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[发明专利]一种制备制作汽车制动系统的新型铝硅合金材料的方法-CN201310175604.5无效
发明人：臧立根;霍会娟;李志琴;墨青;杨少云 -专利权人：天津立中合金集团有限公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C22C21/04 文献下载
摘要：本方法制备的材料中的Mn可作为微合金化元素降低Fe元素的危害，并能提高合金的高温性能；Cu在合金中与Al形成高温稳定相Al2CuMg，起到强化合金的作用，并增强合金的散热能力；Ti细化Al相，Sb细化共晶硅，大幅提高合金的力学性能，制备的新型亚共晶铝硅合金材料室温强度达338MPa，300℃高温抗拉强度达196MPa。
一种制备制作汽车制动系统新型合金材料方法

[实用新型]铁液试样白口快速取样器-CN200420091982.1无效
发明人：孙原生 -专利权人：太原钢铁（集团）有限公司
申请日： 2004-10-22 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： G01N1/10 文献下载
摘要：本实用新型与现有技术相比，具有的显著特点如下：1.促使铁液试样无论是亚共晶还是过共晶，也不论是否经过孕育处理，还是三脱处理，都将按白口方式凝固。
试样白口快速取样

[发明专利]高铬－氮轴承可铸合金-CN03804354.8无效
发明人：罗曼·拉顿 -专利权人：罗曼·拉顿
申请日： 2003-01-08 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： C22C38/18 文献下载
摘要：该合金具有在奥氏体基体中包含亚共晶、共晶、铬的碳化物、硼化物与氮化物的显微结构，其中该基材具有饱和氮且无二次碳化物与氮化物。
轴承合金

[发明专利]发光二极管芯片-CN201610089450.1在审
发明人：黄逸儒;庄东霖;沈志铭;许圣宗;黄冠杰;黄靖恩;丁绍滢 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：发光二极管芯片包括半导体磊晶结构以及至少一电极垫结构。半导体磊晶结构电性连接至承载基板。电极垫结构包括共晶层、阻挡层以及延展层。共晶层适于共晶接合于承载基板上。阻挡层配置于共晶层与半导体磊晶结构之间，以阻挡共晶层材料于共晶接合时扩散。延展层配置于共晶层与半导体磊晶结构之间，且延展层可具有至少一金属材料堆栈形成。延展层减少在共晶接合的过程中因基板随着加热的过程热胀冷缩而对发光二极管芯片产生的应力，避免电极垫结构产生裂缝，而维持发光二极管芯片的质量。
发光二极管芯片

[发明专利]高精度智能共晶贴装设备及其加工方法-CN202010887130.7在审
发明人：吴超;曾义;徐金万;蒋星;余再欢 -专利权人：恩纳基智能科技无锡有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种高精度智能共晶贴装设备及其加工方法，包括基座，其上沿Y向设有物料区和共晶区，物料区的中部为基板上料区和成品下料区，左右两侧均为芯片上料区，每个芯片上料区内包括至少一芯片上料治具、沿XY向移动的芯片取放焊头机构和预置平台，基板上料和成品下料区内包括一沿XY向移动的基板上料治具、沿Y向移动的基板取放焊头机构；共晶区包括分别与两芯片取放焊头机构位置对应的两个共晶焊机构，每个共晶焊机构包括一组固定安装的顶部相机和一个沿XZ向运动的共晶焊头，还包括两个在芯片上料位和共晶位之间往复运动的共晶加热平台；本发明上料和共晶分离，双共晶台，双共晶焊头同时工作，提高了设备产能。
高精度智能共晶贴装设及其加工方法

[实用新型]高精度智能共晶贴装设备-CN202021849044.9有效
发明人：吴超;曾义;蒋星 -专利权人：恩纳基智能科技无锡有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高精度智能共晶贴装设备，包括基座，其上沿Y向设有物料区和共晶区，物料区的中部为基板上料区和成品下料区，左右两侧均为芯片上料区，每个芯片上料区内包括至少一芯片上料治具、沿XY向移动的芯片取放焊头机构和预置平台，基板上料和成品下料区内包括一沿XY向移动的基板上料治具、沿Y向移动的基板取放焊头机构；共晶区包括分别与两芯片取放焊头机构位置对应的两个共晶焊机构，每个共晶焊机构包括一组固定安装的顶部相机和一个沿XZ向运动的共晶焊头，还包括两个在芯片上料位和共晶位之间往复运动的共晶加热平台；本实用新型上料和共晶分离，双共晶台，双共晶焊头同时工作，提高了设备产能。
高精度智能共晶贴装设

[实用新型]一种双模式兼容共晶机-CN202320228348.0有效
发明人：李德荣;李金龙;李银拴 -专利权人：佑光智能半导体科技（深圳）有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及一种双模式兼容共晶机，属于芯片共晶领域，主要应用于兼容两种工作模式并高效率、高精度共晶激光三极管或芯片模块，其包括机架主体、选择性工作的管座供料模块以及用于对芯片供料并转运的第一供料模块及第二供料模块机架主体设置有用于共晶激光三极管的恒温共晶台以及用于共晶加工芯片模块的变温共晶台，第一供料模块可供应并转运激光芯片，第二供料模块在实现热沉芯片的供料并转运的同时，可通过第三供料位选择性供应保护芯片。当恒温共晶台工作时，管座供料模块及第三供料位同步动作以切换至To工作环境共晶激光三极管；当变温共晶台工作时，管座供料模块及第三供料位不工作，以切换CoS工作环境共晶加工芯片模块。
一种双模兼容共晶机

[发明专利]一种Y4-CN202210488159.7在审
发明人：王京阳;孙鲁超;李捷;吴贞;杜铁锋;罗志新;崔阳 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：base:Sub>Al2O9/Y2O3共晶陶瓷粉体及球形喂料的制备方法:Sub>Al2O9和Y2O3的共晶陶瓷粉体原料，二者以共晶成分比例(摩尔比Y2O3：Al2O3亚微米级的Al2O3粉体和Y2O3Al2O9/Y2O3共晶陶瓷粉体原料
一种 base sub

[发明专利]一种亚阈值电压基准电路-CN202011518921.9有效
发明人：胡晓宇;袁甲;于增辉;凌康 -专利权人：北京中科芯蕊科技有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G05F1/625 文献下载
摘要：本发明公开了一种亚阈值电压基准电路，包括：3T亚阈值基准电压电路和自偏置衬底调制NMOS电路，3T亚阈值基准电压电路包括本征NMOS管和与本征NMOS管连接的自偏置共源共栅电路；本征NMOS管和电源电压连接；自偏置共源共栅电路和本征NMOS管均与自偏置衬底调制NMOS电路连接；自偏置衬底调制NMOS电路接地。该亚阈值电压基准电路通过增加自偏置衬底调制NMOS电路和将传统的2T亚阈值基准电压电路中自偏置NMOS管改为自偏共源共栅电路的方式来减小输出参考电压受温度的影响，同时降低电路的功耗。
一种阈值电压基准电路

[发明专利]反胺苯环醇与NSAID的共晶-CN200980141056.6有效
发明人：赫尔穆特·海因里希·布施曼;利易斯·索拉卡兰戴尔;乔迪·比奈特布赫雷尔茨;乔迪·卡尔斯·西隆贝特朗;卡洛斯·拉蒙·布拉塔萨拉曼;尼古拉斯·特松 -专利权人：埃斯蒂文博士实验室股份有限公司
申请日： 2009-10-16 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： A61K31/135 文献下载
摘要：本发明涉及反胺苯环醇和选自NSAID的共晶前体的共晶、其制备方法及其作为药物或在药物制剂中的用途，尤其是用于治疗疼痛的用途。在一种优选实施方式中，该共晶是(-)-反胺苯环醇和(S)-萘普生(1∶2)的共晶；(+)-反胺苯环醇和(R)-萘普生(1∶2)的共晶或(外消旋)-盐酸反胺苯环醇-塞来昔布(1∶1)的共晶。
苯环 nsaid

[发明专利]一种大尺寸共晶高熵合金及其制备方法和应用-CN202111139565.4有效
发明人：张宇博;李廷举;卢一平;丁程浩;王同敏;曹志强;接金川;康慧君;郭恩宇;陈宗宁 -专利权人：大连理工大学;大连理工大学宁波研究院
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：本发明属于合金技术领域，具体涉及一种大尺寸共晶高熵合金及其制备方法和应用。本发明提供了一种大尺寸共晶高熵合金的制备方法，包括以下步骤：提供小尺寸共晶高熵合金铸锭；将所述共晶高熵合金铸锭层叠后进行真空热压愈合，得到大尺寸共晶高熵合金。本发明通过真空热压的固态连接方式将小尺寸的共晶高熵合金铸锭结合在一起，得到缺陷少且性能优异的大尺寸共晶高熵合金。
一种尺寸共晶高熵合金及其制备方法应用

[发明专利]一种含Sc铸造亚共晶Al-Mg₂Si合金及其生产方法-CN201811100363.7在审
发明人：武晓峰;伍复发;王开宝;李青春;隋国江 -专利权人：辽宁工业大学
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： C22C21/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种含Sc铸造亚共晶Al‑Mg₂Si合金及其生产方法，由以下质量百分比的物质构成：2.53%~7.26%的Mg；1.47%~4.24%的Si；0.15%~0.35%的Sc；余量为Al；其中Mg和Si在铸态下形成4.0%~11.5%的Mg₂Si相；本发明在合理设计铸造用合金成分的基础上，通过稀土元素Sc对合金中共晶Mg₂Si相的变质作用及对初生α‑Al相的细化作用，共晶Mg₂Si由粗大的汉字状转变为细小的纤维状，初生α‑Al由树枝晶转变为球状晶，力学性能尤其是塑性得到大幅提高，合金的抗拉强度及伸长率分别提高21.41%和
合金细化铸造变质剂细化剂亚共晶变质轻量化材料质量百分比变质作用合金浇注交通领域力学性能稀土元素汉字状结构件伸长率树枝晶纤维状熔炼共晶铸件铸态毒化生产汽车

[发明专利]一种柔性共晶凝胶及其制备方法和应用、应变传感器-CN202111461059.7有效
发明人：王金清;陈天弟;杨生荣;马立民;李章朋 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C08J9/28 文献下载
摘要：本发明涉及应变传感器技术领域，尤其涉及一种柔性共晶凝胶及其制备方法和应用、应变传感器。本发明提供了一种柔性共晶凝胶的制备方法，包括以下步骤：提供共晶溶剂，所述共晶溶剂包括氢键受体和氢键供体；将所述共晶溶剂进行稀释后，向稀释共晶溶剂中依次加入聚乙烯醇和凝胶增强剂，得到均质混合溶液；将所述均质混合溶液倒入模具中，依次重复进行冷冻和解冻，得到所述柔性共晶凝胶。利用本发明所述的制备方法制备得到的柔性共晶凝胶兼具高热稳定性、低挥发性以及高电导率。
一种柔性凝胶及其制备方法应用应变传感器

[发明专利]非索替尼固体形式及其制备方法-CN202110624546.4在审
发明人：蔡志刚;彭欢;钟仁欢;张良 -专利权人：上海希迈医药科技有限公司;上海创诺医药集团有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C07D405/12 文献下载
摘要：具体地，本发明提供了如式I所示的化合物的固体形式，所述的固体形式包括盐晶型或共晶XM‑I、盐晶型或共晶XM‑II、盐晶型或共晶XM‑III、盐晶型或共晶XM‑IV或盐晶型或共晶XM‑V。本发明的晶型相比现有的非索替尼化合物的稳定性更好。
非索替尼固体形式及其制备方法

[发明专利]一种管座芯片共晶装置-CN202111336080.4在审
发明人：俞韶军;范思雨;步晨嘉;付昭辉 -专利权人：浙江辛帝亚自动化科技有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种管座芯片共晶装置，包括底座、共晶台和控制系统，所述共晶台下方设有加热座，加热座内设有加热棒，用于加热共晶台，还包括氮气加热装置、TO管座定位夹取装置和顶杆定位装置；所述TO管座定位夹取装置包括管座吸嘴、手指夹片、导轨滑块和气缸，所述手指夹片固定在导轨滑块两侧，通过气缸实现水平移动，所述管座吸嘴设置于手指夹片中间，通过吸嘴安装座固定，并连接气管接头，外接气源；所述氮气加热装置设置于共晶台一侧，包括氮气加热组件和共晶台罩且在共晶台上方设置氮气加热装置，保证共晶温度的稳定性，共晶效果好，管座芯片共晶成品达到品质要求。
一种芯片装置