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[实用新型]低压化学气相沉积设备-CN201821487966.2有效
发明人：陈腾飞;孟宪宇;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体加工设备技术领域，公开了一种低压化学气相沉积设备，用于沉积多晶硅，包括底座、外管以及内管，外管设置在底座上，内管设置于外管的内部且用于提供沉积空间，在外管的内壁上形成有缓冲层。通过在外管的内壁上形成有缓冲层，使得沉积过程中形成的多晶硅不是直接形成在内壁上，而是形成在缓冲层上。在低压高温的LPCVD工艺中，形成在缓冲层上的多晶硅层因热膨胀所带来的应力集中作用到缓冲层上，减小外管所受的应力大小，外管不易产生裂痕。在每一次的设备维护和保养的过程中，无需更换外管，而只需将旧的缓冲层去除、再在外管的内壁上形成新的缓冲层，即可重复进行LPCVD工艺。外管不用报废，能够循环使用，减少浪费，大大降低了成本。
外管缓冲层内壁低压化学气相沉积设备多晶硅沉积底座内管热膨胀半导体加工设备应力集中作用本实用新型沉积空间低压高温多晶硅层设备维护直接形成裂痕减小去除保养报废重复

[发明专利]低压化学气相沉积设备以及低压化学气相沉控制方法-CN201110009111.5无效
发明人：王硕;许忠义 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-01-17 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种低压化学气相沉积设备以及低压化学气相沉控制方法。根据本发明的低压化学气相沉积设备包括：真空泵；采集器；布置在真空泵与收集器之间的主阀门；工艺导管；以及布置在工艺导管中的气流方向检测装置。根据本发明的低压化学气相沉积设备能够在真空泵突然出现故障时防止工艺副产品的出现、并防止加工中的晶片报废，因此，所述低压化学气相沉积设备能够提高成品率，由此降低工艺成本。
低压化学沉积设备以及气相沉控制方法

[发明专利]低压化学气相沉积设备中减少微粒的方法-CN200310122688.2无效
发明人：杨长兴;吴羲隆;江瑞星 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2003-12-24 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：一种减少微粒的方法，应用于一低压化学气相沉积设备中。首先执行一装料程序，用以设定低压化学气相沉积设备之状态，其中装料程序中包含一第一次清洗程序。其次，即执行一处理程序，用以进行化学气相沉积。之后，执行一排料程序，用以回复低压化学气相沉积设备之状态，其中排料程序包含一第二次清洗程序。上述方法可减少微粒损害设备，同时增加设备使用率。
低压化学沉积设备减少微粒方法

[实用新型]一种自动进料的系统-CN201820828309.3有效
发明人：纪幸辰 -专利权人：深圳市硅光半导体科技有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种自动进料的系统，用于制备含硅薄膜，包括：机械手、低压化学气相沉积设备腔、控制器、检测设备、电机，所述的机械手用于抓取衬底投放于所述的低压化学气相沉积设备腔内，所述的控制器能控制所述的电机带动所述的机械手运转或停止，所述的检测设备检测传送至所述的低压化学气相沉积设备腔中的衬底是否足量。实施本实用新型的技术方案中，通过自动输送生成含硅薄膜的衬底进入低压化学气相沉积设备腔，以方便进行化学反应，解放了人力，实现了自动化生产。
低压化学气相沉积设备机械手衬底本实用新型含硅薄膜检测设备自动进料控制器抓取化学反应自动化生产电机带动自动输送腔内足量制备电机传送投放运转检测

[发明专利]抽气装置、低压化学气相沉积设备以及化学气相沉积方法-CN201210029680.0有效
发明人：孙雷军 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2012-02-10 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供抽气装置、低压化学气相沉积设备以及化学气相沉积方法。一种抽气装置，用于抽取低压化学气相沉积设备的炉管内的气体，其特征在于，所述抽气装置包括：并联的第一阀、第二阀和第三阀，其通过导管与炉管的排气口相连；抽气泵，其通过导管与第一至第三阀相连，其中第一阀、第二阀和第三阀分别与抽气泵一起工作用于降低炉管内气压且降低炉管内气压的速率依次递减利用本发明可以改善现有的低压化学气相沉积设备内颗粒污染较为严重的问题。
装置低压化学沉积设备以及方法

[发明专利]进气装置、低压化学气相沉积设备及化学气相沉积方法-CN200710094540.0无效
发明人：赵星;赵金柱;李春龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种进气装置，该进气装置可以用于向炉管内通入气体，所述进气装置包括主管，至少两个与外部气路相连的分管，以及连接主管与各所述分管的连接部分，其中，所述主管由炉管之内延伸至炉管之外，所述分管及连接部分均位于炉管之外本发明还提供了应用该进气装置的低压化学气相沉积设备及化学气相沉积方法。采用本发明的进气装置、低压化学气相沉积设备及化学气相沉积方法后，可以减少薄膜生长的颗粒污染数，提高薄膜的形成质量，减少炉管所需的湿法清洗次数，提高设备的利用率及生产的效率。
装置低压化学沉积设备方法

[发明专利]低压化学气相沉积真空管式炉的柔性衬管-CN201910390325.8在审
发明人：王杨阳;马磊;章新良;刘海;孙友巍;孙嵩泉 -专利权人：普乐新能源（蚌埠）有限公司
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本发明给出了一种低压化学气相沉积真空管式炉的柔性衬管；包括骨架和石英玻璃纤维，骨架为两端开口的圆管状，骨架的外壁契合低压化学气相沉积真空管式炉的石英管内壁轮廓，骨架设有容纳内孔载片舟的内孔，石英玻璃纤维完全包裹在骨架外壁和内孔侧壁上形成石英玻璃纤维层，石英玻璃纤维层外侧镀有与低压化学气相沉积真空管式炉中反应气体产生的沉积物相同的沉积层。将本柔性衬管套装在低压化学气相沉积真空管式炉的石英管内壁上，沉积物沉积到本低压化学气相沉积真空管式炉的柔性衬管上，可以阻挡沉积物沉积到低压化学气相沉积真空管式炉的石英管上，而且本柔性衬管没有密封要求，便于维护
低压化学气相沉积真空管式炉衬管石英玻璃纤维沉积物石英管内壁沉积内孔成本节约反应气体骨架外壁两端开口密封要求内孔侧壁沉积层石英管易拆装圆管状载片舟外壁契合容纳阻挡维护

[实用新型]低压化学气相沉积真空管式炉的柔性衬管-CN201920668512.3有效
发明人：王杨阳;马磊;章新良;刘海;孙友巍;孙嵩泉 -专利权人：普乐新能源(蚌埠)有限公司
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本实用新型给出了一种低压化学气相沉积真空管式炉的柔性衬管；包括骨架和石英玻璃纤维，骨架为两端开口的圆管状，骨架的外壁契合低压化学气相沉积真空管式炉的石英管内壁轮廓，骨架设有容纳内孔载片舟的内孔，石英玻璃纤维完全包裹在骨架外壁和内孔侧壁上形成石英玻璃纤维层，石英玻璃纤维层外侧镀有与低压化学气相沉积真空管式炉中反应气体产生的沉积物相同的沉积层。将本柔性衬管套装在低压化学气相沉积真空管式炉的石英管内壁上，沉积物沉积到本低压化学气相沉积真空管式炉的柔性衬管上，可以阻挡沉积物沉积到低压化学气相沉积真空管式炉的石英管上，而且本柔性衬管没有密封要求，便于维护
低压化学气相沉积真空管式炉石英玻璃纤维沉积物衬管石英管内壁内孔沉积本实用新型成本节约反应气体骨架外壁两端开口密封要求内孔侧壁沉积层石英管易拆装圆管状载片舟外壁契合容纳阻挡维护

[实用新型]气体混合装置和半导体工艺设备-CN202123406397.9有效
发明人：高勇强;胡良斌;朱红波 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种气体混合装置和半导体工艺设备，应用于半导体工艺设备技术领域。具体的，其是在现有的用于进行低压化学气相沉积工艺的反应腔室的一侧添加一用于混合气体的预混罐，然后，将在预混罐中经过充分混合后的混合反应气体通过2条出气管路通入到所述低压化学气相沉积工艺的反应腔室中，从而实现了在反应前先均匀充分的混合了反应气体，并将现有的用于进行低压化学气相沉积工艺是4条出气管路减少为2条，进而在改善反应气体均匀性、减轻形成在晶圆表面上的膜层的片数效应的同时，降低了用于进行低压化学气相沉积工艺的反应设备的设备成本和维护难度。
气体混合装置半导体工艺设备

[发明专利]一种集成电路低压化学气相沉积系统-CN202210075158.X在审
发明人：郭芳 -专利权人：郭芳
申请日： 2022-01-22 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： B01D46/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路低压化学气相沉积系统，涉及化学气相沉积技术领域。该集成电路低压化学气相沉积系统，包括气相沉积机构，所述气相沉积机构设置有固定板，所述固定板的左侧固定连接有灰尘过滤机构，且气相沉积机构与灰尘过滤机构固定连接，所述固定板的外壁固定连接有灰尘清理机构，且气相沉积机构与灰尘清理机构固定连接该集成电路低压化学气相沉积系统，通过过滤网软性材料，过滤网位于固定板孔内的位置会陷入，进而使灰尘可以跟随气流的移动，移动到过滤网陷入的位置，灰尘堆积在一起后更易于成团，而且过滤网的一处凹陷，可以气流沿着凹陷的轨迹流动
一种集成电路低压化学沉积系统

[实用新型]低压化学气相沉积炉管和低压化学气相沉积炉-CN201822129699.8有效
发明人：赵超 -专利权人：吉林麦吉柯半导体有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型公开一种低压化学气相沉积炉管和低压化学气相沉积炉，包括反应室，以及套设在反应室外的炉管恒温层，反应室内径在230mm至232mm之间，外径在240mm至242mm之间，炉管恒温层为两端开口的空心管状满足炉管外壁外径在330mm至350mm之间，实现制作最大尺寸产品为6寸硅片，相比现有制作6寸产品的设备，减小炉体体积，解决炉体占地面积大的问题。
炉管低压化学气相沉积恒温层炉丝炉体能耗制作本实用新型尺寸产品空心管状两端开口炉管外壁外接电源整个炉体反应室硅片减小内壁加热室外室内

[发明专利]一种薄膜沉积方法和沉积薄膜-CN201710662220.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜沉积方法，包括：载入承载有晶圆的晶舟至低压化学气相沉积炉内；预先加热晶圆，对低压化学气相沉积炉进行第一升温操作，在预热升温斜率下达到第一反应温度；形成薄膜于晶圆上，包含在低压化学气相沉积炉内导入反应气体、进行化学反应并沉积在晶圆的基板表面，在沉积过程时，对低压化学气相沉积炉内的温度进行在緩升/降温斜率下至少一段的緩升/降温反应操作，以使薄膜在晶圆上的中央区域与周边区域具有一致的沉积厚度；及在冷却降温斜率下冷却晶圆本发明通过控制沉积过程中缓升/降温斜率，可改变晶圆从中央区域到周边区域的薄膜厚度差，改善晶圆表面的平坦度和均匀度，从而形成具有良好平坦度和均匀度的沉积薄膜。
一种薄膜沉积方法

[发明专利]一种低压化学气相沉积生长氧化镓薄膜的方法-CN202011306035.X有效
发明人：徐明升;王帅;徐现刚;王卿璞;彭燕 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种低压化学气相沉积生长氧化镓薄膜的方法，该方法通过低压化学气相沉积生长出氧化镓外延薄膜，然后进行原位后退火处理对薄膜进行处理；原位后退火处理，工艺操作简单，能够促进薄膜的重结晶，引起薄膜表面颗粒的重熔和凝聚本发明的方法低压化学气相沉积(LPCVD)技术设备较为简单，生长速率较快，重复性较高，成本较低，生长出的氧化镓薄膜，透光率高，质量高。
一种低压化学沉积生长氧化薄膜方法

[发明专利]碳纳米管制备装置及方法-CN200510037326.2有效
发明人：刘锴;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2005-09-15 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：该碳纳米管制备装置包括：一化学气相沉积装置，其包括一出气口；一抽低压装置，其与该出气口相连接，用于对该化学气相沉积装置降压。本发明通过在化学气相沉积装置的出气口设置一抽低压装置以对化学气相沉积装置以一预定速率进行抽气，使化学气相沉积装置内的压强以预定降压速率降低，进而可获取具有预定尖端形态的碳纳米管。
纳米制备装置方法

[发明专利]半导体器件结构的制备方法-CN202310112253.7在审
发明人：张聪 -专利权人：杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件结构的制备方法，包括步骤：提供一衬底；采用热氧化工艺在衬底上形成第一氧化层；采用低压化学气相沉积工艺在第一氧化层上沉积第二氧化层。本申请通过热氧化工艺与低压化学气相沉积工艺结合制作出高压栅氧化层，通过热氧化工艺在贴近衬底的表面制备出高质量的氧化层，并通过低压化学气相沉积工艺增加氧化层的厚度，使得整体的高压栅氧化层具有更好的均匀性和致密性而且通过低压化学气相沉积工艺制备高温氧化物(HTO)的沉积速率远大于热氧化工艺的氧化物生成速率，进而可以大大提高生产效率。
半导体器件结构制备方法

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