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[发明专利]一种钛酸锶亚微米晶体及其制备方法-CN201310121271.8无效
发明人：刘白;刘力睿 -专利权人：深圳信息职业技术学院
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明适用于材料化学领域，提供了一种钛酸锶亚微米晶体及其制备方法。一种钛酸锶亚微米晶体，其特征在于，所述钛酸锶亚微米晶体的形状为立方相晶体，尺寸分布在100-350nm，达到亚微米级。该亚微米钛酸锶晶体的制备方法主要包括以下步骤：1）将SrO2与TiO2的混合物在熔盐介质中于650～750℃下进行热反应9～10.5h；2）将所述热反应产物纯化、干燥处理，得到SrTiO3亚微米晶体。与现有技术比较，该制备方法反应体系温度低、反应完全、工艺操作简单、周期短，工艺合成得到的钛酸锶晶体纯度高、粒径细小均匀，达到亚微米级。
一种钛酸锶亚微米晶体及其制备方法

[发明专利]一种高密度亚微米高压BCD半导体器件及其工艺方法-CN201210244066.6无效
发明人：吕宇强;邵凯;陈雪萌;杨海波 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-07-13 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高密度亚微米的超高压BCD半导体工艺集成的器件，该高压BCD工艺实现的集成器件可包括：超高压LDMOS、中压NLDMOS、中压FDPMOS、高压JFET、低压NMOS、低压PMOS、齐纳二极管、多晶电阻、PIP电容、双极晶体管NPN管以及双极晶体管PNP管，所述高密度亚微米高压BCD半导体器件直接做在P型衬底上，所述超高压LDMOS的源极和栅极沿漏极中心对称。本发明还提供了一种制造高密度亚微米高压BCD半导体器件的工艺方法。本发明提供的高密度亚微米高压BCD半导体工艺不仅可提高高压器件的面积效率，同时可集成亚微米的低压器件，是一种高性能、低成本的高压集成芯片制造工艺。
一种高密度微米高压 bcd 半导体器件及其工艺方法

[发明专利]从硅片生产工艺回收亚微米硅颗粒的方法-CN201880053591.5在审
发明人：克里斯多夫·萨什 -专利权人：道达尔太阳能国际公司;太阳能公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种从硅片生产工艺回收亚微米硅颗粒的方法，所述硅片生产工艺采用金刚石固定磨料工艺、尤其是切片和切割的，该方法包括以下步骤：‑提供由所述金刚石固定磨料工艺产生的亚微米硅颗粒糊料(3)；‑将所述亚微米硅颗粒糊料干燥并成型为层
硅片生产工艺回收微米颗粒方法

[发明专利]一种制备亚微米级钛酸锂材料的方法-CN201510217782.9在审
发明人：李肖;高飞;杨凯;刘皓;李大贺;胡晨;王丽娜;惠东;来小康 -专利权人：中国电力科学研究院;国家电网公司;国网山东省电力公司电力科学研究院
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01M4/485 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备亚微米级钛酸锂材料的方法，该法包括用溶胶凝胶法制备Li₄Ti₅O₁₂前驱体溶液，静电纺丝得到亚微米纤维Li₄Ti₅O₁₂前驱体，于空气气氛下煅烧得到亚微米的纳米钛酸锂纤维。本发明提供的方法工艺简单、纺丝成本低廉、工艺可控等优点，对制得的亚微米钛酸锂材料振实密度高和加工性能好。
一种制备微米级钛酸锂材料方法

[发明专利]一种亚微米氧化铝陶瓷材料及其制备方法-CN200910237549.1有效
发明人：王小军;房明浩;黄朝晖;刘艳改;刘凤娇 -专利权人：中国地质大学（北京）
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明涉及一种亚微米氧化铝陶瓷材料及其制备方法，属于结构陶瓷材料技术领域。本发明以粒径为纳米级或亚微米级的α-Al2O3粉体为原料，经过成型，采用深冷法无压烧结制备得到晶粒尺寸小于1微米的氧化铝陶瓷材料。该方法具有烧结温度低、制备工艺简单、可在无压烧结条件下获得亚微米级氧化铝陶瓷、可以制备复杂形状亚微米级的氧化铝陶瓷、制备得到的陶瓷平均晶粒尺寸小，且可通过改变烧结工艺控制其平均晶粒尺寸的优点。制备得到的亚微米氧化铝陶瓷材料相对密度大于98％，具有高的机械性能。
一种微米氧化铝陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种亚微米/微米银复合体系环氧树脂导电胶的制备方法-CN201310111361.9有效
发明人：丁欣;王化;田兴友;郑康 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C09D163/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种亚微米/微米银复合体系环氧树脂导电胶的制备方法，首先制备亚微米/微米银复合体系，然后将环氧树脂、固化剂、助剂、亚微米/微米银复合体系等溶解在溶剂中，将反应物料经球磨后再固化，制得亚微米/微米银复合体系环氧树脂导电胶。本发明制备的亚微米/微米银复合体系环氧树脂导电胶可以进行中高温固化，复合体系导电胶的导电性能要优于单纯微米银体系导电胶的导电性能。本发明的方法工艺简单、条件温和、易实施。
一种微米复合体系环氧树脂导电制备方法

[发明专利]一种亚微米纤维复合纱及其意柔纺纺纱方法-CN202310566886.5在审
发明人：陈超;俞建勇;覃小红;王黎明;孟宪哲;张祎;孔冬青;王金友;刘擎;罗茗月;鲁建波;韩庆帅;李明明;任继扬 -专利权人：东华大学;济宁意链新材料科技有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： D02G3/04 文献下载
摘要：本发明属于纺纱工艺技术领域，提供了一种亚微米纤维复合纱及其意柔纺纺纱方法。本发明先将含亚微米纤维的色纺短纤维进行复洗处理去除浮色，同时赋予纤维柔软和抗静电的性能，然后将含亚微米纤维的色纺短纤维制成粗纱，之后与涤纶长丝、氨纶长丝经过细纱工艺制得亚微米纤维复合纱，通过在细纱机上加装支撑装置，增加长丝预张力，解决了嵌入纺粗纱与长丝抱合力差、长丝易断丝的技术难题，制得的亚微米纤维复合纱具有条干好、强力高、毛羽少的优点。实施例的结果显示，本发明制备的亚微米纤维复合纱的单纱强力为416.5cN，乌斯特条干CV为10.17％，毛羽H值为3.47mm。
一种微米纤维复合其意纺纱方法

[发明专利]一种Ni亚微米阵列的制备工艺-CN201510219476.9有效
发明人：刘春海;陈昶;张伟;崔学军;陈建;金永中;王龙 -专利权人：四川理工学院
申请日： 2015-05-02 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提出了一种Ni亚微米阵列的制备工艺。它先将基底和Ni靶材进行清洗预处理；然后在基底上沉积Ni层；接着对沉积后的模板进行热处理；最后用碱液溶解模板，除去模板后用去离子水洗涤，即可得到Ni亚微米阵列，与现有技术相比，本发明的有益效果是，本发明工艺所采用的是磁控溅射方法，工艺简单易行且重复性好，所需成本低，清洁环保，适合于规模化应用；所制得的Ni亚微米阵列高度有序，直径一致，并可以采用不同规格的AAO模板制备不同长度和直径的Ni亚微米阵列以满足实际需要；所制备的Ni亚微米阵列结构稳定
一种 ni 微米阵列制备工艺

[发明专利]一种无团聚亚微米铁酸镍磁性载体的制备方法-CN200910243367.5有效
发明人：景茂祥;李旺兴;李东红;姜雪芹;王舟 -专利权人：中国铝业股份有限公司
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： B01J32/00 文献下载
摘要：一种无团聚亚微米铁酸镍磁性载体的制备方法，特别是涉及一种无团聚亚微米铁酸镍/氧化铝复合载体的制备方法。其特征在于其制备过程的步骤包括：(1)制备亚微米铁酸镍；(2)制备包覆氧化铝的亚微米铁酸镍前驱体；(3)将亚微米铁酸镍前驱体进行焙烧，制得无团聚亚微米铁酸镍磁性载体。制备工艺简单，成本低，易规模化生产。
一种团聚微米铁酸镍磁性载体制备方法

[发明专利]低氧亚微米钴粉及其草酸钴前驱体和制造方法-CN201010044473.3有效
发明人：许开华;何显达;韩红涛 -专利权人：深圳市格林美高新技术股份有限公司;荆门市格林美新材料有限公司
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种低氧亚微米钴粉及其草酸钴前驱体和制造方法，而低氧亚微米钴粉是通过碳酸钴粉体和草酸溶液之间的固液反应制得草酸钴前驱体，再由草酸钴前驱体经过还原反应而制得。本发明低氧亚微米钴粉在其较细亚微米级产品中能保持较低氧含量，在其还原工序中不易着火，生产工艺全过程中易于稳定运行，制备便利。
低氧微米及其草酸前驱制造方法

[发明专利]一种亚微米钛酸镉晶体及其制备方法-CN201210435845.4无效
发明人：刘白 -专利权人：深圳信息职业技术学院
申请日： 2012-11-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种亚微米钛酸镉晶体及其制备方法。该亚微米钛酸镉晶体制备方法包括获取过氧化镉的步骤和采用固相合成法制备亚微米钛酸镉晶体的步骤。本发明亚微米钛酸镉晶体制备方法采用固相合成法，将过氧化镉颗粒和TiO2混合后在一个相对较低的温度下，经过热处理制备钛酸镉亚微米晶。该方法工艺简单，条件易控，能耗低，时间短，避免了昂贵化学试剂的使用，有效降低了钛酸镉亚微米晶的生产成本。由该方法制备的亚微米钛酸镉晶体纯度高，结晶性好，尺寸小。
一种微米钛酸镉晶体及其制备方法

[发明专利]一种利用常规光刻技术实现深亚微米T型栅的制备方法-CN201610458124.3有效
发明人：毛明明;张杨;黄鸿;王青;马涤非;杨翠柏 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用常规光刻技术实现深亚微米T型栅的制备方法，该方法主要是利用传统步进光刻机，采用涂胶曝光显影步骤，形成图形，并借助PECVD薄膜淀积技术和ICP刻蚀技术，将深亚微米侧壁图形保留，并进行转移，形成栅脚；而后采用传统光刻工艺方法，形成栅帽，制备出深亚微米级的T型栅。通过本发明方法可以有效克服电子束光刻产能低，而步进光刻机传统制备工艺线宽受限，不能加工深亚微米图形的不足与缺点，同时兼顾栅长及产能。
一种利用常规光刻技术实现微米制备方法

[发明专利]一种微米/亚微米金纳米粒子环和金环的制备方法-CN201110198792.4有效
发明人：周骏;林豪;阳明仰;颜承恩 -专利权人：宁波大学
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C08L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种微米/亚微米金纳米粒子环和金环的制备方法，其步骤为：首先采用溶胶-凝胶法制备有机相的金纳米粒子颗粒，配制制膜溶液，然后制备金纳米粒子聚合物薄膜，再对金纳米粒子聚合物薄膜进行热处理，形成微米/亚微米金纳米粒子环或微米/亚微米金环，利用本发明方法制备得到的金纳米粒子环或金环的内外径及环的面密度易于控制和调整，且本发明方法工艺简单、成本低廉、耗时少，易于推广及大规模生产，特别适合于制作生物光学传感装置需要的微米/亚微米金纳米粒子环或微米/亚微米金环的阵列模板。
一种微米纳米粒子制备方法

[发明专利]一种亚微米级干法刻蚀工艺方法-CN201510538118.4在审
发明人：姚艳龙;沙小强;刘绍侃 -专利权人：深圳华远微电科技有限公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提出一种亚微米级干法刻蚀工艺方法，涉及声表面波技术领域。本发明包括镀膜工艺、选取光刻胶、涂胶工艺、光刻工艺、流化工艺及干法刻蚀工艺等步骤，其中，光刻胶选用分辨率能满足亚微米曝光要求，且本身随温度的升高体现出一定规律的流淌性的光刻胶。本发明利用光刻胶的流化效应这一特点，使得光刻胶逐渐变成高度变低，底边变长的正梯形，变相的增加了线条宽度余量，有效的解决了在亚微米的工艺精度下，减少干法刻蚀工艺的侧向腐蚀。
一种微米级干法刻蚀工艺方法

[发明专利]使用阳极氧化工艺制造的具有三极管结构的电场发射器件及其制造方法-CN03823411.4无效
发明人：李建弘;黄瑄珪;郑守桓 -专利权人：学校法人浦项工科大学校
申请日： 2003-07-30 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：通过使用阳极氧化工艺来制造一种具有三极管结构的电场发射器件。该器件包括支撑衬底、用作该器件的阴极的底部电极层、具有多个第一亚微米孔的栅极绝缘层、具有连接到第一亚微米孔的多个第二亚微米孔的栅电极层、具有连接到第二亚微米孔的多个第三亚微米孔的阳极绝缘层、用作该器件阳极并用于密闭地密封该器件的顶部电极层、以及在第一亚微米孔中形成的多个发射器。
使用阳极氧化工艺制造具有三极管结构电场发射器件及其方法

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