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[发明专利]一种位错特征的三维图示化表示方法-CN202110901900.3在审
发明人：冯宗强;劳洲界;杨涵;王子今;符锐;黄晓旭 -专利权人：重庆大学
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G06T17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种位错特征的三维图示化表示方法，通过透射电镜获取样品中位错不同角度下的图像，并进行三维重构获得位错在晶体坐标系下描述的三维图像，根据位错的三维图像获得位错的线方向。然后根据位错的线方向和位错的柏氏矢量获得位错的组分信息，根据位错的线方向获得位错与预设晶面的空间关系，并在位错的三维图像中展示位错组分信息的空间分布和位错与预设晶面的空间关系。本发明实现了在位错的三维图像中表征位错特征，能够精确、直观地表征两类位错特征，为位错相关基础科学问题研究提供了技术基础。
一种特征三维图示表示方法

[发明专利]刃位错和螺位错垂直相接的位错线原子结构的建模方法-CN201910118707.5有效
发明人：吕柏林;苏辉;吴敏;高学朋;刘峰 -专利权人：辽宁石油化工大学
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了刃位错和螺位错垂直相接的位错线原子结构的建模方法。该方法的主要内容包括，在给定包含晶体模型原子结构信息的文件的前提下，根据拟构建的刃位错和螺位错垂直相接的位错线原子结构的Burgers矢量、位错线的位置、滑移面的要求，利用C/C++语言提取文件中的晶体模型原子结构信息，自动计算出包含符合要求的刃位错和螺位错垂直相接的位错线原子结构的晶体模型的原子坐标，然后按分子动力学软件能识别的文件格式输出数据到文件。本发明可方便快捷地在晶体内部指定位置直接构建指定方位、组态的刃位错和螺位错垂直相接的位错线原子结构，为分子动力学及其它计算机仿真技术对刃位错和螺位错垂直相接的位错线的形态及行为的精准研究创造了有利条件。
刃位错螺位错垂直相接位错线原子结构建模方法

[发明专利]一种位错界面特征三维可视化方法-CN202210856051.9在审
发明人：冯宗强;杨涵;劳洲界;王子今;符锐;黄晓旭 -专利权人：重庆大学
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G06T17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种位错界面特征三维可视化方法，通过透射电镜获得图像构建位错界面在晶体坐标系下描述的三维图像，并获取位错界面的组分位错的柏氏矢量；根据三维图像反映的位错界面的构型以及组分位错的柏氏矢量、线方向和所在滑移面法向，获得位错界面的转动轴方向和位错界面的局部区域法向，进一步在三维图像中展示位错界面的局部区域法向，以及根据位错界面的局部区域法向和位错界面的转动轴方向之间的夹角获得位错界面的倾斜和扭转组分信息，在三维图像中展示位错界面的组分分布特征本发明基于透射电镜位错三维定量表征方法，能够直观呈现位错界面取向和组分信息的空间分布特征。
一种界面特征三维可视化方法

[发明专利]一种基于张量分解和共同近邻确定位错核结构的方法-CN201810711716.0有效
发明人：张瑞丰;药博男;陈小雨 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于张量分解和共同近邻确定位错核结构的方法，属于位错分析技术领域。本发明利用Nye张量分解并借由共同近邻分析方法的辅助来确定位错区域，并通过Nye张量的奇异值分解来计算位错线和伯氏矢量取向的一种位错结构分析方法，从而实现了对于界面位错构型、位错线和伯氏矢量取向，以及位错核的分析和可视化本发明能够较为准确的展示位错结构、位错线和伯氏矢量的取向；通过调节最大匹配角与参考结构，得到正确的位错分析结果；从微观结构表述界面位错结构，对于研究纳米复合材料的塑性行为和位错形核机制有着不可替代的作用
一种基于张量分解共同近邻确定位错核结构方法

[发明专利]碳化硅外延基板和制造碳化硅半导体器件的方法-CN201880003964.8有效
发明人：神原健司;宫濑贵也;本家翼 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：碳化硅外延膜具有圆弧状或环状的多个基面位错和多个贯通位错。当从垂直于主表面的方向观察时，所述多个贯通位错具有被所述多个基面位错包围的第一贯通位错和未被所述多个基面位错包围的第二贯通位错。所述多个基面位错和所述第一贯通位错构成环状缺陷。所述主表面中的所述多个贯通位错的面密度为50cm‑2以上。通过将当从垂直于所述主表面的方向观察时所述环状缺陷的面密度除以所述主表面中的所述多个贯通位错的面密度而获得的值为0.00002以上且0.004以下。
碳化硅外延制造半导体器件方法

[发明专利]硅块端面的位错比例值的评估方法、去除方法、装置和介质-CN202211401464.4在审
发明人：罗鸿志;何亮;李建敏;徐云飞;张细根;周成;毛伟;王文平;甘胜泉 -专利权人：新余赛维铸晶技术有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本发明公开一种硅块端面的位错比例值的评估方法、去除方法、评估装置和存储介质，其中，评估方法包括测量硅块端面的光致发光图片；判断并获取第一位错区域，第一位错区域为光致发光图片中灰度值小于灰度值阈值的区域；判断并获取第一位错区域的误判位错区域；其中，误判位错区域包括线痕误判位错区域和/或偏暗区域误判位错区域；计算第一位错区域的面积与误判位错区域的面积的差值；计算差值与硅块的端面面积的百分比，得到硅块端面的位错比例值本发明中通过剔除了线痕和偏暗区域造成的位错误判现象，有效提高了位错比例评估的准确性，避免了因位错误判导致铸锭单晶硅块去除损失，保障了铸锭单晶产品良率。
端面比例评估方法去除装置介质

[发明专利]SiC晶片及SiC晶片的制造方法-CN201780079551.3有效
发明人：藤川阳平;鹰羽秀隆 -专利权人：昭和电工株式会社;株式会社电装
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：该SiC晶片中，在第一面外露的穿透位错的穿透位错密度与在第二面外露的穿透位错的穿透位错密度之差为所述第一面和所述第二面中穿透位错密度高的那一面上的穿透位错密度的10％以下，在所述第一面和所述第二面中穿透位错密度高的那一面外露的穿透位错中的90％以上延伸到穿透位错密度低的那一面。
sic 晶片制造方法

[发明专利]半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法-CN200580042970.7无效
发明人：马克西姆·欧得诺莱多夫;弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫;亚历克斯·罗马诺夫;蒂姆·朗 -专利权人：奥普特冈有限公司
申请日： 2005-05-19 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的半导体衬底(1)由具有纤维锌矿晶体结构的III族金属氮化物制成，以及其以汽相生长在晶格与所述半导体衬底材料不匹配的(0001)取向异质衬底(2)上，或者生长在所述半导体衬底材料的已有(0001)取向的高位错层(3)上，以及具有高度减少的位错密度。根据本发明，使用一种结构用于位错密度的减少，其包括位错重定向层(4)，位错重定向层(4)提供螺位错(6)向着具有除了(0001)外的指数和那些{1¹00}类型指数的高指数晶面的有意倾斜，以增加所述螺位错彼此汇合的可能性；以及位错反应层(5)，位错反应层(5)定位在所述位错重定向层之上，其中所述螺位错(6)彼此聚结，导致在所述半导体衬底表面(7)的减少的螺位错密度。
半导体衬底半导体器件制造方法

[发明专利]一种碳化硅衬底位错自动识别方法及系统-CN202011279607.X有效
发明人：张九阳;舒天宇;许晓林;李霞;赵树春;高超 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G06V20/69 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅衬底位错自动识别方法及系统，用以解决现有的位错识别方法无法进行自动拍照记录，进而无法实现自动识别碳化硅衬底位错的技术问题。方法包括：通过显微镜对待测碳化硅衬底进行自动扫描，并对扫描区域进行自动拍照记录；通过计算机设备接收显微镜发送的与待测碳化硅衬底有关的位错图像，并将位错图像输入至碳化硅衬底位错识别神经网络模型中；基于碳化硅衬底位错识别神经网络模型，对待测碳化硅衬底中的位错进行识别；将碳化硅衬底位错识别神经网络模型输出的位错信息在计算机设备上进行显示。本申请通过上述方法实现了对碳化硅衬底位错扫描区域的自动拍照记录，进而实现了自动识别碳化硅衬底位错的过程。
一种碳化硅衬底自动识别方法系统

[发明专利]砷化铟单晶片位错腐蚀液及位错腐蚀检测方法-CN201910479476.0有效
发明人：沈桂英;赵有文;孙静;刘京明;余丁;谢辉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：一种砷化铟单晶片位错腐蚀液及位错腐蚀检测方法，涉及缺陷检测技术领域。砷化铟单晶片位错腐蚀液，主要由盐酸、硫酸和水组成。本发明提供的位错腐蚀液的原料价格低廉、易于得到，腐蚀效率高。本发明还提供了采用上述位错腐蚀液进行位错腐蚀检测的方法，包括如下步骤：将砷化铟单晶片置于腐蚀液中，进行腐蚀，得到位错腐蚀后的砷化铟单晶片，将完成位错腐蚀的砷化铟单晶片的表面进行清洁，再进行观察。本发明提供的位错腐蚀检测方法操作简单、腐蚀效率高，可以快速、清晰地显示砷化铟单晶片中的位错。
砷化铟单晶片腐蚀检测方法

[发明专利]半导体晶片位错密度的检测方法-CN201710391326.5在审
发明人：孙聂枫;韩应宽;孙同年;李晓岚;付莉杰;王书杰;王阳 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶片位错密度的检测方法，涉及半导体材料检测领域。本发明包括以下步骤将腐蚀好的样品放在白光干涉仪上进行扫描，设定扫描上下边距及扫描点个数；逐个图像扫描对每个图像进行微调，使其干涉条纹更加清晰明显；进行数据自动统计自动识别出位错腐蚀坑，并自动统计出各个图像中位错腐蚀坑的数量，计算出位错密度；生成测试报告位错密度测量报告中应包括视场数目、放大倍数、晶片位错密度分布图以及所有视场的位错计数、位错密度，半导体晶片的位错密度为所有视场的位错密度的平均值。本发明能实现位错密度的自动统计和分析，具有扫描精度高、分析速度快等优点。
半导体晶片密度检测方法

[发明专利]异质外延生长的氮化镓位错密度测定方法-CN201310365253.4在审
发明人：刘战辉;肖韶荣;梁成;李庆芳;陈玉林 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：本发明涉及氮化镓(GaN)异质外延生长材料的位错类型的观测和位错密度的测定方法，利用熔融氢氧化钾及氢氧化钾、氧化镁共熔物刻蚀结合扫描电子显微镜和原子力显微镜，直观观测氮化镓外延膜表面位错类型，分析研究不同类型位错的特性及分布和计算位错密度方法对不同氮化物样品均能研究其中不同类型位错的特性，获得各种位错在表面的分布，并且准确计算各种类型位错的密度及总位错密度。
外延生长氮化镓位错密度测定方法

[发明专利]一种考虑位错影响的氮化镓HEMT器件模型的建模方法-CN202211240149.8在审
发明人：刘岑松;汪洁;刘军 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：针对现有的器件模型没有同时考虑位错对漏极电流和栅极泄漏电流的影响、位错对漏极电流影响的模型没有动态模拟电荷的捕获和释放，以及栅极泄漏电流模型没有充分考虑位错的影响的问题，本发明公开一种考虑位错影响的氮化镓该建模方法包括：建立位错对GaN HEMT漏极电流影响的模型；建立位错对GaN HEMT栅极泄漏电流的影响的模型；将位错对GaN HEMT漏极电流影响模型和位错对GaN HEMT栅极泄漏电流影响模型整合到基于表面势的模型中，得到考虑位错影响的GaN HEMT器件模型并采用Verilog‑A语言进行描述；给出考虑位错影响的GaN HEMT器件模型的参数提取方法。
一种考虑影响氮化 hemt 器件模型建模方法

[发明专利]一种碳化硅晶体的位错识别方法-CN202010042808.1在审
发明人：张九阳;李霞;高宇晗;高超 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶体的位错识别方法，所述方法包括以下步骤：(1)将碳化硅晶体在碱性腐蚀剂中进行腐蚀；(2)腐蚀完成后，观察位错腐蚀坑形貌，从而将碳化硅晶体中刃位错、螺位错和基平面位错识别；所述碳化硅晶体包括高纯碳化硅和氮掺杂碳化硅本发明通过优化碱性腐蚀的腐蚀时间，将高纯碳化硅和氮掺杂碳化硅的腐蚀时间控制在少于10min，就能将高纯碳化硅或氮掺杂碳化硅中的刃位错、螺位错和基平面位错三种位错准确区别开来；腐蚀时间短且能将晶体中的三种位错准确识别出来
一种碳化硅晶体识别方法

[发明专利]生长在刃型位错模板上的Ⅲ族氮化物器件-CN200880101732.2无效
发明人： L·T·罗马诺 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
申请日： 2008-07-31 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：模板层(18)和位错弯曲层(20)在所述发光层(72)之前生长。所述模板层(18)生长为使得所述模板层内的位错的至少70％是刃型位错(29、30、31、32)。所述模板层内的刃型位错(29、30、31、32)的至少一些延续到所述位错弯曲层内。所述位错弯曲层(20)生长为具有与所述模板层(18)不同量值的应变。在所述模板层(18)和所述位错弯曲层(20)之间的界面处的应变改变导致所述模板层内的刃型位错(29、30、31、32)的至少一些在所述位错弯曲层内弯曲到不同的取向。生长在弯曲的刃型位错(33)之上的半导体材料可呈现减小的应变。
生长刃型位错模板氮化物器件

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