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[发明专利]依折麦布与烟酰胺药物共晶及其制备方法-CN201510448727.0有效
发明人：李雯;胡延杰;陈水库;张方杰;李战军;李运丽;于玉振;张晓慧;王荣荣;郝平平;朱成功;刘宏民 -专利权人：郑州大学;河南辅仁医药科技开发有限公司
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： C07D205/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种依折麦布共晶及其制备方法，具体涉及依折麦布药物‑烟酰胺共晶及其制备方法，属于药物共晶技术领域。以依折麦布作为药物活性成分(API)，以烟酰胺作为共晶前驱体（CCF），形成依折麦布‑烟酰胺共晶。其采用固态研磨法，将两者以一定比例置于球磨机中，加入微量醇溶剂，共同研磨而得。对制备出的依折麦布‑烟酰胺共晶通过P‑XRD、DSC、IR、SEM进行了结构表征，其共晶熔点为106‑110℃，共晶DSC谱图中未有API和CCF的熔点峰。本发明制备的依折麦布共晶在溶解度和溶出度方面得到了明显的改观。该方法仅需少量溶剂，少有副产物产生，操作简便易于在工业制药中应用，符合绿色环保的要求。
依折麦布烟酰胺药物及其制备方法

[发明专利]一种有机共晶增益材料及其制备方法和在激光性能中的应用-CN201811192070.6有效
发明人：赵永生;褚曼曼;李勇军 -专利权人：中国科学院化学研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C07D213/74 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机共晶增益材料及其制备方法和在激光性能中的应用，所述有机共晶增益材料的分子间相互作用的不同导致他们组装成特定的微纳结构(例如微米片、微米环)；所述具有特定微纳结构的有机共晶增益材料可作为高质量的光学谐振腔体，为共晶的受激辐射提供光学反馈和模式选择；所述有机共晶增益材料的卤键间的相互作用，仅仅带来了微弱的电荷转移，从而在共晶中保留了有利的四能级结构以实现最终的激光辐射；同时，改变卤键给体可调控所述有机共晶增益材料的分子间相互作用，进而改变组装结构和能级结构，最终实现对共晶激光性质的调控。在所述材料中首次实现了共晶的光泵浦激光辐射，并且通过改变卤键给体调节激光性质。
一种有机增益材料及其制备方法激光性能中的应用

[发明专利]一种基于激光选区熔化技术制备高强韧共晶高熵合金的方法-CN202110237963.3有效
发明人：苏海军;郭一诺;张军;郭敏;刘林;傅恒志 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于激光选区熔化技术制备高强韧共晶高熵合金的方法，属于金属材料激光增材制造技术领域。本发明控制AlCoCrFeNi预合金粉末和Ni粉的摩尔比，保证共晶高熵合金中各元素的比例，使合金中得到完全共晶组织；通过优化激光选区熔化成形的工艺参数，提高了共晶高熵合金的致密性，同时降低了共晶高熵合金内部的残余应力，避免了合金形成裂纹，得到的共晶高熵合金无需进行后续处理便可实现高致密，提高了共晶高熵合金的力学性能，并实现高强韧共晶高熵合金复杂结构件的一体化精密成形。实施例的结果显示，采用本发明提供的制备方法制备的共晶高熵合金的致密度＞98％，屈服强度＞970MPa，拉伸强度≥1270MPa。
一种基于激光选区熔化技术制备强韧共晶高熵合金方法

[实用新型]芯片上料及共晶焊头系统-CN202021848708.X有效
发明人：吴超;曾义;蒋星 -专利权人：恩纳基智能科技无锡有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： B23K3/00 文献下载
摘要：本新型涉及一种芯片上料及共晶焊头系统，包括X向机架，其上两侧分别设有一共晶焊机构，每个共晶焊机构包括一组固定安装顶部相机和一个沿XZ向直线运动的共晶焊头，X向机架前侧对应两共晶焊机构位置处，分别设有一芯片上料区本实用新型结构设计合理，自动化程度高，配合本申请人设计的一款共晶设备中基板上料和成品下料，采用两工位芯片上料机构方案，实现两侧芯片的同时上料，提高了效率。共晶焊头通过实时检测和反馈调节，对共晶过程中芯片合理施力，确保其受力稳定提高共晶精度。
芯片料及共晶焊头系统

[实用新型]一种IGBT真空共晶炉-CN202123140033.0有效
发明人：姜新诚;王兆敏 -专利权人：青岛晨立电子有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本实用新型涉及焊接设备技术领域，且公开了一种IGBT真空共晶炉，解决了共晶炉中的芯片在投放时，大多通过工作人员手动放置芯片，由于共晶炉内部温度高会灼伤工作人员，进而存在安全隐患的问题，其包括共晶炉本体，所述共晶炉本体的底端对称设有支撑柱，共晶炉本体的顶端活动连接有盖体，共晶炉本体的内部中间位置设有隔板，隔板的内部等距离设有冷却水管，隔板的顶端开设有凹槽，隔板的上方设有与凹槽相适配的接料板，接料板的底端与高度调节结构连接，接料板的内部等距离设有加热管，共晶炉本体的外壁顶部安装有支撑板；本设计避免人工投料，避免共晶炉本体内部高温灼伤工作人员，进而实现对工作人员的保护。
一种 igbt 真空共晶炉

[实用新型]一种半导体芯片用自动共晶机-CN202223474438.2有效
发明人：谢盛意 -专利权人：芯瑞半导体（中山）有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及自动共晶机领域的一种半导体芯片用自动共晶机，包括机柜、控制器和操作平台，所述操作平台的顶部连接有移动组件，移动组件包括第一移动模组、第二移动模组和第三移动模组，第三移动模组通过第三连接板连接有共晶器件，共晶器件的一侧设有共晶枪，共晶枪的一侧连接有气缸，操作平台的中部设有加热器，加热器的顶部设有作业平台，加热器对作业平台进行加热处理，通过控制器控制第一移动模组和第二移动模组使其带动第三移动模组进行上下移动进行共晶，有利于减少共晶器件的移动影响，提高移动效率的同时，第一移动模组和第二移动模组为相同设置，使有利于保证高度平齐，增强共晶产品的精度合格率。
一种半导体芯片自动共晶机

[发明专利]硅共晶合金组合物以及通过旋转浇铸制备其的方法-CN201280070604.2无效
发明人：扎迦利·鲍尔;杰里米·毕比;马修·加夫;达伦·罗伊尔;瓦斯根·莎玛米安;兰德尔·西格尔;约瑟夫·苏茨曼;詹姆斯·扬格 -专利权人：道康宁公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： C22C28/00 文献下载
摘要：本发明描述了为了进行制备硅共晶合金组合物的旋转浇铸方法，将硅和一种或多种金属元素M熔融在一起以形成包含所述硅和所述一种或多种金属元素M的共晶合金熔体。将含有所述共晶合金熔体的模具以足以形成与所述模具的内表面接触的旋转体积的所述共晶合金熔体的速度围绕其纵向轴线旋转。将热量从所述旋转体积的所述共晶合金熔体中定向地移除，以定向固化所述共晶合金熔体，并且形成共晶合金组合物，所述共晶合金组合物包括所述硅、所述一种或多种金属元素M，以及包含所述硅的第一相与式MSi₂的第二相的共晶聚集体，其中所述第二相为二硅化物相。
硅共晶合金组合以及通过旋转浇铸制备方法

[发明专利]一种卡马西平亚稳晶型Ⅱ及其制备方法-CN202011281850.5在审
发明人：欧阳金波;陈建;周利民;刘峙嵘 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C07D223/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种模板剂诱导卡马西平亚稳晶型Ⅱ的制备方法，在搅拌作用下，将卡马西平稳定晶型Ⅲ溶于醇类溶剂中，溶解完全后，向其中加入模板剂，持续搅拌下冷却结晶，经过滤，干燥，得到卡马西平亚稳晶型Ⅱ的晶体产品；本发明还提供一种卡马西平亚稳晶型Ⅱ，该晶体产品的粒径为200～400μm，水溶性为80～110mg/L。本发明本方法工艺简单，使用表面修饰的模板剂，来稳定诱导亚稳晶型Ⅱ的结晶，避免其向稳定晶型Ⅲ转化，操作成本低，适合工业化生产。
一种西平亚稳晶型及其制备方法

[发明专利]一种过共晶铝硅系合金及其制备方法-CN202210653316.5在审
发明人：毛丰;魏世忠;郭俊良;陈冲;张程;王晓东;江涛;张坡;熊美;肖利强;潘昆明;王长记;李秀青 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种过共晶铝硅系合金及其制备方法，属于有色金属材料加工制备技术领域。本发明的过共晶铝硅系合金的制备方法，包括以下步骤：将过共晶铝硅系合金的前驱体熔体以300～550℃/s速率进行冷却，即得；所述前驱体熔体含有质量分数为0.4～0.7％的变质元素铕。本发明的过共晶铝硅系合金的制备方法，通过加入化学变质剂铕以及通过快速冷却处理过共晶铝硅系合金的前驱体熔体，可以同时实现初晶硅的细化球化以及共晶硅的纤维化，进而提高制备的过共晶铝硅系合金的强度、塑性和韧性与快速凝固相比，本发明的过共晶铝硅系合金的制备方法通过加入化学变质剂铕，可以避免使用要求较高的设备，而且可以得到细化球化的初晶硅。
一种共晶铝硅系合金及其制备方法

[发明专利]高电阻率的磁体的制备方法-CN202011616806.5有效
发明人：王帅;孙珊珊;杜飞;钮萼;陈治安;王湛;饶晓雷;胡伯平 -专利权人：北京中科三环高技术股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：所述方法包括：制备共晶粉末，共晶粉末为稀土氟化物和碱金属氟化物的共晶组织RF3‑MF的粉末，其中，R为Pr、Nd、Ce、La、Dy、Tb、Ho、Gd、Y、Er、Tm、Yb、Lu中的一种或多种，M为Li、Na、K中的一种或多种；将共晶粉末破碎，获得共晶破碎粉末；将磁粉与共晶破碎粉末混合，获得混合原料；将混合原料进行取向压制后烧结，然后进行第一级时效热处理和第二级时效热处理，获得高电阻率的磁体，第一级时效热处理的温度高于共晶组织RF3‑MF的熔点。本申请在磁粉中添加共晶组织，共晶组织最终均匀分布在晶界相中，提高磁体电阻率，对磁体的磁性能影响很小。
电阻率磁体制备方法

[发明专利]一种金锡共晶焊膏及其制备方法-CN202010315307.6有效
发明人：陈卫民;杨青松 -专利权人：广州先艺电子科技有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： B23K35/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种金锡共晶焊膏，包含微米金锡共晶粉料和助焊膏，微米金锡共晶粉料和助焊膏的重量比为84～94：6～16；助焊膏包含成膜剂、溶剂、触变剂和助焊剂，成膜剂、溶剂、触变剂和助焊剂的重量比为12～35：30～50：5～8：6～14；成膜剂包含聚氨酯改性环氧树脂和改性松香，聚氨酯改性环氧树脂和改性松香的重量比为30：10～1；微米金锡共晶粉料的颗粒为直径范围为4.5～55μm的球体。本发明还公开了一种金锡共晶焊膏的制备方法，包括：制备微米金锡共晶粉料；称取微米金锡共晶粉料及助焊膏；将微米金锡共晶粉料与助焊膏搅拌混合均匀。本发明保证了金锡共晶焊料在高回流温度下的焊接质量及可靠性，能适应印刷及焊接工艺的性能要求，并提高了金锡共晶焊膏生产效率。
一种金锡共晶焊膏及其制备方法

[发明专利]微型发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置-CN202010328033.4有效
发明人：王双;于泉鹏 -专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种微型发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，有效改善共晶层的反光现象。微型发光二极管显示面板包括：衬底基板；设于衬底基板的阵列层，阵列层设有多个驱动电路和第一电源信号线；设于阵列层背向衬底基板一侧的共晶层，共晶层包括多个第一共晶层和多个第二共晶层，第一共晶层与驱动电路连接，第二共晶层与第一电源信号线连接；位于共晶层远离衬底基板一侧的多个微型发光二极管，微型发光二极管侧面设置有遮光层；微型发光二极管的正极与第一共晶层连接，微型发光二极管的负极与第二共晶层连接；遮光层与微型发光二极管的侧面接合
微型发光二极管显示面板及其制作方法显示装置

[发明专利]共晶瓷金材料-CN201810199729.4在审
发明人：陈瑞凯 -专利权人：陈瑞凯
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：一种共晶瓷金材料，包含至少两种碳化物及一种耐火金属，其中该碳化物选自于TiC、VC、ZrC、HfC、WC、NbC、TaC，而该耐火金属为钨，其中碳化物与耐火金属能够于比各自熔点还要低、且高于共晶点的温度下，进行加热熔炼形成该共晶瓷金材料，由于透过形成共晶点来达到降低熔融温度，以熔融制备出具有细致层状结构的共晶瓷金材料，而制备出的共晶瓷金材料于高温环境下具有稳定的硬度表现之外，更具有高的韧性表现，因此本发明的共晶瓷金材料为一有用的工程材料
金材料共晶耐火金属碳化物共晶点熔融制备熔点层状结构高温环境工程材料熔炼加热表现

[发明专利]一种贝利司他药物共晶及其制备方法和应用-CN202211465535.7在审
发明人：龚俊波;欧阳瑞灵;李中华;匡雯婕;韩丹丹;吴送姑 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C07C311/21 文献下载
摘要：本发明提供了一种贝利司他药物共晶及其制备方法和应用，所述贝利司他药物共晶是由贝利司他药物和共晶配体按照摩尔比1：1结合而成，所述共晶配体为异烟肼或异烟酰胺；本发明制备的药物共晶的方法为溶液介导法或研磨法，制备得到的两种贝利司他共晶均通过X‑射线粉末衍射(PXRD)、单晶X‑射线粉末衍射(SXRD)、差示热量扫描法(DSC)、热重分析仪(TGA)等手段进行了表征。本发明共晶继承了贝利司他本身的药理活性，并对其溶解性、稳定性均有明显的改进。
一种贝利药物及其制备方法应用

[发明专利]混合制冷系统的控制方法-CN201480045885.5有效
发明人： S·杜塔;H·H·维盖斯 -专利权人：冷王公司
申请日： 2014-06-18 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： F25B25/00 文献下载
摘要：上述TRS包括共晶设备和运输制冷装置(TRU)，上述共晶设备包括共晶介质，上述运输制冷装置具有制冷剂回路，上述制冷剂回路用于引导制冷剂穿过上述TRU并能够将上述制冷剂导向上述共晶设备以对上述共晶介质进行冷却上述TRS包括冷却流体回路，上述冷却流体回路与上述共晶介质热接触，其中上述冷却流体回路引导冷却流体与上述共晶介质热接触。
混合制冷系统控制方法