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[发明专利]硫属化合物随机存取内存及其制造方法-CN200410097103.0有效
发明人：薛铭祥;陈士弘 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2004-12-07 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种硫属化合物随机存取内存的制造方法是先提供已有下电极的基底，再于基底上依序形成硫属化合物层及相对于上述下电极的图案化掩模，再利用图案化掩模，对硫属化合物层进行离子注入制程，使部分硫属化合物层转变成改质区，并确保图案化掩模底下的硫属化合物层没有被掺杂物质注入，而使其成为未改质区，其中改质区的传导率低于未改质区的传导率。因为利用如离子注入制程的改质处理，故可缩小硫属化合物层与下电极间的接触面积，进而降低硫属化合物随机存取内存的操作电压。
化合物随机存取内存及其制造方法

[发明专利]一种硫属化合物Cs8Sb6Sn4S4Se17及其合成方法-CN201710665548.1有效
发明人：白音孟和;达力玛 -专利权人：内蒙古师范大学
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫属化合物Cs₈Sb₆Sn₄S₄Se₁₇及其合成方法，属于硫属化合物制备技术领域该制备方法使用多元硫醇和多元胺混合溶剂体系中制备出一种Cs₈Sb₆Sn₄S₄Se₁₇，由于使用多元硫醇和多元胺混合溶剂体系，阻止金属硫属化物的直接形成而获得多元金属硫属化合物本发明首次使用多元硫醇和多元胺混合溶剂体系，溶剂热法合成了新型多元金属硫属化物。多元硫醇和多元胺混合溶剂体系的使用会降低合成反应的温度和金属硫属化合物的溶解性，从而更利于获得多元金属硫属化物。
混合溶剂体系硫属化合物多元胺多元金属硫属化物制备合成金属硫属化合物金属硫属化物溶剂热法合成制备技术领域方法使用合成反应首次使用直接形成

[发明专利]用于检测嗜酸硫杆菌的引物对及设计方法与检测方法-CN201810523937.5有效
发明人：毛艳萍;蔡勋超;刘长坤;杨波 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C12Q1/689 文献下载
摘要：本发明公开了用于检测嗜酸硫杆菌的引物对及设计方法与检测方法，其中，设计方法，包括：根据NCBI中的嗜酸性硫杆菌属模式物种菌株的基因组全序列，提取CDSs序列；采用Blastn比对获得嗜酸硫杆菌属保守CDSs序列，并根据引物设计原则，设计得到用于检测嗜酸硫杆菌属的引物对。本方法设计的引物对检测嗜酸硫杆菌时，能够快速、准确地检测出嗜酸硫杆菌属（种），特异性强、灵敏度高，目前还没有采用类似的方法来获取嗜酸硫杆菌属或种的保守CDSs序列进而设计相应的特异性引物。
用于检测嗜酸硫杆菌引物设计方法

[发明专利]过渡金属二硫属化合物光热响应型多重形状记忆膜材料及其制备方法-CN201610535994.6有效
发明人：贾炜;汤蓓蓓;武培怡 -专利权人：复旦大学
申请日： 2016-07-10 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： C08L101/04 文献下载
摘要：本发明属于功能材料技术领域，具体为一种过渡金属二硫属化合物光热响应型多重形状记忆膜材料及其制备方法。本发明通过聚合物Nafion^TM协助水相超声剥离过渡金属二硫属化合物粉末，得到有Nafion^TM修饰的过渡金属二硫属化合物的纳米片层，进一步制备光热响应型多重形状记忆膜材料本发明中纳米片层的制备中，采用绿色水相剥离方法，操作简便，易于实现大规模工业化应用，所制得的过渡金属二硫属化合物纳米片层，在Nafion^TM基体中的良好分散性。
过渡金属二硫属化合物光热响应多重形状记忆材料及其制备方法

[发明专利]一种负载金属基纳米颗粒的复合润滑薄膜及其制备方法-CN202010841718.9有效
发明人：董春萌;孙嘉奕;姜栋;伏彦龙;高晓明;王德生;胡明;王琴琴;杨军;翁立军 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明将多孔结构的二硫属化合物薄膜浸到可溶性金属化合物水溶液中煮沸，之后加入柠檬酸类化合物水溶液，在加热条件下进行成核反应，其中柠檬酸类化合物为络合剂，可溶性金属化合物溶于水后形成金属离子，柠檬酸根络合金属离子形成成核中心并在二硫属化合物薄膜的孔结构内不断生长成金属基纳米颗粒前驱体本发明采用化学方法将金属基纳米颗粒原位负载于二硫属化合物薄膜中，避免了溅射沉积改性材料产生的高能量对二硫属化合物薄膜性能的影响，所得复合润滑薄膜具有良好的摩擦性能。
一种负载金属纳米颗粒复合润滑薄膜及其制备方法

[发明专利]一种二维硫属化合物的制备方法及其应用-CN202210026015.X有效
发明人：王殳凹;张瑜港;何林玮;陈龙;陈兰花 -专利权人：苏州大学
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维硫属化合物，所述二维硫属化合物为晶态材料，化学式为(NH4)2[Sn3二维硫属化合物的制备方法及其在吸附碘蒸气中的应用。本发明公开的二维硫属化合物，能够在不同的碘蒸气浓度(低至400ppm)下及较广的温度范围内(25℃～75℃)实现对碘蒸气的去除，且不会因为长时间静置而出现碘的脱附现象。
一种二维化合物制备方法及其应用

[发明专利]含有层间硫属化物的层状金属硫属化物的制备方法-CN87105158.3无效
发明人：布伦特·艾伦·奥德姆布林克;迈克尔·尤金·兰迪斯 -专利权人：无比石油公司
申请日： 1987-06-27 - 公布日： 1992-05-27 - 主分类号： C01B33/34 文献下载
摘要：一种层状产品的制备方法，该产品包括原子序数为4、5、12到14、20到33、38到51、56到83的至少一种元素的层状硫属化物，和选自元素周期表IB、IIB、IIIA、IIIB、IVA、IVB(C除外)、VA、VB(N、P除外)、VIA、VIIA、VIIIA族中的至少一种元素的硫属化物的撑柱将上述硫属化物层片隔开，该层状硫属化物和所述撑柱硫属化物的硫属元素中至少有一种不是氧。
含有层间硫属化物层状金属硫属化物制备方法

[发明专利]一种芸薹属植物芽苗中异硫氰酸盐的高效富集技术-CN201410018040.9在审
发明人：顾振新;杨润强;王志英;郭强晖;郭丽萍 -专利权人：南京农业大学
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： C12P13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种芸薹属植物芽苗中异硫氰酸盐高效富集技术，其特征是芸薹属植物种子发芽后5～10d内，每天将其置于40～70℃下热激1次，每次10～20min；芽苗采收后，按料液比1∶5～10(w/v)的比例用蒸馏水研磨匀浆，于37℃温育3h，使内源硫代葡萄糖苷(硫苷)彻底水解，生成具有抗癌作用的异硫氰酸盐；用二氯甲烷萃取水解液中的异硫氰酸盐，离心制得富含异硫氰酸盐的提取液。芸薹属植物芽苗经热激和匀浆后，生成的异硫氰酸盐含量为处理前的5～10倍，可实现异硫氰酸盐的高效富集。
一种芸薹属植物芽苗中异硫氰酸盐高效富集技术

[发明专利]一种基于硫属亚铜化合物的纳米异质结太阳能电池及其制备方法-CN201610035612.3有效
发明人：吴春艳;潘志强;王友义;陈士荣;罗林保 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硫属亚铜化合物的纳米异质结太阳能电池及其制备方法，其特征在于是以上表面覆有绝缘层的硅基衬底为基底，在绝缘层上分散有硫属亚铜化合物准一维纳米结构，在硫属亚铜化合物准一维纳米结构的两端各沉积有第一金属薄膜电极和In2S3薄膜，硫属亚铜化合物准一维纳米结构与第一金属薄膜电极呈欧姆接触，与In2S3薄膜形成异质结；在In2S3薄膜上方沉积有第二金属薄膜电极，In2S3薄膜与第二金属薄膜电极呈欧姆接触。
一种基于硫属亚铜化合物纳米异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种纳米半导体光折变薄膜材料及其制备方法-CN201610959284.6有效
发明人：曹文田 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米半导体光折变薄膜材料及其制备方法，纳米半导体光折变薄膜材料，包括金属薄膜和铅的硫属化合物薄膜，所述金属薄膜的一面与铅的硫属化合物薄膜的一面接触，其中，所述金属薄膜的金属的功函数大于等于所述铅的硫属化合物薄膜半导体的电子亲合能，或所述金属薄膜与所述铅的硫属化合物薄膜的接触界面形成肖特基结。制备方法，在衬底上生长一层透明的金属薄膜，然后在所述金属薄膜上生长一层铅的硫属化合物薄膜半导体材料。本发明采用金属薄膜与铅的硫属化合物薄膜接合，并在用金属薄膜与铅的硫属化合物薄膜的界面形成肖特基结，从而在薄膜内形成内建电场，对光生载流子移动和再分布，不需外加电场，完全达到光折变材料应用目的。
一种纳米半导体折变薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种晶圆级过渡金属硫属化合物单晶生长的方法-CN202010036398.X有效
发明人：张艳锋;杨鹏飞;潘双嫄 -专利权人：北京大学
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级过渡金属硫属化合物单晶生长的方法，所述方法包括以下步骤：1)将金箔置于钨箔上，熔融后固化，得到单晶金(111)；2)将过渡金属氧化物粉末放置在金(111)/钨基底正下方；3)将硫属单质放置于基底的上游；4)通入氩气，将基底和硫属单质分别加热至不同温度，之后恒温，数分钟后在基底上生长得到单一取向的单层过渡金属硫属化合物，延长时间即可得到晶圆级单晶过渡金属硫属化合物单层薄膜。本发明以金(111)作为生长基底，外延生长单晶过渡金属硫属化合物薄膜，能够通过控制过渡金属硫属化合物的畴区取向，实现同一取向畴区的无缝拼接，是一种实现晶圆级单层过渡金属硫化物单晶的方法。
一种晶圆级过渡金属化合物生长方法

[发明专利]含碱金属、镓或铟的硫属化合物晶体的生长方法-CN200510118210.1无效
发明人：曾卉一;黄锦顺;郭国聪;郑发鲲;董振超 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2005-10-20 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：含碱金属、镓或铟的硫属化合物晶体的生长方法，涉及一类含碱金属、镓或铟的硫属化合物ATrQ₂ (A＝Li，Na，K，Rb，Cs；Tr＝Ga，In；Q＝S，Se，Te)的合成与晶体生长本发明的目的是将一类含碱金属、镓或铟的硫属化合物ATrQ₂的合成与助熔剂晶体生长技术结合起来。选择碱土金属硫属化合物、镓或铟的硫属化合物或卤化物以及适当的碱金属卤化物反应助熔剂为原料，通过反应助熔剂方法制备并生长一类含碱金属、镓或铟硫属化合物ATrQ₂晶体。
碱金属化合物晶体生长方法

[实用新型]一种具有可控极化率的二维自旋电子器件-CN201820923579.2有效
发明人：吴雅苹;卢奕宏;柯聪明;吴志明;张纯淼;康俊勇 -专利权人：厦门大学
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有可控极化率的二维自旋电子器件，包含基底、层叠设置在基底上表面的增强光吸收层、III‑VI族硫属化物二维材料、铁磁金属层、BN二维材料保护层；以及与III‑VI族硫属化物二维材料连接的第一和第二沟道电极；该器件中铁磁金属层经由界面耦合效应向III‑VI族硫属化物二维材料注入自旋极化载流子，使器件在激光入射下激发产生自旋极化电子，并且在沟道回路中形成自旋电流，且自旋电流的极化率可由铁磁金属层中铁磁金属团簇的形貌及尺度控制
二维材料铁磁金属层硫属化物自旋电子器件可控极化自旋电流二维自旋极化载流子形貌自旋极化电子本实用新型基底上表面层叠设置尺度控制沟道电极光吸收层界面耦合铁磁金属保护层极化率沟道基底入射团簇激光激发

[发明专利]卤化物为缓冲层的金属硫属化合物半导体材料的掺杂方法-CN201910059719.5有效
发明人：王维华;吴茂坤;卢峰;刘晖;程雅慧;王卫超;董红;解新建 -专利权人：南开大学
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/383 文献下载
摘要：卤化物为缓冲层的金属硫属化合物半导体材料的掺杂方法，所述的金属硫属化合物为过渡金属硫族化物，所述金属卤化物为MX3(M为金属，X为卤族元素)，用二维材料MX
卤化物缓冲金属化合物半导体材料掺杂方法

[发明专利]一种析氢反应催化剂及其制备方法-CN201510447275.4在审
发明人：雷周玥;徐胜杰;武培怡 -专利权人：复旦大学
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明的析氢反应催化剂是一种过渡金属二硫属化合物及其氧化物的纳米片层复合材料；本发明通过在超声剥离的过程中加入双氧水，将过渡金属二硫属化合物剥离为部分氧化的纳米片层；得到的纳米片层仍保留有过渡金属二硫属化合物本身的二维晶体结构，保持过渡金属二硫属化合物本身较高的电子传输效率，另外其部分氧化的缺陷结构为析氢反应提供了更多的催化活性位点，增大了催化剂的催化活性位点的面积密度，从而最终提高催化剂的催化活性。
一种反应催化剂及其制备方法