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[发明专利]具有像素内补偿和氧化物驱动晶体管的电子显示器-CN202011346150.X在审
发明人：林敬伟;小野晋也;黄戎岩 -专利权人：苹果公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本公开涉及具有像素内补偿和氧化物驱动晶体管的电子显示器。显示器像素可包括有机发光二极管、一个或多个发射晶体管、驱动晶体管、栅极设置晶体管、数据加载晶体管和初始化晶体管。驱动晶体管可实现为半导体氧化物晶体管以减轻阈值电压滞后，从而改善高刷新率下的第一帧响应，减少低刷新率下的不期望亮度跳跃，并且减少图像残留。栅极设置晶体管也可实现为半导体氧化物晶体管以减少驱动晶体管的栅极端子处的泄漏。初始化晶体管也可实现为半导体氧化物晶体管，使其可使用共享的发射信号来控制以降低路由复杂度。像素中的其余晶体管可实现为p型硅晶体管。以此方式配置的显示器像素可支持像素内阈值电压补偿和导通偏置应力阶段，以进一步减轻滞后。
具有像素补偿氧化物驱动晶体管电子显示器

[发明专利]电荷泵电路-CN201980009711.6在审
发明人：有马大裕;清水泰秀;后藤和纪 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H03L7/089 文献下载
摘要：提供了一种电荷泵电路，包括：第一晶体管；供给恒定电流的第二晶体管；连接到第一晶体管和电压源的第三晶体管；一组N个第四晶体管，以级联方式布置在第一晶体管侧上，并且其所有控制端子连接到第二晶体管；一组N个第五晶体管，以级联方式布置在第二晶体管侧上，并且其所有控制端子连接到第二晶体管，用于连接第一晶体管和第二晶体管的第一开关，用于将第一晶体管连接到地节点的第二开关；用于连接第三晶体管和第五晶体管组的第三开关；以及用于将第三晶体管连接到地节点的第四开关
电荷电路

[发明专利]半导体装置-CN201610890269.0有效
发明人：小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-08-22 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种包括具有相同极性晶体管的半导体装置功耗低且能够防止输出的电位的幅度变小。该半导体装置，包括：具有第一电位的第一布线；具有第二电位的第二布线；具有第三电位的第三布线；具有相同极性的第一晶体管及第二晶体管；以及用来选择是对第一晶体管及第二晶体管的栅极供应第一电位还是对第一晶体管及第二晶体管的栅极供应第三电位以及用来选择是否对第一晶体管及第二晶体管的漏极端子供应一个电位的多个第三晶体管第一晶体管的源极端子与第二布线连接，并且第二晶体管的源极端子与第三布线连接。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201280042417.3有效
发明人：小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-08-22 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：一种包括具有相同极性晶体管的半导体装置功耗低且能够防止输出的电位的幅度变小。该半导体装置，包括：具有第一电位的第一布线；具有第二电位的第二布线；具有第三电位的第三布线；具有相同极性的第一晶体管及第二晶体管；以及用来选择是对第一晶体管及第二晶体管的栅极供应第一电位还是对第一晶体管及第二晶体管的栅极供应第三电位以及用来选择是否对第一晶体管及第二晶体管的漏极端子供应一个电位的多个第三晶体管第一晶体管的源极端子与第二布线连接，并且第二晶体管的源极端子与第三布线连接。
半导体装置

[发明专利]放大元件-CN200910204065.7有效
发明人：小野寺荣男 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2009-10-12 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H03F3/187 文献下载
摘要：本发明提供一种放大元件，其解决下面的问题，为了进行ECM的阻抗变换以及放大，若采用以源极跟随器方式将J-FET连接于双极型晶体管的放大元件，则实现在高输入阻抗下的低输出阻抗的放大元件，但是，存在失真特性不良该放大元件以如下结构构成，该结构是：以J-FET、双极型晶体管、第一电阻以及第二电阻构成放大元件，J-FET的栅极与ECM的一端以及第一电阻的一端连接，J-FET的漏极与双极型晶体管的输入端子连接，双极型晶体管的高电位侧与负载电阻的一端连接，第一电阻的另一端接地，J-FET的源极以及双极型晶体管的低电位侧与第二电阻的一端连接，第二电阻的另一端接地，从双极型晶体管的高电位侧取出输出电压。
放大元件

[发明专利]能在高电压下操作的电路装置-CN03100325.7有效
发明人：李朝政;江明澄 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2003-01-09 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H03K17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种类比电路装置，其乃连接至一高电源电压，并包含一晶体管、及一介面单元。晶体管具有低于前述高电源电压的一低工作电压。介面单元是与该晶体管串联连接，以使前述晶体管正常运作。
压下操作电路装置

[发明专利]具有自举的自偏置分流开关-CN202110630344.0在审
发明人： A.辛格;吕思壮;T.张 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：在一些实施例中，分流开关包括晶体管堆和电容器，晶体管堆包括第一晶体管。晶体管堆可以具有第一末端端子和第二末端端子，第一晶体管连接到第一末端端子，第一末端端子连接到分流开关的切换端子。电容器可以具有连接到晶体管堆的第二末端端子的第一端子和连接到低阻抗节点的第二端子。
具有偏置分流开关

[发明专利]能抑制输出波形的减幅振荡现象的半导体装置-CN98119501.6无效
发明人：中村弥生 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1998-09-18 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：并联地设置多个半导体装置的输出缓冲器的输出晶体管(102、104、106)。将在输出晶体管导通时供给各输出晶体管的栅极的电位设定成各不相同的电位。通过从导通时的栅电位低的晶体管起依次导通，可缓和大电流急剧地流动的情况，可抑制减幅振荡现象。更为理想的是，按照输出晶体管导通的顺序，增大晶体管的尺寸。
抑制输出波形减幅振荡现象半导体装置

[发明专利]降低泄漏电流的电路装置-CN99806255.3无效
发明人： J·贝尔托德;M·埃瑟勒;M·埃贝尔莱恩 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 1999-03-11 - 公布日： 2001-06-27 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一个具有低截止电压晶体管(NV晶体管)构成的电路部分(2,3)的电路装置。为了降低电路部分(2,3)的泄漏电流,电路部分通过高截止电压开关晶体管(MP1、MN1)(HV晶体管)作为中间连接耦合到电源电压(VDD,VSS),一个NV控制晶体管(MNH1,MPH1)和HV开关晶体管
降低泄漏电流电路装置

[发明专利]半导体存储器件及包括其的系统-CN201510047100.4在审
发明人：安尙太;曺圭锡 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括层叠在衬底之上并且彼此串联耦接的多个正常存储器单元、串联耦接的多个选择晶体管、以及耦接在所述多个正常存储器单元与所述多个选择晶体管之间的一个或多个虚设存储器单元，其中所述多个选择晶体管包括第一选择晶体管和第二选择晶体管，并且所述第一选择晶体管相邻于所述虚设存储器单元并且具有比所述第二选择晶体管低的阈值电压。
半导体存储器件包括系统

[发明专利]电路装置-CN202210310228.5在审
发明人：岩胁贵记;西村元章;二村良彦;井上胜己 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：电路装置包含控制电路，该控制电路根据检测温度，对晶体管电流进行控制。检测温度是由检测晶体管的温度的温度传感器电路检测到的温度。晶体管对被供给电源电压的负载进行充电。晶体管电流是在充电中流过晶体管的电流。控制电路在检测温度比第1阈值高时，使晶体管电流减少，在检测温度比低于第1阈值的第2阈值低时，使晶体管电流增加。
电路装置

[发明专利]一种射频放大器电路-CN201810646796.6在审
发明人：王晗 -专利权人：安徽矽磊电子科技有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：本发明提出了一种放大器电路，所述放大器由第一电容、第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、一电流源以及负载组成；第一晶体管和第二晶体管的栅极相连，还与信号输入端耦合连接；第一晶体管和第一晶体管的源极均接地；第二晶体管的漏极与负载的一端相连，还耦合连接到信号输出端；第一晶体管的漏极与所述电流源的输出端相连，还通过第一电阻与第一晶体管的栅极相连，还经过第一电容与第二晶体管的漏极相连。通过本发明的技术方案，实现了偏置电流及偏置晶体管在放大电路中的复用，电流使用效率可以达到理论的100％，可以更大程度上做到低功耗低电流高性能设计。
晶体管漏极栅极相连耦合连接电流源电容电阻射频放大器电路放大器放大器电路偏置晶体管输出端相连信号输出端信号输入端源极均接地放大电路偏置电流使用效率低电流低功耗复用

[发明专利]一种自参考存储结构和存算一体电路-CN202011077197.0有效
发明人：邢国忠;林淮;刘宇;张凯平;张康玮;吕杭炳;谢常青;刘琦;李泠;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种自参考存储结构及存算一体电路，该自参考存储结构，包括：三个晶体管，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管；两个磁隧道结，包括：第一磁隧道结、第二磁隧道结；所述第一磁隧道结串联于所述第一晶体管与所述第二晶体管之间；所述第二磁隧道结串联于所述第二晶体管与所述第三晶体管之间；在开启第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管时，实现一位二进制信息的写入；在实现数据存储时，只需要施加单向电流即可实现一位二进制的写入，且器件在写入过程中延时低
一种参考存储结构一体电路

[实用新型]一种用于减小负载电流变化影响的电路-CN202022410662.X有效
发明人：郭虎;李建伟;王照新;蔡彩银 -专利权人：北京炎黄国芯科技有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于减小负载电流变化影响的电路，包括Sense接线端、第一晶体管、第二晶体管以及VO端；所述Sense接线端用于连接负载；所述第一晶体管的基极连接VO端，所述第一晶体管的集电极连接Sense接线端以及第二晶体管的基极，所述第一晶体管的发射极连接所述第二晶体管的集电极，所述第二晶体管的发射极连接VO端。本实用新型通过设置第一晶体管和第二晶体管，能够使得在SENSE接线端大于VO端的电压值超过晶体管电压时，SENSE接线端与VO端之间形成低阻通路，可抵消SENSE电压的变化。
一种用于减小负载电流变化影响电路

[发明专利]软启动开关电路及电子装置-CN201510583182.4有效
发明人：曾富祥 -专利权人：环旭电子股份有限公司
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：所述软启动开关电路包括输入端、输出端、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、电荷储能单元、第一电阻以及第二电阻。当输入端接收的输入电压由低电位变成高电位时，第二晶体管会导通，以提供充电路径使电荷储能单元储存电能，该第一晶体管的控制端上的电压缓速地下降，而使第一晶体管逐渐地导通，以将输入端的输入电压送到输出端作为输出电压当输入端接收的输入电压由高电位变成低电位时，第三晶体管会导通，以提供放电路径使得电荷储能单元释放其储存的电能。
启动开关电路电子装置