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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种铁电增强型的太阳能电池及其制备方法-CN201710997549.6有效
发明人：韩宏伟;梅安意;刘爽;李小磊;张德义 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电增强型的太阳能电池及其制备方法，其中该铁电增强型的太阳能电池包括导电基底(1)和依次沉积于该导电基底(1)上的空穴阻挡层(2)、介孔纳米晶层(3)、介孔间隔层(4)及介孔背电极层(5)，其中介孔纳米晶层(3)、介孔间隔层(4)和介孔背电极层(5)中的至少一层其介孔中还填充有光活性材料；并且，空穴阻挡层(2)、介孔纳米晶层(3)和介孔间隔层(4)中的至少一层包括铁电材料或铁电纳米复合材料
一种增强太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种强亲水性聚偏氟乙烯复合介孔膜及其制备方法和应用-CN201010184027.2无效
发明人：陈勇;潘小庆;沈祝平 -专利权人：上海应用技术学院
申请日： 2010-05-25 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： B01D71/34 文献下载
摘要：本发明公开一种强亲水性聚偏氟乙烯复合介孔膜及其制备方法和应用，属膜材料领域。即在聚偏氟乙烯膜中组装三维网状介孔材料二氧化硅，形成复合介孔膜。其制备方法即主要利用微波合成的方法将无机介孔材料组装在聚偏氟乙烯膜内的孔洞中制得复合介孔膜，再利用萃取洗脱的方式除去该复合膜中介孔材料内的表面活性剂，从而得到聚偏氟乙烯复合介孔膜。另外，该亲水性聚偏氟乙烯复合介孔膜因其强亲水性和介孔结构的有序性以及孔径的纳米尺寸效应，可将其应用于水溶液中生物分子的吸附包埋、分离和浓缩等领域。
一种亲水性聚偏氟乙烯复合介孔膜及其制备方法应用

[发明专利]一种介孔表面缺陷Ni-N-TiO2微球光催化材料及其制备方法-CN201610415880.8在审
发明人：杨明辉;邹明明;冯璐;姜慧芳 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种介孔表面缺陷Ni‑N‑TiO2微球光催化材料及其制备方法。具体包括制备介孔表面缺陷的Ni‑TiO2微球和氮化处理步骤，所述介孔表面缺陷的Ni‑TiO2微球制备中加入表面活性剂。在氨气中进行氮化处理，得到介孔表面缺陷Ni‑N‑TiO2微球光催化材料。上述实验过程得到的介孔表面缺陷Ni‑N‑TiO2微球光催化材料具有介孔结构且球形结构较为均一。
一种表面缺陷 ni tio2 光催化材料及其制备方法

[发明专利]一种介孔表面缺陷Fe-N-TiO2微球光催化材料及其制备方法-CN201610420673.1在审
发明人：杨明辉;邹明明;冯璐;刘红红 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种介孔表面缺陷Fe‑N‑TiO2微球光催化材料及其制备方法。具体包括制备介孔表面缺陷的Fe‑TiO2微球和氮化处理步骤，所述氮化处理所用氮源为氨气，所述介孔表面缺陷的Fe‑TiO2微球制备中加入表面活性剂。在氨气中进行氮化处理，得到介孔表面缺陷Fe‑N‑TiO2微球光催化材料，上述实验过程得到的介孔表面缺陷Fe‑N‑TiO2微球光催化材料具有介孔结构且球形结构较为均一。
一种表面缺陷 fe tio2 光催化材料及其制备方法

[发明专利]一种氮化二铁-有序介孔碳复合材料及其制备方法和应用-CN202010704940.4在审
发明人：徐立洋 -专利权人：合肥国轩高科动力能源有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化二铁‑有序介孔碳复合材料，以有序介孔碳作为载体，氮化二铁纳米颗粒均匀分布在所述有序介孔碳的表面以及内部孔道中。本发明还公开了氮化二铁‑有序介孔碳复合材料的制备方法，以及其作为锂离子电池负极活性物质的应用。本发明以氮化二铁的高比容量和有序介孔碳的循环稳定性相结合，制备了氮化二铁与有序介孔碳的复合材料，有效改善了锂离子电池负极材料比容量较低的问题。
一种氮化有序介孔碳复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种氧掺杂介孔石墨相氮化碳的制备方法-CN201910982166.0在审
发明人：赵阳;王欢;张彪;陈曦;宋华 -专利权人：东北石油大学
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明的一种氧掺杂介孔石墨相氮化碳的制备方法，涉及光催化剂技术领域，其操作步骤如下：介孔石墨相氮化碳的制备：将发泡剂以8～12℃/min的速率升温、并在550℃下恒温2h，制得介孔石墨相氮化碳；氧掺杂介孔石墨相氮化碳的制备：将a步骤制得的介孔石墨相氮化碳分散于溶剂中，120℃下恒温8h后，取固体用蒸馏水洗涤，然后在60℃下干燥6h，即得目标产物氧掺杂介孔石墨相氮化碳。
氮化碳石墨相介孔氧掺杂制备发泡剂尿素溶剂热处理蒸馏水洗涤光催化剂目标产物热聚合溶剂应用

[发明专利]一种金属有机多面体/铝掺杂介孔硅杂化材料及制备方法-CN201510003301.4有效
发明人：孙林兵;刘晓勤;刘晓丹;刘定华 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： B01J31/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属有机多面体/铝掺杂介孔硅杂化材料及制备方法，该金属有机多面体杂化材料具有很高的分散性，同时稳定性高。本发明的本发明的金属有机多面体/铝掺杂介孔硅杂化材料，其是由金属有机多面体和铝掺杂介孔氧化硅组成，金属有机多面体与铝掺杂介孔氧化硅的质量比为0.01～0.51，所述的铝掺杂介孔氧化硅中掺杂的铝元素与介孔氧化硅中的硅元素的摩尔比为
一种金属有机多面体掺杂介孔硅杂化材料制备方法

[发明专利]具有超顺磁性的介孔沸石材料及其制备方法-CN200910198405.X有效
发明人：赵晋津;陈航榕;施剑林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-11-06 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： B01J29/072 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于石油大分子催化裂解的具有超顺磁性的介孔沸石材料及制备方法。属于无机材料催化领域。本发明磁性介孔沸石颗粒充满孔道，微孔和介孔孔道尺寸0.4～50nm可控，介孔孔道三维连通。本发明是将含有金属磁性离子的有机溶液，调节浓度，通过真空或者加热浸渍沸石介孔孔道中，将溶液挥发至干燥为止，分别在空气气氛和还原气氛下焙烧。本发明降低了材料合成成本，工艺简单，制备的沸具有超顺磁性的介孔沸石材料。
具有顺磁性介孔沸石材料及制备方法

[发明专利]一种微孔-介孔分级结构材料及其制备方法-CN200910055526.9有效
发明人：周健;华子乐;施剑林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-07-28 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： C01B39/02 文献下载
摘要：本发明属于无机材料领域，具体涉及一种微孔-介孔分级结构材料及其制备方法。本发明的微孔-介孔分级结构材料的微观颗粒具有三维贯通的介孔结构；且该介孔结构的孔壁为晶化沸石结构。本发明的微孔-介孔分级结构材料具有良好的水热稳定性，而且由于其孔壁是晶化的沸石结构，因此可以应用于催化剂领域，且其制备方法具有条件简单、易于操作、适合于工业生产的特点。
一种微孔分级结构材料及其制备方法

[实用新型]带有金属化矩形柱孔的介质滤波器-CN201620932344.0有效
发明人：朱琦 -专利权人：张家港保税区灿勤科技有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01P1/202 文献下载
摘要：本申请公开了一种带有金属化矩形柱孔的介质滤波器，包括形成于同一基板上的第一介质块和第二介质块，所述第一介质块和第二介质块通过耦合窗口耦合，所述第一介质块和第二介质块均为矩形体，第一介质块表面披银，所述第一介质块的中部开设有矩形柱孔，该矩形柱孔与第一介质块的侧边呈45°夹角，所述矩形柱孔的尺寸为1mm×1.7mm，所述第一介质块的一个侧边连接有RF信号输入端口，所述第二介质块表面披银，该第二介质块的一个侧面连接有RF信号输出端口。
带有金属化矩形介质滤波器

[发明专利]封装件及其形成方法-CN201711281699.3有效
发明人：陈明发;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种方法包括：形成多个介电层；在所述多个介电层中形成多个再分布线；蚀刻所述多个介电层以形成开口；填充所述开口以形成穿透所述多个介电层的介电通孔；在所述介电通孔和所述多个介电层上方形成介电层；在所述介电层中形成多个接合焊盘；通过混合接合将第一器件管芯接合至所述介电层和所述多个接合焊盘的第一部分；以及将管芯叠层接合至所述第一器件管芯中的硅通孔。
封装及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910786558.X在审
发明人：张田田;谭晶晶 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其形成方法包括：提供基底，在所述基底上形成介电层；刻蚀所述介电层，在所述介电层内形成通孔，暴露出所述基底表面；对所述通孔侧壁的所述介电层进行表面处理；在所述通孔内填充满金属层；本发明在通孔内填充金属层之前，对通孔侧壁的介电层进行表面处理，提高后续填充的金属层与通孔侧壁的介电层之间的粘附力，金属层和通孔之间具有较好的成形质量，从而提高形成的半导体器件的性能和良率。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN202111171845.3在审
发明人：黄茜楣;林仪婷 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：该半导体封装装置包括：基板，表面设置有导电柱；介电层，位于基板上，导电柱被介电层包覆，介电层上设置有导电孔，导电孔位于导电柱上方并且与导电柱电连接，介电层的厚度大于导电孔的开口宽度，导电孔的厚度小于或者等于导电孔的开口宽度该半导体封装装置能够在避免制作细长孔(例如厚度大于开口宽度的孔)的同时实现介电层两侧的电连接，有利于通过增大介电层的厚度提高防电性干扰的能力，同时保证产品良率。
半导体封装装置及其制造方法

[发明专利]一种介孔ZSM-5沸石及其制备方法和应用-CN201711119035.7有效
发明人：郑步梅;王振宇;方向晨;郭蓉 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司大连石油化工研究院
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C01B39/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种介孔ZSM‑5沸石及其制备方法和应用，所述介孔分子筛的比表面积为320~420m2/g，介孔孔容为0.20~0.55cm3/g，介孔孔体积占分子筛总孔体积的60%~85%。介孔ZSM‑5沸石的制备方法，包括如下内容：首先制备烯丙基缩水甘油醚和二甲基二烯丙基铵的共聚物；然后在ZSM‑5沸石的合成体系中加入三乙烯四胺和所述的共聚物；最后经晶化、洗涤、干燥、焙烧制备出介孔ZSM该方法采用了一种全新的特定的季铵盐聚合物，制备出含有大量的介孔结构的ZSM‑5沸石，适合用于苯和乙烯烷基化反应。
一种 zsm 及其制备方法应用

[发明专利]通过水热处理合成介孔纳米尺寸沸石β的方法及其用途-CN202310018026.8在审
发明人： L·丁;萨米尔·阿勒-加姆迪 -专利权人：沙特阿拉伯石油公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C01B39/04 文献下载
摘要：纳米尺寸介孔沸石β组合物和合成方法以及所述纳米尺寸介孔沸石β的用途。使用水热处理合成纳米尺寸介孔沸石β，在水热处理之前或之后无需干燥和煅烧沸石。还提供了使用纳米尺寸介孔沸石β对烃原料进行加氢裂化的方法。
通过热处理合成纳米尺寸方法及其用途

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