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[发明专利]自对准双侧面垂直金属－绝缘体－金属电容-CN01821185.2有效
发明人： X·J·宁 -专利权人：因芬尼昂技术北美公司
申请日： 2001-11-29 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及自对准双侧面垂直金属－绝缘体－金属(MIM)电容。一种垂直MIM电容(140)，包括被夹持于一电容介电质(134)的一垂直部分周围的一第一导线(124)以及一第二导线(136)。增加的导线(136)可被垂直设置接近第一导线(124)并由电容介电质(134)的另一垂直部分分离以形成一双侧面电容(142)，从而增加电容值。多个垂直MIM电容(140，142)可被平行耦合在一起以增加电容值。
对准侧面垂直金属绝缘体电容

[发明专利]一种可调三维集成电容器及电容调节方法-CN202010305533.6有效
发明人：王凤娟;陈佳俊;余宁梅 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01G4/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调三维集成电容器，包括多个三维集成电容、多个TSV垂直开关a、多个TSV垂直开关b，相邻两个三维集成电容之间设置一个TSV垂直开关a和一个TSV垂直开关b，每个TSV垂直开关a漏极连接上一个三维集成电容下极板，源极连接下一个三维集成电容上极板，每个TSV垂直开关b源极连接上一个三维集成电容上极板，漏极连接下一个三维集成电容下极板；与二维平面电容器相比，三维集成电容器具有较大的电容密度，较小的对地寄生电容参数；利用TSV垂直开关的栅极电压的变化会引起TSV垂直开关的打开与关断，从而实现对N+1个三维集成电容器是否并联和几个三维集成电容器并联的控制。
一种可调三维集成电容器电容调节方法

[发明专利]晶体管连接结构及其制备方法-CN202211526498.6在审
发明人：华文宇;张帜 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管连接结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供一基底，所述基底包括阵列排列的多个垂直栅极晶体管；在所述基底的第一表面形成隔离层，部分刻蚀所述隔离层至暴露出所述垂直栅极晶体管，以形成电容孔，所述电容孔包括多个暴露出单个垂直栅极晶体管的第一电容孔、以及至少一暴露出多个相邻垂直栅极晶体管的第二电容孔；在所述第一电容孔和第二电容孔内分别形成第一电容和第二电容，每个所述第一电容串连接一个垂直栅极晶体管，每个所述第二电容孔连接多个相邻垂直栅极晶体管。本发明通过做出大尺寸的大电容，完成多个相邻晶体管源极的连接，可实现多个晶体管串联或并联。
晶体管连接结构及其制备方法

[发明专利]双电容湿度传感器-CN202111095154.X在审
发明人：蔡清华;张新伟;杨杰;顾坚俭;薛静静;周伍清 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种双电容湿度传感器，所述双电容湿度传感器具有垂直参考电容和水平湿敏电容，双电容结构能有效提高产品的校准精度，并且，所述垂直参考电容以导电掺杂衬底作为下电极，垂直参考电容的上电极同层设置有水平湿敏电容的正电极和负电极，寄生电容小，灵敏度高，可以节约制作成本，并且产品稳定性好，便于量产。
电容湿度传感器

[发明专利]一种防漏油的油浸式电力电容器及报警方法-CN202210399384.3在审
发明人：党一奇;刘磊;姚峰;姚孟;韩伟;王怡申;蔡得雨 -专利权人：国网河南省电力公司电力科学研究院;国网河南省电力公司;国家电投集团郑州燃气发电有限公司
申请日： 2022-04-16 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01G4/38 文献下载
摘要：一种防漏油的油浸式电力电容器及报警方法，油浸式电力电容器的出线套管包括：垂直套管，折角套管，垂直套管包括垂直套管水平段和垂直套管垂直段；垂直套管水平段的进线端与电力电容器本体连接，垂直套管垂直段的进线端与垂直套管水平段的出线端连接；垂直套管垂直段的出线端连接折角套管的进线端，折角套管的出线端的朝向为斜向下；在密封活塞处安装位移传感器，位移传感器将密封活塞的位置上送至监控系统；当密封活塞的位置达到设定的位置阈值时，监控系统发出报警信号本发明通过结构改进，解决电力电容器漏油问题，同时还提供了电力电容器内部故障情况下绝缘油的泄压通道，无需破坏电力电容器的密封而实现对电力电容器内部故障的监控。
一种漏油油浸式电力电容器报警方法

[发明专利]一种低等效串联电感吸收电容器-CN201710057312.X有效
发明人：章小勇;吴鑫 -专利权人：上海励容电子有限公司
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01G2/00 文献下载
摘要：一种低等效串联电感吸收电容器，该电容器具有2个引出电极，2个引出电极是对称布局，引出电极是铜片材料，呈现为直角弯折，引出电极具有相互垂直的3个面，设这3个垂直面为第一垂直面、第二垂直面和第三垂直面，第一垂直面和第二垂直面是电容器的垂直面，第一垂直面和第二垂直面是直角弯折，第一垂直面与第二垂直面之间有弧形过渡面，第三垂直面与第一垂直面是直角弯折，第三垂直面是电容器的平行面，2个引出电极的第一垂直面相互平行，第二垂直面之间相对电容器顶部相对展开，呈现为一对翅膀状，2个第二垂直面位于一个平面内，第二垂直面具有安装孔，用于电容器的安装固定。
一种等效串联电感吸收电容器

[实用新型]一种低等效串联电感吸收电容器-CN201720104276.3有效
发明人：章小勇;吴鑫 -专利权人：上海励容电子有限公司
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01G2/00 文献下载
摘要：一种低等效串联电感吸收电容器，该电容器具有2个引出电极，2个引出电极是对称布局，引出电极是铜片材料，呈现为直角弯折，引出电极具有相互垂直的3个面，设这3个垂直面为第一垂直面、第二垂直面和第三垂直面，第一垂直面和第二垂直面是电容器的垂直面，第一垂直面和第二垂直面是直角弯折，第一垂直面与第二垂直面之间有弧形过渡面，第三垂直面与第一垂直面是直角弯折，第三垂直面是电容器的平行面，2个引出电极的第一垂直面相互平行，第二垂直面之间相对电容器顶部相对展开，呈现为一对翅膀状，2个第二垂直面位于一个平面内，第二垂直面具有安装孔，用于电容器的安装固定。
一种等效串联电感吸收电容器

[发明专利]模式匹配型单一质量块双轴陀螺仪及制造方法-CN201180066994.1有效
发明人： F·阿亚兹;成王庆;M·F·扎曼 -专利权人：佐治亚科技研究公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： G01P3/44 文献下载
摘要：单一质量块(proof-mass)、双轴陀螺仪设备包含共振体构件以及第一与第二电极，各电极藉由各自的侧向电容性气隙以及垂直电容性气隙予以电容性耦接于共振体构件。第一电极的侧向电容性气隙之一的宽度实质小于垂直电容性气隙。第二电极的垂直电容性气隙之一的宽度实质小于侧向电容性气隙。本申请专利保护的设备可藉由静电调谐法(electrostatic tuning method)处理如垂直及侧向尺寸变异之类的制程变异。
模式匹配单一质量块双轴陀螺仪制造方法

[发明专利]具有垂直极板电容器的集成电路芯片及制造电容器的方法-CN200810003078.3有效
发明人： D·D·库尔鲍;E·E·叶舒恩;A·K·斯坦珀;A·K·金萨肯迪;何忠祥;K·韦埃特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-01-18 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种具有一个或多个垂直极板电容器的集成电路(IC)芯片以及制造该芯片电容器的方法，每个垂直极板电容器被连接到IC芯片上的电路。垂直极板电容器形成有在电路层上的底极板图形(例如镶嵌铜)以及至少一个上极板层(例如双镶嵌铜)，该上极板层在底极板图形上方、连接到底极板图形并且与底极板图形基本相同。通过极板层和底极板形成电容器极板的垂直对。在电容器极板的垂直对之间的电容器电介质至少部分是高k电介质。
具有垂直极板电容器集成电路芯片制造方法

[发明专利]一种三维MOS器件栅围寄生电容模型获取方法-CN201610390686.9有效
发明人：郑芳林;孙立杰;任佳琪;刘程晟;石艳玲;李小进;孙亚宾 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维MOS器件栅围寄生电容模型的获取方法，包括：步骤一：划分三维MOS器件栅围寄生电容，得到包含平行板电容和垂直板电容的基本电容结构模型；步骤二：近似计算所述基本电容结构模型的单元电容；步骤三：基于保角变换推导多介质垂直板电容模型；步骤四：提取多介质垂直板电容模型修正因子，根据修正因子对所述多介质垂直板电容模型进行修正，修正后获取三维MOS器件栅围寄生电容模型。本发明提出的模型纳入了多介质材料的实际情况，从而能精准地计算三维MOS器件栅围寄生电容，所需拟合参数少，适用性广泛。
一种三维 mos 器件寄生电容模型获取方法

[实用新型]一种电力电容器垂直度测量器-CN201220140509.2有效
发明人：钱冬良;徐素建;何汇洲;郭志琦 -专利权人：浙江贝爱达电瓷电器制造有限责任公司
申请日： 2012-04-05 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G01B5/245 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电力电容器垂直度测量器。现有对电容器的垂直度判断主要还是凭经验判断电容器的垂直度，指标难以达到统一，检测结果难以令人满意。本实用新型包括底座，其特征在于所述的底座内形成与电容器底部相配的安装孔，底座的一侧设置一与底座垂直的立杆，所述立杆的顶端设置一水平夹杆，所述水平夹杆的外端形成竖向定位孔。通过将电容器先定位在底座上，稳定夹持电容器，若电容器上端的接线端子能顺利装入水平夹杆的定位孔中则证明该电容器垂直度达标，符合出厂要求。本实用新型检测电容器垂直度的结果准确可靠，使用方便。并且用于固定电容器接线端子的水平夹杆可上下调节高度，适于测量不同高度的电容器，使用范围广泛。
一种电力电容器垂直测量器

[发明专利]用于逻辑集成电路的嵌入式电容结构-CN03100966.2有效
发明人：蔡腾群;许嘉麟;郑懿芳;林义雄 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2003-01-02 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种制作垂直三维金属绝缘金属电容结构(MIMcapacitorstructure，metainsulator－metalcapacitorstructure)的方法。本方法是利用在一底材上制作一垂直三维金属绝缘金属电容结构且与铜镶嵌结构相容，以减少在相等的电容量时，在逻辑电路中电容结构的面积，因此，可以提高垂直三维电容结构的电容密度。此外，在本发明中提供一种在逻辑集成电路中整合铜镶嵌制程，制作垂直三维金属绝缘金属电容结构的方法，且其制程相容于铜镶嵌结构的制程，使得形成电容结构时所需的光罩数目可以减少，即减少制程步骤。
用于逻辑集成电路嵌入式电容结构

[发明专利]一种存储器件及其制备方法-CN202111209338.4在审
发明人：刘忠明;于业笑;陈龙阳 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种存储器件，所述存储器件包括：衬底以及埋设于所述衬底内的多个第一电容；多个第一垂直晶体管和多个第二垂直晶体管，位于所述衬底上；其中，所述第一垂直晶体管与所述第一电容电连接；多个第二电容，位于所述多个第一垂直晶体管和所述多个第二垂直晶体管上，所述第二电容与所述第二垂直晶体管电连接。
一种存储器件及其制备方法

[发明专利]具有多种垂直排列电容区域的电容元件-CN200510087360.0有效
发明人：陈岳猷;张家龙;赵治平;陈俊宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-07-28 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明是有关于一种电容元件，可于一集成电路的相同布局区域中，选择性结合金属－绝缘层－金属(MIM)、金属－氧化层－金属(MOM)和变容二极管区域，两或多种电容区域形式，被垂直安排于一基板上用以形成一电容元件，此可在不占据额外布局区域的情况下，增加此电容元件每单位的电容值。
具有多种垂直排列电容区域元件

[发明专利]固体电解电容器-CN202210136749.3在审
发明人：斋藤和明;石岛正弥;荒木健二;高田大辅 -专利权人：株式会社东金
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01G9/15 文献下载
摘要：根据本公开内容的一个方面的固体电解电容器包括钽引出线和电容器元件。电容器元件包含阳极体、介电层、固体电解质层和阴极体。钽引出线在穿透方向上穿透电容器元件，钽引出线和电容器元件的垂直于穿透方向的截面包括矩形形状，所述截面的纵向方向在水平方向上延伸，并且Wc/Wd的值小于0.5，其中Wc为钽引出线的垂直于穿透方向的截面的垂直长度，并且Wd为电容器元件的垂直于穿透方向的截面的垂直长度。
固体电解电容器

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