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[发明专利]光吸收层形成用涂布液及光吸收层形成用涂布液的制造方法-CN201280027751.1无效
发明人：桑原大;三隅浩一;宫本英典 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：一种光吸收层形成用涂布液，其是用于形成铜锌锡硫(CZTS)系太阳能电池的光吸收层的涂布液，其是使(A)肼配位Cu硫属化物络合物成分、(B)肼配位Sn硫属化物络合物成分和(C)肼配位Zn硫属化物络合物成分溶解于二甲基亚砜而成的
光吸收形成用涂布液制造方法

[发明专利]硫属化物透镜元件和制造方法-CN202080062739.9在审
发明人： J·L·普莱勒 -专利权人：菲力尔系统贸易比利时有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：提供了硫属化物透镜元件和制造这样的透镜元件的方法。在一个示例中，一种方法包括在基板上沉积第一硫属化物层。该方法还包括将第一印模施加到第一硫属化物层。该方法还包括响应于施加第一印模回流第一硫属化物层，以形成第一成形硫属化物层。该方法还可以包括分割基板和第一成形硫属化物层，以获得多个硫属化物透镜元件。
硫属化物透镜元件制造方法

[发明专利]银镁基硫属（硒属）化合物及银镁基硫属（硒属）非线性光学晶体及其制备方法和用途-CN202211254595.4在审
发明人：俞洪伟;陈佳乐;吴红萍;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及银镁基硫属(硒属)化合物及银镁基硫属(硒属)非线性光学晶体及其制备方法及其用途，该系列化合物及其晶体化学式通式为AgMg3Ga3<银镁基硫属(硒属)化合物采用真空高温固相反应法合成，银镁基硫属(硒属)非线性光学晶体采用布里奇曼法(坩埚下降法)生长。该材料可用于制造二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器等。
银镁基硫属硒属化合物非线性光学晶体及其制备方法用途

[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法-CN202011313544.5在审
发明人：苏圣凯;蔡劲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：方法包括：蚀刻介电层以形成介电鳍；在介电鳍上沉积过渡金属二硫属化物层；以及对过渡金属二硫属化物层实施各向异性蚀刻工艺。去除过渡金属二硫属化物层的水平部分，并且保留位于介电鳍的侧壁上的过渡金属二硫属化物层的垂直部分以形成垂直半导体环。该方法还包括：在二维半导体垂直半导体环的第一部分上形成栅极堆叠件；以及形成源极/漏极接触插塞，其中，源极/漏极接触插塞接触垂直半导体环的第二部分的侧壁。
半导体器件形成方法

[发明专利]一种基于形变的磁场探测装置-CN202111009829.4在审
发明人：彭彦莉 -专利权人：彭彦莉
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本发明涉及磁场探测领域，具体提供了一种基于形变的磁场探测装置，凹槽设置在基底的表面，磁致伸缩材料部置于凹槽内的中部，颗粒置于磁致伸缩材料部的顶部，二维过渡金属硫属化合物层置于基底和凹槽上，二维过渡金属硫属化合物层覆盖凹槽，第一电极和第二电极分别置于二维过渡金属硫属化合物层上凹槽的两侧。应用时，将本发明置于待测空间的磁场内，通过第一电极和第二电极测量二维过渡金属硫属化合物层导电特性的变化，实现待测磁场探测。本发明能够实现高灵敏度和高精度的磁场探测，在磁场探测领域具有良好的应用前景。
一种基于形变磁场探测装置

[发明专利]基于硒化锡的有限可再编程单元-CN200680005605.3有效
发明人：克里斯蒂·A·坎贝尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2006-02-17 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：根据示范性实施例，存储器装置及其形成方法提供第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的含有硫属化物或锗的材料层。所述存储器装置进一步包含位于所述含有硫属化物或锗的材料层与所述第二电极之间的锡硫属化物层。
基于硒化锡有限编程单元

[发明专利]场效应硫属化物装置-CN200480018276.7无效
发明人： S·R·奥夫欣斯基 -专利权人：能源变换设备有限公司
申请日： 2004-04-23 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：包括硫属化物材料的多端子场装置。该装置包括第一端子、第二端子和场效应端子。向场效应端子施加的门极信号可调制流过第一和第二端子之间的硫属化物材料的电流，和/或改变该第一和第二端子之间的硫属化物材料的保持电压或电流。
场效应硫属化物装置

[发明专利]一种电场调控的二维自旋电子器件及其制备方法-CN201810559006.0有效
发明人：吴雅苹;柯聪明;周江鹏;康俊勇;吴志明;张纯淼 -专利权人：厦门大学
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种电场调控的二维自旋电子器件及其制备方法，涉及自旋电流的产生和极化率的电场调控。器件结构包括第一BN二维材料/掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料/第二BN二维材料的三明治结构、与第一BN二维材料和第二BN二维材料连接的透明电极，以及与III‑VI族硫属化物二维材料连接的沟道电极铁磁金属掺杂在III‑VI族硫属化物二维材料的晶格替位或间隙位，使III‑VI族硫属化物二维材料的电子出现自旋极化；自旋极化的电子在入射激光激发下经由沟道回路产生自旋电流，通过外加垂直电场调节掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料的磁结构在铁磁耦合与反铁磁耦合之间转变，从而可在0～100％范围内调控自旋电流的极化率，构成极化率电可控的二维自旋电子器件。
一种电场调控二维自旋电子器件及其制备方法

[发明专利]一种硫属有机半导体的制备方法-CN202111522448.6有效
发明人：胡鹏;蔡明杰 -专利权人：西北大学
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C07D495/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫属有机半导体的制备方法，该方法以升华硫、二苯二硫、噻吩等为硫源，以并五苯、并四苯、二萘嵌苯、蒽、菲等芳香族化合物作原料，将两者混合添入石英管并真空密封，实现了化学气相输运法制备出与原料对应的形貌规整的硫属有机半导体本发明反应过程简单，反应条件温和、易控制并且不需要大型设备和苛刻的反应条件，通过对反应原料的量与反应温度的控制，生成形貌规整的硫属有机半导体，制备出的材料作为电解水催化剂时，表现出较好的电催化析氢性能。
一种有机半导体制备方法

[发明专利]一种过渡金属二硫属化合物纳米片层复合物及其制备方法-CN201610000267.X有效
发明人：雷周玥;徐胜杰;武培怡 -专利权人：复旦大学
申请日： 2016-01-03 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明属于功能材料技术领域，具体为一种过渡金属二硫属化合物纳米片层复合物及其制备方法。本发明：通过水相超声剥离过渡金属二硫属化合物粉末，得到有聚合物修饰的过渡金属二硫属化合物的纳米片层；经高温热处理得到二硫属化合物纳米片层/石墨化碳的复合物，可以用作高效电化学析氢催化剂；或在纳米片层水溶液中加入温敏单体和交联剂一步制备二硫属化合物纳米片层的复合凝胶
一种过渡金属二硫属化合物纳米复合物及其制备方法

[发明专利]含金属硫属化合物的装置-CN201580056941.X有效
发明人：苏密特·C·潘迪;古尔特杰·S·桑胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一些实施例包含一种装置，所述装置具有导电材料、含金属硫属化合物材料及位于所述含金属硫属化合物材料与所述导电材料之间的区域。一些实施例包含一种装置，所述装置具有第一电极、第二电极及位于所述第一电极与所述第二电极之间的含金属硫属化合物材料。所述装置还包含位于所述含金属硫属化合物材料与所述第一电极及所述第二电极中的一者之间的电场修改区域。所述电场修改区域含有组合物，所述组合物具有至少约3.5电子伏特的带隙、具有低介电常数及相对于所述含金属硫属化合物材料的金属的功函数偏移的低传导带。
金属化合物装置

[发明专利]二维铜基磁性纳米片及制备方法-CN202310570337.5在审
发明人：王兰芳;刘文姣;丁瑞芳;郝艳青;李宇嘉;许小红 -专利权人：山西师范大学
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明申请属于三元硫属化物的制备领域，具体公开了一种二维铜基磁性硫属化物纳米片及制备方法，所述硫属化物纳米片组成为CuMX2，所述M为Cr或Fe，所述X为S或Se本发明主要用于制备二维铜基磁性硫属化物纳米片，解决了现有技术中合成二维CuCrX2纳米片操作步骤多，给操作者带来不便的问题。
二维磁性纳米制备方法

[发明专利]生物相容性良好的过渡金属二硫属化合物纳米片层及其制备方法和应用-CN201610100007.X在审
发明人：雷周玥;朱文成;徐胜杰;武培怡 -专利权人：复旦大学
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本发明属于功能材料技术领域，具体为一种生物相容性良好的过渡金属二硫属化合物纳米片层及其制备方法和应用。本发明通过聚合物协助水相超声剥离过渡金属二硫属化合物粉末，得到有聚合物修饰的过渡金属二硫属化合物的纳米片层，可以用作无毒高效的光热治疗剂。本发明中纳米片层的制备中不需要任何有机溶剂，采用绿色水相剥离方法，操作简便，生产成本低，易于实现大规模工业化应用，所制得的过渡金属二硫属化合物纳米片层生物相容性良好，对癌细胞体外治疗效果好，具有大规模制备的潜力和广阔的生物医用前景
生物相容性良好过渡金属二硫属化合物纳米及其制备方法应用

[发明专利]用于光电器件的来自二维半导体层片的三维组装活性材料-CN201680088198.0在审
发明人： S·康基;J·劳思;L·D·A·西伯利斯 -专利权人：丰田自动车欧洲公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： C01G1/12 文献下载
摘要：本发明涉及硫属化物半导体层片的堆叠体，其可用于光电器件。本发明提供了制备金属硫属化物层片的堆叠体的方法，该方法包括以下步骤：(a)在间隔体存在下，使目标金属硫属化物的金属原子的源与目标金属硫属化物的硫属元素原子的源反应，以产生金属硫属化物的层片；(b)将使用步骤(a)获得的金属硫属化物层片沉积到基底上以形成组装金属硫属化物层片的堆叠体，其中间隔体含有与能够键合到金属硫属化物表面的官能团连接的烷基链，所述烷基链的长度小于18个碳原子，优选6‑14个碳原子。
金属硫属化物层硫属化物堆叠体金属硫属化物个碳原子光电器件目标金属间隔体烷基链层片组装硫属元素原子二维半导体官能团连接半导体层活性材料金属原子基底键合可用沉积优选制备三维

[发明专利]用于锂离子电池阳极的保护界面-CN202080044347.X在审
发明人：叶芝莫兰·朗萨米;苏布拉曼亚·P·赫尔勒 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01M4/1395 文献下载
摘要：本文描述的一个或多个保护膜可包括选自锂过渡金属二硫属化物、Li9Ti5O12所述锂过渡金属二硫属化物包括具有式MX2的过渡金属二硫属化物，其中M选自Ti、Mo或W并且X选自S、Se或Te。所述过渡金属二硫属化物可选自TiS2、MoS2、WS2或它们的组合。所述锂过渡金属二硫属化物可选自锂‑钛‑二硫化物(例如，LiTiS2)、锂‑钨‑二硫化物(例如，LiWS2)、锂‑钼‑二硫化物
用于锂离子电池阳极保护界面