以及供给预热

[发明专利]涂敷方法-CN201810375829.8有效
发明人：吉田省吾;小椋浩之;吉田隆一 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种向基板涂敷药液的涂敷方法，该涂敷方法包括溶剂供给工序和药液供给工序。在溶剂供给工序中，向基板(W)供给溶剂。在溶剂供给工序之后，在药液供给工序中向基板供给药液。溶剂供给工序包括第一工序。在第一工序中，使基板以第一转速旋转，使溶剂喷嘴在基板的中心部的上方的中心位置与基板的周缘部的上方的周缘位置之间移动，并且从溶剂喷嘴喷出溶剂(F)。
方法

[发明专利]钢的熔炼方法-CN201880003473.3在审
发明人：寺泽壮一;国分希一郎 -专利权人：新日铁住金株式会社
申请日： 2018-02-16 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C21C7/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种钢的熔炼方法，其是由含有Mn和Ti的Al镇静钢构成的钢的熔炼方法，其包括：一次精炼工序，其在转炉中进行一次精炼；和二次精炼工序，其从所述转炉将钢水输送至处理炉，并在所述处理炉中，对钢水的成分组成进行调整；所述二次精炼工序包括：Al原料供给工序，其向所述处理炉内的钢水供给Al原料；Mn原料供给工序，其在所述Al原料供给工序的同时或者在所述Al原料供给工序后，向所述处理炉内的钢水供给Mn原料；以及Ti原料供给工序，其在所述Al原料供给工序后、且在所述Mn原料供给工序的同时或者所述Mn原料供给工序后，向所述处理炉内的钢水供给Ti原料。
原料供给钢水处理炉熔炼二次精炼转炉精炼工序镇静钢精炼

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序-CN201980057965.5在审
发明人：竹林雄二;寿崎健一;矶边纪之;中川隆一;平野敦士 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种技术，具有：对收纳在处理室内的基板供给原料气体的第一气体供给工序；以及对基板供给反应气体的第二气体供给工序，交替地进行第一气体供给工序和第二气体供给工序而在基板上形成膜，在第二气体供给工序中，从供给反应气体的反应气体供给系统对基板供给反应气体，并且以反应气体容易到达基板的中心部的方式，从与反应气体供给系统不同的供给系统对基板供给惰性气体。
半导体装置制造方法处理程序

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN201410443035.2有效
发明人：根来世;村元僚;永井泰彦;大须贺勤;岩田敬次 -专利权人：斯克林集团公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：基板处理方法包括：SPM供给工序，将高温的SPM供给到基板的上表面；DIW供给工序，在SPM供给工序之后，通过将室温的DIW供给到基板的上表面，来冲洗残留在基板上的液体；双氧水供给工序，在SPM供给工序后且在DIW供给工序前，在SPM残留在基板上的状态下，将液温比SPM的温度低且在室温以上的双氧水供给到基板的上表面。
处理方法以及装置

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN201910630061.9有效
发明人：根来世;村元僚;永井泰彦;大须贺勤;岩田敬次 -专利权人：斯克林集团公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：基板处理方法包括：SPM供给工序，将高温的SPM供给到基板的上表面；DIW供给工序，在SPM供给工序之后，通过将室温的DIW供给到基板的上表面，来冲洗残留在基板上的液体；双氧水供给工序，在SPM供给工序后且在DIW供给工序前，在SPM残留在基板上的状态下，将液温比SPM的温度低且在室温以上的双氧水供给到基板的上表面。
处理方法以及装置

[发明专利]换产调整作业辅助方法以及换产调整作业辅助装置-CN202080044794.5在审
发明人：前园尚;相良博喜 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H05K13/02 文献下载
摘要：换产调整作业辅助方法具有供给器信息取得工序、生产信息取得工序以及对象供给器决定工序。供给器信息取得工序取得与能够配置于向工件安装电子部件的电子部件安装装置的部件供给部并且供给电子部件的供给器的能力相关的信息。生产信息取得工序取得与工件的生产相关的信息。对象供给器决定工序基于与供给器的能力相关的信息和与工件的生产相关的信息来决定配置于部件供给部并用于对象品种的生产的对象供给器。
调整作业辅助方法以及装置

[发明专利]图案倒塌恢复方法、基板处理方法以及基板处理装置-CN201780046195.5有效
发明人：尾辻正幸 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种图案倒塌恢复方法，是使形成于基板的表面的已倒塌的图案恢复的方法，所述图案倒塌恢复方法包括反应气体供给工序，在所述反应气体供给工序中，向所述基板的所述表面供给能够与夹杂于所述表面的生成物发生反应的反应气体所述反应气体供给工序包括氟化氢蒸气供给工序，在所述氟化氢蒸气供给工序中，向所述基板的所述表面供给包含氟化氢的蒸气。所述图案倒塌恢复方法还包括基板加热工序，所述基板加热工序与所述氟化氢蒸气供给工序并行进行，用于加热所述基板。
图案倒塌恢复方法处理以及装置

[发明专利]非燃烧型香味吸取器用的蒸汽生成单元的制造方法-CN201980077819.9在审
发明人：渡边友一;齐藤正嘉;工藤俊树;村本英则;斋藤龙司;木村将之 -专利权人：日本烟草产业株式会社
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： A24F40/10 文献下载
摘要：在通过对液体进行加热而生成蒸汽的非燃烧型香味吸取器2中使用的蒸汽生成单元1的制造方法包含：支座供给工序，其将油芯支座11供给到蒸汽生成单元1的生产线27；油芯供给工序，其在支座供给工序之后将油芯12向给油芯支座11供给而配置于油芯支座11；保持器供给工序，其在油芯供给工序之后将油芯保持器13向油芯支座11供给而组装于油芯支座11；加热器供给工序，其在保持器供给工序之后将加热器14向油芯保持器13供给而组装于油芯支座
燃烧香味吸取器用蒸汽生成单元制造方法

[发明专利]基板清洗方法、基板清洗系统-CN201410641257.5有效
发明人：相原明德;田中晓;金子都;田内启士;折居武彦;菅野至 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后，在溶解处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。
清洗方法系统

[发明专利]基板清洗方法、基板清洗系统和存储介质-CN201910202521.8有效
发明人：金子都;田内启士;折居武彦;菅野至;相原明德;田中晓 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后，在溶解处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。
清洗方法系统存储介质

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN201580033446.7有效
发明人：中村吉延;前田喜世彦;广濑义朗;笹岛亮太;桥本良知 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：具有：准备表面形成有氧化膜的衬底的工序，对所述氧化膜的表面进行前处理的工序，和通过如下处理而在所述前处理后的所述氧化膜的表面上形成含碳的氮化膜的工序，即，将非同时进行下述工序的循环进行规定次数：对所述衬底供给原料气体的工序、对所述衬底供给含碳气体的工序、和对所述衬底供给含氮气体的工序；或者将非同时进行下述工序的循环进行规定次数：对所述衬底供给原料气体的工序、和对所述衬底供给含碳和氮的气体的工序；或者将非同时进行下述工序的循环进行规定次数：对所述衬底供给含碳的原料气体的工序、和对所述衬底供给含氮气体的工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置程序

[发明专利]半导体装置的制造方法、程序和基板处理装置-CN202080018060.X在审
发明人：定田拓也;加我友纪直;永冨佳将 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：具有：第一工序、多次重复第一工序的工序、在多次反复第一工序后的第二工序和多次重复第二工序的工序，在所述第一工序中，进行供给工序和排气工序，在所述供给工序中，对于处理室内的基板并行地进行含金属气体的供给以及含硅和氢但不含卤素的还原气体的供给，在所述排气工序中，对于处理室内的气氛进行排气，在所述第二工序中，进行对于处理室内的基板的含氮气体的供给和处理室内的气氛的排气。
半导体装置制造方法程序处理

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN202310777102.3在审
发明人：平松宏朗;江端慎也 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质，具有通过将非同时地进行对衬底供给原料而形成第一层的工序(a)和对衬底供给反应体将第一层改质而形成第二层的工序(b)的循环进行规定次数从而在衬底上形成膜的工序，在工序(a)中依次实施：工序(a‑1)，对衬底在从第一供给部以第一流量供给非活性气体的同时供给原料，并且从第二供给部以第二流量供给非活性气体；工序(a‑2)，对衬底在从第一供给部以第三流量供给非活性气体的同时供给原料，或者，在停止从第一供给部供给非活性气体的状态下从第一供给部供给原料，并且从第二供给部以第四流量供给非活性气体。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

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