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- [发明专利]内埋式电子元件封装结构-CN201210572078.1无效
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卓瑜甄;郑伟鸣
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欣兴电子股份有限公司
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2012-12-25
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2014-07-02
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H01L23/552
- 本发明公开一种内埋式电子元件封装结构,包括一核心层、一电子元件、一第一介电层、一第二介电层以及多个导通孔。核心层具有一开孔、一第一表面及相对第一表面的一第二表面。电子元件设置于开孔中。第一介电层设置于第一表面上,并填入开孔中,且覆盖电子元件的一侧。第一介电层未填满开孔。第二介电层设置于第二表面上,并填入开孔中,且覆盖电子元件的另一侧,并与第一介电层相接合。第一介电层及第二介电层完整包覆该电子元件。导通孔分别围绕电子元件的周围设置并贯穿第一介电层、第二介电层及核心层,且导通孔分别连通第一介电层及第二介电层。
- 内埋式电子元件封装结构
- [发明专利]用于移动电信单元的多层螺旋天线-CN99125537.2无效
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金种圭;朴寅植;徐哠硕
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电子部品研究院
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1999-12-01
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2000-06-21
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H01Q1/24
- 多层螺旋天线包括有中心孔的第一介质片;多个第二介质片,除一个仅有开始孔,其余还设结束孔,各有开口圆形金属物和中心孔,仅有开始孔的介质片的金属物从开始孔延至自由端,其余延至结束孔;多个第三介质片,设辅助孔和中心孔第一介质片在上,后是仅有开始孔的第二介质片,后是第三及第二介质片交替,第三介质片在下,辅助孔充导电物,通过开始和结束孔连接金属物,形成螺旋,鞭状天线沿其中心轴滑动,形成多层。
- 用于移动电信单元多层螺旋天线
- [发明专利]一种闭孔的介孔氧化硅及其制备方法-CN201210106539.6无效
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梁国正;单伟;顾嫒娟;袁莉
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苏州大学
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2012-04-12
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2012-08-15
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B01J20/10
- 本发明公开了一种闭孔的介孔氧化硅及其制备方法。利用多氯硅烷对干燥的介孔氧化硅进行处理,制备表面含氯基团的介孔氧化硅,再将其与多面体倍半硅氧烷和多氯硅烷反应,得到粗产物,经洗涤、干燥后,在230~300℃的温度条件下煅烧,得到一种闭孔的介孔氧化硅,它由多面体倍半硅氧烷在介孔氧化硅的外表面及孔口形成包覆层它不仅保留了介孔氧化硅的内部孔道,且通过多面体倍半硅氧烷结构将介孔氧化硅闭孔,获得更大的比表面积和更多的空隙,有利于降低材料介电常数和提高介孔氧化硅吸附性能,从而保证了介孔氧化硅最大程度发挥制备低介电常数材料的优势
- 一种氧化及其制备方法
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