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[发明专利]高介电常数、低介电损耗铝-聚合物复合材料及其制备方法-CN202310495055.3在审
发明人：李雷;曹勐;陈湘明 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：高介电常数、低介电损耗聚合物基复合材料在电子工业、特别是嵌入式电路中具有重要应用。本发明公开了一种高介电常数、低介电损耗铝‑聚合物复合材料及其制备方法。该复合材料由表面钝化的铝粉及液态聚合物单体通过以下方法制得：对表面钝化的铝粉施加一定压强，制成铝压粉体，再浸没在液态聚合物单体中。液体充分填充铝压粉体中的气孔后，进行原位固化，即制得铝‑聚合物复合材料。所述的铝‑聚合物复合材料具有高介电常数、低介电损耗及良好的介电性能温度稳定性，同时易于机械加工、能与PCB制造工艺良好兼容，可作为高性能嵌入式电容器广泛应用于现代电子工业中。同时，该材料制备工艺简单、成本低廉、性能稳定，有利于规模生产。
介电常数低介电损耗聚合物复合材料及其制备方法

[发明专利]高K介电层及其形成方法、应用其的电容器结构-CN201811068043.8在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种高K介电层的形成方法，所述高K介电层包括至少一种高K介电材料，所述高K介电材料的形成方法包括：提供基板；通入氧源前驱体处理所述基板的表面；及通入第一气体和第二气体沉积于处理后的所述基板表面，形成所述高K介电材料；其中通入的所述第二气体占所述第一气体和第二气体总量的4～49at.通过该方法形成的高K介电层应用到电容器结构中可同时满足高电容值与低漏电流的要求。
高K介电层高K介电材料电容器结构基板基板表面气体沉积气体总量高电容漏电流前驱体氧源应用

[发明专利]一种介电陶瓷材料及其制备方法-CN201610169441.3在审
发明人：梁小利 -专利权人：梁小利
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种介电陶瓷材料，由以下按重量份的原料组成：氧化镁12‑23份、二氧化钛41‑55份、碳酸钙3‑8份、氧化镧8‑12份、氧化锆2‑6份、二氧化硅5‑8份、氧化铜8‑17份和硼硅酸盐玻璃粉3‑本发明还公布了该介电陶瓷材料的制备方法。本发明制备的介电陶瓷材料，生产工艺简单，室温和低驱动电场的环境下产品的品质因子和介电可调率均有大幅提升，介电损耗大幅度降低，介电可调性好，为通讯工具的小型化和集成化打下了基础。
一种陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种高介电聚丙烯微发泡材料及其超临界流体模压发泡制备方法-CN202211613057.X在审
发明人：姜田;陈平;谭睿阳;樊迪刚 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电聚丙烯微发泡材料及其超临界流体模压发泡制备方法。该方法包括：1）将聚丙烯粒子与分散助剂混匀，得到预混料A；2）将表面改性的高介电填料、成核助剂、抗氧剂混匀，得到预混料B；3）将所述预混料A和预混料B混匀，得到预混料C；4）将所述预混料C挤出，切粒，得到改性高介电塑料粒子；5）将所述改性高介电塑料粒子制成块体，进行超临界流体模压发泡，泄压完成发泡，得到所述高介电聚丙烯微发泡材料。本发明可以高效制备出力学强度和耐温耐湿性能良好，同时兼具高介电常数、低介电损耗特性的聚丙烯微发泡材料。
一种高介电聚丙烯发泡材料及其临界流体模压制备方法

[发明专利]一种低介电聚苯醚改性的聚苯乙烯材料及其制备方法-CN202211649307.5在审
发明人：王植源;张赛;乔文强;粟俊华;席奎东 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C08L25/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种低介电聚苯醚改性的聚苯乙烯材料及其制备方法，该低介电聚苯醚改性的聚苯乙烯材料由苯乙烯和N‑乙酰氧基甲基丙烯酰胺反应制得聚苯乙烯共聚物后，再与醇羟基封端的聚苯醚多元醇固化制得，聚苯乙烯共聚物在加热条件下可发生Lossen重排转化成侧链含有高活性NCO基团的聚苯乙烯聚合物，将聚苯乙烯共聚物和醇羟基封端的聚苯醚多元醇溶解在有机溶剂中，通过流延成膜法，在加热条件下发生Lossen重排和化学交联反应即可制得本发明所述介电聚苯醚改性的聚苯乙烯材料本发明通过将醇羟基封端的聚苯醚多元醇引入到聚苯乙烯体系中，既可提高交联聚合物的介电性能，又能提高聚合物的耐热性能，同时，该制备方法周期短，能耗低，满足当前新技术下低介电材料的发展要求。
一种低介电聚苯醚改性聚苯乙烯材料及其制备方法

[发明专利]具有低电阻率碳合金的晶体管-CN201880034609.7在审
发明人：陆叶;鲍军静;杨斌;戈立新;岳云 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：栅极堆叠可包括位于第一半导体结构上的栅极介电层、位于栅极介电层上的功函材料和位于栅极堆叠的功函材料上的栅极金属填充材料。栅极金属填充材料可包括低电阻率碳合金。介电填充材料可包括在栅极堆叠上。
栅极堆叠半导体结构栅极介电层填充材料栅极金属功函互补金属氧化物半导体介电填充材料低电阻率碳合金晶体管

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN200710007286.6无效
发明人：张惠林;卢永诚;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-01-25 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：一低介电常数介电层；一上盖层，位于该低介电常数介电层上，其中该上盖层包括选自由包括CNx、SiCN、SiCO、SiC及其组合物所组成的族群的一材料；一介层物，位于该低介电常数介电层中；以及一金属导线，位于该低介电常数介电层中并覆盖该介层物，该金属导线实体接触该介层物。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种高导热低介电环氧复合材料及其制备方法-CN202211309641.6在审
发明人：胡德超;凃思帆;蔡浩杰;梁家源;钟荣健 -专利权人：佛山科学技术学院
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明属于功能复合材料技术领域，具体公开了一种高导热低介电环氧复合材料及其制备方法，首先制备聚酰亚胺微球，然后将聚酰亚胺微球和低维导热绝缘填料分别分散到溶剂中进行杂化组装，然后分离洗涤后，得到聚酰亚胺杂化微球；最后将聚酰亚胺杂化微球与环氧树脂混合均匀，并加入固化剂固化后即得到高导热低介电的环氧复合材料。与现有技术相比，制备工艺简便易行，容易实现大规模的应用，制得的复合材料具有高导热、低介电、高强度、电绝缘、耐高温、轻量化等多重功能，在电子封装领域具有重要的应用前景。
一种导热低介电环氧复合材料及其制备方法

[发明专利]一种三明治结构纳米复合介电薄膜及其制备方法-CN202211120876.0在审
发明人：沈洋;南策文;陈涛;江建勇;潘家雨;胡澎浩 -专利权人：乌镇实验室
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： B32B27/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种三明治结构纳米复合介电薄膜及其制备方法，一种三明治结构纳米复合介电薄膜，介电薄膜包括由上往下依次设置的：上层，所述上层为聚醚砜/氧化铝复合材料层；中间层，所述中间层为聚氨酯/钛酸钡复合材料层；下层，所述下层为聚醚砜/氧化铝复合材料层；本发明的三明治结构纳米复合介电薄膜具备下述有益效果：具有高的介电常数和击穿强度以及低的介电损耗，能够满足薄膜电容器的小型化、耐高温以及大容量的需求。
一种三明治结构纳米复合薄膜及其制备方法

[实用新型]介电薄膜及介电层结构-CN201721271650.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型提供一种介电薄膜及介电层结构，所述介电薄膜包括：基面，其形成有若干羟基(OH键)；以及二元或多元介电薄膜在一原子层沉积层中，包括由第一前驱体与所述基面上所述羟基(OH键)的第一部分化学吸附并反应形成的诱电介电材料，以及由第二前驱体与所述基面上所述羟基(OH键)的第二部分化学吸附并反应形成的抗漏电流介电材料。本实用新型的流程方式既能减缓电容值降低的现象，也能大幅提升低漏电的特性，从而优化介电层结构的电容特性。
薄膜介电层结构

[发明专利]超高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法-CN200510022959.6无效
发明人：高境鸿 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-12-19 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明揭示一种超高压MOS晶体管元件，其包括一延伸到第一介电层上的栅极，第一介电层具有一空洞位于栅极的边缘下方，以及一第二介电层，覆盖栅极及第一介电层，并保留空洞。该第一介电层可为一场氧化层或浅沟槽隔离区域的形式，且可进一步具有一增厚介电层位于场氧化层或浅沟槽隔离区域之上。增厚介电层可另为低介电系数的材料，或浅沟槽隔离区域可另填充多孔性氧化物材料，则可不具有空洞。本发明的超高压MOS晶体管元件的栅极边缘具有相对较低的垂直电场。
超高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法

[发明专利]一种基于反电润湿效应的油污表面自清洁装置和方法-CN201910816477.X在审
发明人：王庆功;翁宁;王超;姚伟 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于反电润湿效应的油污表面自清洁装置和方法，该装置包括：通过导线连接的自清洁环境装置和调节电源；其中，自清洁环境装置，包括：流体腔、油污薄膜表面、介电材料层、基底金属和低导电率流体；低导电率流体盛装于流体腔之内，作为油污薄膜表面自清洁过程的操作环境；介电材料层喷涂于基底金属外表面，将基底金属完全包裹；油污薄膜表面紧密贴合在介电材料层的外表面。本发明以介电润湿效应为基础，将需要进行处理的油污薄膜表面置于低导电率流体之中，在油污薄膜表面形成液‑液接触角，通过施加外加电压，使油膜侧的接触角快速增大，当瞬态接触角达到180度后，在动态能的驱动下脱离油污薄膜表面
一种基于润湿效应油污表面清洁装置方法

[发明专利]一种复合介电陶瓷材料及其制备方法和用途-CN202010871492.7在审
发明人：汪洋;杨永兴;洪绍龙;张宣;吴俊杰 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所华东分所
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： C04B35/447 文献下载
摘要：本发明提供一种复合介电陶瓷材料及其制备方法和用途。所述复合介电陶瓷材料包括LiZnPO4和LiMnPO4。陶瓷预烧料；(2)对步骤(1)所述LiZnPO4陶瓷预烧料和LiMnPO4陶瓷预烧料进行混合破碎，烧结，得到所述复合介电陶瓷材料本发明提供的复合介电陶瓷材料，具有低介电常数、高品质因数、高相对密度以及低本征致密化温度的优异特性。所述制备方法在不添加任何助烧剂的情况下，可使所述复合接电陶瓷的致密化温度远低于银的熔点。
一种复合陶瓷材料及其制备方法用途

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201310697480.7有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成蚀刻停止层和低k介电层，并在低k介电层中形成铜金属互连层；沉积由两层以上材料构成的覆盖层，以覆盖铜互连层和低k介电层，其中，所述各层材料中的掺杂元素的含量呈梯次变化。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种高介电绝缘胶膜材料及其制备方法-CN201911285043.8有效
发明人：于淑会;高春波;罗遂斌;孙蓉;阮盼盼;徐鹏鹏 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C09D5/24 文献下载
摘要：本发明公开一种高介电绝缘胶膜材料及其制备方法。绝缘胶膜材料的特征在于其由三层结构组成，其绝缘聚合物复合物由薄膜材料支撑，绝缘聚合物复合物表面覆盖一层保护膜。绝缘聚合物复合物由导电浆料制成，导电浆料含有复合介电填料，所述的复合介电填料由氮化硼纳米片和无机陶瓷粒子构成。本发明所述的高介电绝缘胶膜材料制备方法和所用材料简单，介电损耗低，可应用于印刷线路板、基板、载板等半导体电子封装。
一种高介电绝缘胶膜材料及其制备方法