“低介电材料”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5286585个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]使用石墨烯作为抑制剂的选择性沉积-CN202180051766.0在审
发明人：耶瓦·纳克维丘特;巴德里·N·瓦拉达拉简;卡希什·沙玛 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：石墨烯相对于半导体衬底的介电层而选择性地沉积在金属层上。介电材料相对于半导体衬底的金属层而选择性地沉积在介电层上。石墨烯是一种高质量的石墨烯膜，其在介电材料的沉积期间用作抑制剂。在一些实施方案中，介电材料可以是金属氧化物。在一些实施方案中，介电材料可以是低k介电材料。石墨烯在整个半导体整合过程中保持不变。
使用石墨作为抑制剂选择性沉积

[发明专利]多孔低K介电膜的紫外辅助孔密封-CN200580046506.5无效
发明人： C·沃尔弗里德;O·埃斯科尔恰;I·贝里 -专利权人：艾克塞利斯技术公司
申请日： 2005-11-08 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：用于密封多孔低k介电膜的方法，通常包括将多孔低k介电膜的表面暴露于紫外(UV)辐射，其强度、时间、波长和环境有效地通过碳化、氧化和/或膜致密，密封该多孔介电表面。该多孔低k介电材料的表面被密封到小于或等于约20纳米的深度，其中该表面在UV暴露之后基本不含孔。
多孔介电膜紫外辅助密封

[发明专利]一种具有高介电常数和低介电损耗的柔性复合介电材料-CN201310306710.2无效
发明人：马育红;张先宏;杨万泰 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2013-07-20 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高介电常数和低介电损耗的柔性复合介电材料。该材料由含氟聚合物基体和氟硅烷表面改性的无机钛酸盐介电填料的纳米纤维组成；其中含氟聚合物在复合材料中的体积分数为75v%-95v%，氟硅烷改性的BaTiO3或MgTiO3纳米纤维在复合材料中的体积分数为该材料能显著提高复合介电材料的介电常数，并同时降低其介电损耗，克服了现有的有机/无机复合技术在获得高介电常数的同时会导致介电损耗增大的缺点。
一种具有介电常数低介电损耗柔性复合材料

[发明专利]多孔质材料-CN02120374.1无效
发明人： M·K·加拉格尔;R·H·戈尔;A·A·拉莫勒;游宇建 -专利权人：希普利公司
申请日： 2002-05-23 - 公布日： 2003-01-15 - 主分类号： H01B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了具有低介电常数＞30％孔洞以及封闭型单元孔结构的多孔性介电材料，以及制备该多孔性介电材料的方法。该材料特别适用于制造电子组件。
多孔材料

[发明专利]介电弹性体前驱液及其制备方法和应用、介电弹性体复合材料、柔性器件、发光器件-CN202010163954.X有效
发明人：朱世平;张长庚;石磊;张祺 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： C08F283/12 文献下载
摘要：本发明涉及介电弹性体领域，具体而言，提供了一种介电弹性体前驱液及其制备方法和应用、介电弹性体复合材料、柔性器件、发光器件。所述介电弹性体前驱液包括弹性体基体、离子液体和溶剂，离子液体和溶剂的体积分数为5％‑45％。该介电弹性体前驱液具有导电率高、透明度高和流动性好的优点，有利于制备具有高介电常数、低弹性模量和高光学透明性的介电弹性体复合材料，很好地解决了介电弹性体中高介电常数与低弹性模量和高光学透明性不能兼顾的问题
弹性体前驱及其制备方法应用复合材料柔性器件发光

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN201210046596.X有效
发明人：张海洋;王冬江 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出了一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成铜金属互连线；以及在所述半导体衬底上未被所述铜金属互连线覆盖的区域形成层间介电层，所述层间介电层是由低k材料或超低k材料形成的。根据本发明的方法通过在铜金属互连线之后再形成低k材料和超低k材料形成的层间介电层来避免层间介电层受到损伤而影响其介电常数，进而避免给半导体器件带来串扰问题和RC延迟问题。
形成半导体器件方法

[发明专利]介电弹性体材料及其制备方法-CN200810064238.5无效
发明人：冷劲松;刘彦菊;张震;刘立武;施亮;于凯 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2008-04-03 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：介电弹性体材料及其制备方法，它涉及介电弹性体材料及其制备方法。它解决了现有介电弹性体材料介电常数低、形变量小、产生形变所施加的电压接近于材料的击穿电压的问题。介电弹性体材料由硅树脂BJB TC5005中的可塑剂、催化剂、硅橡胶原胶和驰豫型铁电陶瓷材料制成。制备方法：先将除驰豫型铁电陶瓷材料以外的原材料进行常温搅拌，再加入驰豫型铁电陶瓷材料再次进行常温搅拌，将制得物倒入制模模具中进行固化处理。本发明介电弹性体材料介电常数高、形变量大、形变所需电压远低于本发明介电弹性体材料的击穿电压。本发明制备方法简单、易操作、工艺容易控制。
弹性体材料及其制备方法

[发明专利]一种可设计的聚合物基多层介电复合材料的制备方法-CN201310295759.2有效
发明人：沈佳斌;郭少云;朱家铭;赵文鹏 -专利权人：四川大学
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： B32B27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种可设计的聚合物基多层介电复合材料的制备方法。该方法是将聚合物基导电复合体系与聚合物介电体系经熔融共挤出制备得到导电层和介电层交替排布的聚合物基多层介电复合材料。该材料具有各向异性的电性能，在平行层方向表现为高导电性，在垂直层方向表现为高介电性。其介电性能可通过层数、导电层和介电层的层厚比、单层厚度、温度、频率、施加应力进行设计和调控。本发明所涉及的设备简单，模具加工容易，易于组装，制造成本低，清理和维护都十分方便，且加工过程能耗低、效率高、易于操作，可连续、大规模生产。制得的多层介电复合材料可以是片状、膜状、条状、纤维状、粒状。
一种设计聚合物基多层介电复合材料制备方法

[发明专利]一种低介电聚酰亚胺树脂及其制备方法-CN202310639099.9在审
发明人：吴兆启 -专利权人：深圳力越新材料有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电聚酰亚胺树脂及其制备方法，该低介电聚酰亚胺树脂包括以下按照质量百分比的原料：聚酰亚胺树脂30‑45％；环氧树脂20‑35％；聚碳酸酯10‑25％，抗氧剂3‑4.5％；催化剂1.5‑本发明制备的低介电聚酰亚胺树脂通过引入纳米纤维素提高聚酰亚胺树脂的增韧性，赋予了材料超轻且柔韧的特性，其次引入聚碳酸酯降低了材料的介电常数和介电损耗，并通过引入环氧树脂赋予低介电聚酰亚胺树脂很好的耐热性
一种低介电聚酰亚胺树脂及其制备方法

[发明专利]一种硅橡胶基多孔介电弹性体复合材料及其制备方法-CN201610917325.5有效
发明人：刘正英;熊莲;郑少笛;杨伟;杨鸣波;谢邦互 -专利权人：四川大学
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明涉及硅橡胶基多孔介电弹性体复合材料，具体涉及具有高介电常数、低介电损耗以及低杨氏模量的硅橡胶基多孔介电弹性体复合材料及其制备方法。本发明提供一种硅橡胶基介电弹性体复合材料，其原料为：聚二甲基硅氧烷、固化剂、聚乙二醇和导电填料，各原料的配比为：聚二甲基硅氧烷与固化剂的质量比为5：1～40：1，聚二甲基硅氧烷与聚乙二醇的质量比为17：10～88：1，导电填料占聚二甲基硅氧烷/聚乙二醇/固化剂总质量的质量百分比大于0且小于等于2.7％；并且，所述复合材料具有均匀的微孔结构，导电填料选择性分布在聚二甲基硅氧烷与聚乙二醇的界面处。本发明所得硅橡胶基多孔介电弹性体复合材料具有高介电常数、低介电损耗以及低杨氏模量的特点。
聚二甲基硅氧烷硅橡胶基弹性体复合材料导电填料多孔介电聚乙二醇固化剂低介电损耗高介电常数杨氏模量复合材料质量比介电弹性体质量百分比微孔结构界面处配比为制备

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202310104747.0有效
发明人：汪逸航;匡定东;闫冬;韦钧;康佳;李伟 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，半导体结构的制作方法包括：将目标结构置于反应腔中，向反应腔中通入第一反应气体和第二反应气体；将反应腔内的工艺条件调节为第一工艺条件，第一反应气体和第二反应气体在目标结构上形成低介电材料层；将第一工艺条件调节为第二工艺条件，第一反应气体和第二反应气体在低介电材料层上形成保护层。本公开在制作过程中无需转移目标结构，在同一反应腔中形成低介电材料层和保护层，不仅节省了一个沉积腔室，还减少了沉积步骤，提高了制程效率、减少了制程时间，降低了生产成本；保护层能够保护低介电材料层的顶面轮廓，避免刻蚀过程中在低介电材料层的顶面形成“尖角”轮廓。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]一种低介电常数和介电损耗的环氧树脂复合材料及其制备方法以及应用-CN202211655933.5在审
发明人：汪谟贞;刘宁宇;葛学武 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种低介电常数和介电损耗的环氧树脂复合材料，由中空微球材料与环氧树脂制备而成，所述中空微球材料选自纳米中空有机微球或纳米中空无机微球。本发明提供的环氧树脂复合材料可以均匀的分散于环氧树脂基体中，尤其是纳米中空有机微球在添加量在不少于10％的条件下依然可以均匀的分散于基体中，实现了复合材料的低介电常数和低介电损耗。结果表明，与未填充环氧树脂基体相比，所制备的中空微球/环氧树脂复合材料的介电常数和介电损耗明显降低，在1MHz下的介电常数最低可达1.58，介电损耗最低可达0.013。
一种介电常数损耗环氧树脂复合材料及其制备方法以及应用

[发明专利]低居里点的高介电电场双向可调的PZT基反铁电陶瓷材料及其制备-CN201110348574.4有效
发明人：杨同青;王瑾菲;郑琼娜;姚熹 -专利权人：同济大学
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明涉及一种低居里点TC的高介电电场双向可调PZT基反铁电陶瓷材料及其制备，属于电子材料与器件技术领域。本发明的具有介电电场双向可调性的PZT基反铁电陶瓷材料的化学通式为(Pb0.99-x-yBaxLay)(Zr0.51Sn0.39Ti0.10)O3，其中，0＜x≤0.20，0＜y≤0.06。本发明的介电双向可调的PZT基反铁电陶瓷材料在较低居里点TC附近，在一定的偏压下，具有高的介电常数，低的介电损耗，并且随偏压的增大先增大后减小，具有双向介电可调特性，同时呈现很高的热释电系数及热释电电流
居里高介电电场双向可调 pzt 基反铁电陶瓷材料及其制备

[发明专利]一种低杂波铌酸锂薄膜声表面波滤波器及其制备方法-CN202210788708.2在审
发明人：李桦林;马晋毅;米佳;陈正林;陈彦光;唐盘良 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：本发明属于滤波器技术领域，具体涉及一种低杂波铌酸锂薄膜声表面波滤波器及其制备方法；该方法包括：支撑衬底、介质层、铌酸锂薄膜和叉指换能器；所述介质层包括介电薄膜层和预埋介电材料，预埋介电材料嵌入设置在铌酸锂薄膜内部且呈周期性分布，介电薄膜层设置在支撑衬底和铌酸锂薄膜之间，且介电薄膜层和预埋介电材料相邻；本发明通过在压电薄膜层即介电薄膜层中内埋介电材料，抑制杂波信号，降低宽带单晶薄膜声表面波滤波器通带的杂波干扰，提升滤波器通带平坦度
一种低杂波铌酸锂薄膜表面波滤波器及其制备方法

[实用新型]改进的介电共振子-CN99205269.6无效
发明人：张宏宜;庄冠铮;钟运桢 -专利权人：凯宣科技股份有限公司
申请日： 1999-04-05 - 公布日： 2000-05-31 - 主分类号： H01P7/00 文献下载
摘要：一种改进的介电共振子,主要是用单一高介电常数、低介电损失的微波介电共振材料,一体成形制成的介电共振子,该介电共振子设有一高度极小的圆柱状或圆筒状凸起,藉以将其撑立于微波电路的基板上,由此避免原来的介电共振子因不同材料之间造成的电磁场偏折,以及制作时,不同材料定位于同一轴心及粘合的困难,以便在形状完全相同的情况下,提供较原来的介电共振子更佳的共振效果,并降低其生产成本。
改进共振

首页
«上一页
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
下一页»
尾页
共 100000 条